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      ON Semiconductor

      NVBG060N090SC1

      MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7

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      NVBG060N090SC1 器件參數

      Function

      • 連續漏極電流
        5.8 A
      • 輸入偏置電容@450V
        1.8 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        900 V
      • 漏源導通電阻@18V,20A
        43 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@5mA
        2.7 V
      • 柵極電荷@5~15V
        88 nC
      • 反向傳輸電容@450V
        12 pF
      • 功率耗散
        211 W, 3.6 W

      Physical

      • 配置
        Single
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 制造商封裝
        TO-263-7

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • RoHS
        Yes

      NVBG060N090SC1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NVBG060N090SC1 數據手冊

      NVBG060N090SC1 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

      • Digikey

        Digikey