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Infineon

IRS23364DSTRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

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IRS23364DSTRPBF 器件參數

Function

  • 驅動配置
    半橋
  • 驅動器數量
    6
  • 通道類型
    3-Phase
  • 輸出端數量
    6
  • 輸出電流
    350 mA
  • 負載類型
    MOSFET;IGBT
  • 類型
    IGBT, N通道 MOSFET
  • 電源電壓(Min)
    11.5 V
  • 電源電壓(Max)
    20 V
  • 電壓(Min)
    11.5 V
  • 電壓(Max)
    20 V
  • 接通延遲時間
    530 ns
  • 拓撲結構
    Three Phase
  • 峰值脈沖電流
    200 mA, 350 mA
  • 功率耗散
    1.6 W
  • 關閉延遲時間
    530 ns
  • 傳播延遲
    750 ns
  • 下降時間
    50 ns
  • 上升時間
    125 ns

Physical

  • 引腳數
    28
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    1
  • 制造商封裝
    SOP-28-300mil

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
  • RoHS
    yes

IRS23364DSTRPBF EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IRS23364DSTRPBF 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

IRS23364DSTRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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    Digikey