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ON Semiconductor

QSE113

SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD

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QSE113 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    5 mA
  • 額定電壓
    30 V, 5 V
  • 額定功率
    100 mW
  • 集電極電流
    5 mA
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    30 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    30 V
  • 通道數(shù)量
    1
  • 輸出電壓
    30 V
  • 輸出功率
    100 mW
  • 電源電壓
    5 V
  • 波長
    880 nm
  • 極性
    NPN
  • 暗電流
    100 nA
  • 晶體管類型
    NPN
  • 峰值波長
    880 nm
  • 功率耗散
    100 mW
  • 功率消耗
    100 mW
  • 擊穿電壓
    30 V
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    8 μs
  • 上升時間
    8 μs

Physical

  • 鏡頭樣式
    Domed
  • 重量
    0.004762 oz
  • 方向
    Side View
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    2
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 可視角度
    25 o
  • 包裝方式
    Bulk
  • 包裝數(shù)量
    500
  • 制造商封裝
    插件,L=4.4mm

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    5.08 mm
  • 長度
    4.44 mm
  • 引腳長度
    12.7 mm
  • 寬度
    2.54 mm

QSE113 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

QSE113 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

QSE113 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip