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Texas Instruments (TI)

TPS1120D

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC

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TPS1120D 器件參數

Function

  • 額定電流
    -1.7 A
  • 額定電壓
    -15 V
  • 閾值電壓
    -1.25 V
  • 連續漏極電流
    1.17 A
  • 漏源電阻
    400 mΩ
  • 漏源電壓
    15 V
  • 漏源極擊穿電壓
    15 V
  • 漏源導通電阻
    180 mΩ
  • 柵源電壓
    2 V
  • 柵極電荷
    5.45 nC
  • 晶體管類型
    2個P溝道(雙)
  • 接通延遲時間
    4.5 ns
  • 功率耗散
    840 mW
  • 關閉延遲時間
    13 ns
  • 元件數量
    2
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    10 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 端子間距
    1.27 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    -40 °C, 125 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    75
  • 制造商封裝
    SOIC-8

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.58 mm
  • 長度
    4.9 mm
  • 寬度
    3.91 mm

TPS1120D 數據手冊

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    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip

TPS1120D 圖片

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