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Infineon

SGW30N60HS

High Speed IGBT in NPT-Technology, PG-TO247-3-44, Tube, Green

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SGW30N60HS 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    41 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    3.15 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    600 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    141 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    NPT
  • 功率耗散
    250 W

Physical

  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    240
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無(wú)鹵素
    Not Halogen Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

SGW30N60HS EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

SGW30N60HS 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
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    上傳于
    來(lái)源
  • Rev. 2.4
    1年前
    Altium Library
  • INFNS14176-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

SGW30N60HS 圖片

  • Huaqiu Chip

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