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      WILLSEMI

      WNM6002-3/TR

      MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323

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      WNM6002-3/TR 器件參數

      Function

      • 輸入偏置電容
        23.37 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻@10V,370mA
        2 Ω
      • 柵源極閾值電壓@250μA
        2 V
      • 反向傳輸電容
        5.2 pF
      • 功率耗散
        370 mW

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        3000pcs
      • 制造商封裝
        SOT-323(SC-70)

      WNM6002-3/TR 數據手冊

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        標題
        上傳于
        來源
      • f7fa8c54340e3830bf7776f90a26dacb.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      WNM6002-3/TR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip