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Vishay

IRF840ASTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

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IRF840ASTRRPBF 器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    8 A
  • 輸入偏置電容
    1.018 nF
  • 漏源電阻
    850 mΩ
  • 漏源電壓
    500 V
  • 漏源極擊穿電壓
    500 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    850 mΩ
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵極電荷@10V
    38 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    11 ns
  • 功率耗散
    3.1 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    26 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    19 ns
  • 上升時(shí)間
    23 ns

Physical

  • 重量
    0.050717 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    800
  • 制造商封裝
    TO-263-3

Compliance

  • 無(wú)鉛
    無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

Dimension

  • 高度
    4.83 mm
  • 長(zhǎng)度
    10.67 mm
  • 寬度
    9.65 mm

IRF840ASTRRPBF 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來(lái)源
  • IRF840ASTRRPBF
    1年前
    Huaqiu Chip

IRF840ASTRRPBF 圖片

  • Huaqiu Chip

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