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      ON Semiconductor

      FGL60N100BNTDTU

      IGBT 1000V 60A 180W TO264

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      FGL60N100BNTDTU 器件參數

      Function

      • 額定電流
        60 A
      • 額定電壓
        1 V, 1 kV
      • 集電極電流
        60 A
      • 集電極發射極飽和電壓
        1.5 V
      • 集電極-發射極電壓
        1 kV
      • 集電極-發射極擊穿電壓
        1000 V
      • 配置
        Single
      • 柵極電荷
        275 nC
      • 晶體管類型
        NPT和溝道
      • 反向恢復時間
        1.2 μs
      • 功率耗散
        180 W

      Physical

      • 重量
        0.238311 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        25
      • 制造商封裝
        TO-264-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        26 mm
      • 長度
        20 mm
      • 寬度
        5 mm

      FGL60N100BNTDTU EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FGL60N100BNTDTU 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • FGL60N100BNTDTU
        1年前
        Huaqiu Chip

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