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ON Semiconductor

FDMS0309AS

MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN

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FDMS0309AS 器件參數

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 通道數量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    49 A
  • 輸入偏置電容
    3 nF
  • 漏源電阻
    2.7 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導通電阻
    3.5 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    47 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    11 ns
  • 功率耗散
    2.5 W
  • 關閉延遲時間
    29 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    3.7 ns
  • 上升時間
    4.5 ns

Physical

  • 重量
    0.002402 oz
  • 配置
    Single
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 引腳數
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    Power-56-8

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes

FDMS0309AS 數據手冊

FDMS0309AS 圖片

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