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ON Semiconductor

FDME1024NZT

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

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FDME1024NZT 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    700 mV
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    3.8 A
  • 輸入偏置電容
    300 pF
  • 類型
    2個(gè)N溝道
  • 漏源電阻
    55 mΩ
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源極擊穿電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,3.4A
    66 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    66 mΩ
  • 柵源電壓
    8 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    1 V
  • 柵極電荷@4.5V
    4.2 nC
  • 晶體管類型
    2個(gè)N溝道(雙)
  • 接通延遲時(shí)間
    4.5 ns
  • 功率耗散
    1.4 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    15 ns
  • 元件數(shù)量
    2
  • 下降時(shí)間
    1.7 ns
  • 上升時(shí)間
    2 ns
  • FET功能
    邏輯電平門

Physical

  • 配置
    Dual
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    MicroFET(1.6x1.6)

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    500 μm
  • 長度
    1.6 mm
  • 寬度
    1.6 mm

FDME1024NZT 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • FDME1024NZT
    1年前
    Huaqiu Chip

FDME1024NZT 圖片

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