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      Vishay

      SIHU6N80AE-GE3

      N-Channel 800 V 5A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-251AA

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      SIHU6N80AE-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        5 A
      • 輸入偏置電容@100V
        422 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        800 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@2A,10V
        950 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        22.5 nC
      • 晶體管類型
        N通道
      • 功率耗散
        62.5 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO-251AA

      Compliance

      • 無鉛
        Y

      SIHU6N80AE-GE3 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SIHU6N80AE-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      SIHU6N80AE-GE3 圖片

      • Element14

        Element14

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip