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      Infineon

      IPA60R520E6

      N-Channel CoolMOS? E6 Power-Transistor, 600?V VDS, 8.1?A ID, -55 to 150 degC, PG-TO220-3-31, Tube, Green

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      IPA60R520E6 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        3 V
      • 閘/源截止電壓
        3 V
      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        8.1 A
      • 輸入偏置電容
        512 pF
      • 漏源電阻
        470 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻
        520 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        23.4 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        12 ns
      • 功率耗散
        29 W
      • 關閉延遲時間
        75 ns
      • 下降時間
        9 ns
      • 上升時間
        10 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數量
        500
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
      • 無鹵素
        Halogen Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        15.95 mm
      • 長度
        10.36 mm
      • 寬度
        4.57 mm

      IPA60R520E6 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPA60R520E6 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • Rev. 2.0
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IPA60R520E6 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip