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      Renesas Electronics

      RJH65T14DPQ-A0#T0

      IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

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      RJH65T14DPQ-A0#T0 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        100 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        1.75 V
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        650 V
      • 柵極電荷
        80 nC
      • 晶體管類型
        Trench
      • 反向恢復時間
        250 ns

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO-247AC-3

      RJH65T14DPQ-A0#T0 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      RJH65T14DPQ-A0#T0 數據手冊

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        來源
      • rjh65t14dpq-a0-data-sheet
        1年前
        Huaqiu Chip

      RJH65T14DPQ-A0#T0 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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