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      ON Semiconductor

      FODM8801C

      OPTOISO 3.75KV TRANS 4-MINI-FLAT

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      FODM8801C 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        30 mA
      • 集電極發射極飽和電壓@1.6mA,3mA
        170 mV
      • 集電極-發射極電壓
        75 V
      • 隔離電壓
        3.75 kV
      • 通道數量
        1
      • 輸出類型
        光電三極管
      • 輸出端數量
        1
      • 輸出電流
        30 mA
      • 輸出電壓
        75 V
      • 輸入電流
        20 mA
      • 輸入電壓類型
        DC
      • 電流傳遞比
        400 %
      • 每個通道的輸出電流
        30 mA
      • 正向電流
        20 mA
      • 正向電壓
        1.35 V
      • 反向電壓
        6 V
      • 反向擊穿電壓
        6 V
      • 功率耗散
        150 mW, 300 mW
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        5.5 μs
      • 上升時間
        5 μs

      Physical

      • 重量
        0.004233 oz
      • 引腳數
        4
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 工作溫度
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        SOIC-4

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Pb-free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      FODM8801C EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FODM8801C 數據手冊

      • 文檔
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • FODM8801C
        1年前
        Huaqiu Chip

      FODM8801C 圖片

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip