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      Vishay

      SIS476DN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

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      SIS476DN-T1-GE3 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        1 V
      • 配置
        Single
      • 通道數量
        1
      • 連續漏極電流
        40 A
      • 輸入偏置電容@15V
        3.595 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        2.5 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@10V,15A
        2.5 mΩ
      • 漏源導通電阻
        2.5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.3 V
      • 柵極電荷@10V
        77 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        24 ns
      • 功率耗散
        3.7 W, 52 W
      • 關閉延遲時間
        30 ns
      • 元件數量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        PowerPAK1212-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.12 mm
      • 長度
        3.4 mm
      • 寬度
        3.4 mm

      SIS476DN-T1-GE3 數據手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SIS476DN-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

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