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ON Semiconductor

KDT00030ATR

SENSOR PHOTO 630NM TOP VIEW 2SMD

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KDT00030ATR 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    1.1 mA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    4.6 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    6 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    6 V
  • 波長
    630 nm
  • 極性
    NPN
  • 暗電流
    40 nA
  • 擊穿電壓
    6 V

Physical

  • 鏡頭樣式
    Flat
  • 重量
    0.00454 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 方向
    Top View
  • 工作溫度
    -40 °C, 85 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SMD

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free

KDT00030ATR EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

KDT00030ATR 數(shù)據(jù)手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Future
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