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      MSKSEMI

      1N5819HW-MS

      1mA@40V 40V Single 0.9V@3A 1A SOD-123 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

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      1N5819HW-MS 器件參數

      Function

      • 正向電流
        3 A
      • 正向電壓
        900 mV
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        9 A
      • 平均整流電流
        1 A
      • 峰值反向電壓
        40 V
      • 容值
        120 pF
      • 反向電壓
        40 V
      • 反向漏電流
        1 mA
      • 功率耗散
        500 mW
      • 二極管配置
        單路

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        3000pcs
      • 制造商封裝
        SOD123

      Compliance

      • 無鉛
        Yes

      1N5819HW-MS 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • d00820be4e99be1a2f2fc3b8f10cce19.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      1N5819HW-MS 圖片

      • Huaqiu Chip

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