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      Vishay

      IRFD9014PBF

      MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP

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      IRFD9014PBF 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        -4 V
      • 閘/源截止電壓
        -4 V
      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        1.1 A
      • 輸入偏置電容
        270 pF
      • 漏源電阻
        500 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻
        500 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        12 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        11 ns
      • 功率耗散
        1.3 W
      • 關閉延遲時間
        10 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        63 ns
      • 上升時間
        63 ns

      Physical

      • 行間距
        7.62 mm
      • 節距
        2.54 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        4
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        DIP

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        3.37 mm
      • 長度
        6.29 mm
      • 寬度
        5 mm

      IRFD9014PBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRFD9014PBF 數據手冊

      • 文檔
        標題
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • IRFD9014PBF
        1年前
        Huaqiu Chip

      IRFD9014PBF 圖片

      • Huaqiu Chip

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