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      ON Semiconductor

      FGA5065ADF

      IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN

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      FGA5065ADF 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        100 A
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        2.2 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        650 V
      • 柵極電荷
        72.2 nC
      • 晶體管類型
        Trench Field Stop
      • 反向恢復(fù)時間
        31.8 ns
      • 功率耗散
        268 W

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-3PN

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        Yes

      FGA5065ADF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FGA5065ADF 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
        Farnell
      • onsm-s-a0003590677-1.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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