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      Vishay

      SI1029X-T1-GE3

      MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

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      SI1029X-T1-GE3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        2.5 V
      • 配置
        Dual
      • 通道數量
        2
      • 輸入偏置電容
        30 pF
      • 漏源電阻
        8 Ω
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻
        1.4 Ω
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷
        0.75 nC
      • 晶體管類型
        N溝道和P溝道互補型
      • 容值
        563 F
      • 功率耗散
        250 mW, 280 mW
      • 元件數量
        2
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.001129 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        SC-89-6

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        600 μm
      • 長度
        1.7 mm
      • 寬度
        1.2 mm

      SI1029X-T1-GE3 數據手冊

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      • SI1029X-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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