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      Texas Instruments (TI)

      TLV2621IDR

      800 uA/ch, 11 MHz, RRO, Low Voltage, Single Channel Operational Amplifier, 2.7 to 5.5 V, -40 to 125 degC, 8-pin SOIC (D8), Green (RoHS & no Sb/Br)

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      • 器件參數(shù)
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      TLV2621IDR 器件參數(shù)

      Function

      • 通道數(shù)量
        1
      • 輸出電流
        28 mA
      • 輸入偏置電流
        2 pA
      • 輸入偏置電壓
        250 μV
      • 電源電壓
        2.7 V, 5.5 V
      • 電壓增益
        100 dB
      • 每個(gè)通道的輸出電流
        28 mA
      • 帶寬
        11 MHz
      • 增益帶寬乘積
        11 MHz
      • 回路數(shù)量
        1
      • 壓擺率
        4.5 V/μs
      • 共模抑制比
        77 dB
      • 供電電流
        1 mA, 800 μA
      • I/O電壓
        3.5 mV

      Physical

      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -40 °C, 125 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free

      TLV2621IDR EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TLV2621IDR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • tlv2620_0
        1年前
        Huaqiu Chip
      • SLOS251D
        1年前
        Altium Library

      TLV2621IDR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip