RClamp0522P 是一種超低電容TVS（瞬態電壓抑制器）陣列，設計用于在連接到高速數據線時保護敏感半導體元件免受電應力過大的影響。RClamp0522P 的超低電容（0.35pF典型I/O到I/O）確保了在tc 3.5GHz以上的數據速率下可以忽略信號衰減。固態結構確?？焖賷A緊ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）或CDE（電纜放電事件）產生的電過應力瞬變。

■除了超低電容外，RClamp0522P 還提供卓越的浪涌電流能力和出色的電壓箝位性能。浪涌電流能力（8x20μs）的額定值為7A；大約比行業標準高33%。此外，1.9的緊箝位比（VCVRWM）（通常為1A）確保了有害瞬態被快速箝位，并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業標準高30%，確保了對敏感集成電路的卓越保護。

RClamp0522P 設計用于保護多達兩條數據線。它封裝在符合RoHS/WEEE標準的6引腳DFN中，具有0.55mm（標稱）的極低封裝外形。超低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使RClamp0522P 成為當今ESD敏感、空間受限應用的理想選擇。

●特征

■ESD保護符合以下要求：

▲IEC 61000-4-2，±18kV觸點，±30kV空氣

▲IEC 61000-4-5（閃電）7A（8/20μs）

▲IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）

■緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了卓越的保護

■高反向浪涌電流，lPP，容量

■低怠速電流將待機功耗降至低

■低調的DFN封裝

■為高速線路優化的封裝設計

■貫穿設計

■保護兩條l/O線

■低電容：0.35pF典型值（I/O至I/O）

■低工作電壓：5V

■固態硅雪崩技術