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      MDD

      SS8050

      晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):300mW;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      SS8050 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        1.5 A
      • 集電極發射極飽和電壓@800mA,80mA
        500 mV
      • 轉換頻率
        100 MHz
      • 晶體管類型
        NPN
      • 功率耗散
        300 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23

      SS8050 數據手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip

      SS8050 圖片

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