據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于能夠提高太陽能系統(tǒng)的效率，模組級(jí)電源管理(MLPM)解決方案勢(shì)必會(huì)快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2014年將有40%左右的住宅光伏(PV)裝置將使用MLPM。
2011-03-14 09:41:02
2319 
隨著中國(guó)家電業(yè)執(zhí)行5級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，能效標(biāo)準(zhǔn)變得更加嚴(yán)格，變頻電機(jī)市場(chǎng)轉(zhuǎn)熱。 據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2010年至2022年，家電變頻電機(jī)中的半導(dǎo)體含量將實(shí)現(xiàn)8倍增長(zhǎng)。這些趨勢(shì)都有助于未來幾年BLDC市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。
2019-03-13 16:35:215327 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵開關(guān)管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。通過使用氮化鎵開關(guān)管來減少硅MOS管的數(shù)量，還可以減小保護(hù)板的面積，使保護(hù)板可以集成到主板上，節(jié)省一塊PCB，降低整體成本。儲(chǔ)能電源儲(chǔ)能電源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
手機(jī)甚至出廠就直接標(biāo)配氮化鎵快充，也讓更多用戶接觸到氮化鎵快充小巧便攜高性能的特性。未來，氮化鎵快充除了在消費(fèi)電子市場(chǎng)繼續(xù)增長(zhǎng)外，也會(huì)在 PC 電源、新能源汽車等更多行業(yè)上得到應(yīng)用，達(dá)到全面開花
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
。憑借高達(dá) 300W 的功率輸出能力和堅(jiān)固的塑料封裝，第四代氮化鎵功率晶體管無疑已成為具有高成本效益的可信賴解決方案。——————市場(chǎng)的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)——————在短期內(nèi)，無線基站市場(chǎng)將繼續(xù)推動(dòng)氮化鎵市場(chǎng)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價(jià)比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動(dòng)器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場(chǎng)上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時(shí)間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
演示測(cè)試版，2017年秋季開始供貨MACOM 近日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨在幫助商業(yè)OEM快速、輕松地調(diào)整其產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業(yè)加熱/烘干、醫(yī)療/制藥和汽車點(diǎn)火
2017-08-03 10:11:14
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購(gòu)來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無法滿足要求。在基站端，由于對(duì)高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
了《“十四五”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，規(guī)劃明確指出，到2025年我國(guó)將成為全球機(jī)器人技術(shù)創(chuàng)新策源地、高端制造集聚地和集成應(yīng)用新高地。作為工業(yè)機(jī)器人核心控制器件，MCU等控制芯片必將受惠于工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)
2023-02-16 14:11:04
測(cè)試背景地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試測(cè)試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印：NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
，整個(gè)電動(dòng)汽車（EV）市場(chǎng)的增長(zhǎng)率已經(jīng)超過傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)（ICE）汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)率的10倍。預(yù)計(jì)到2040年，電動(dòng)汽車市場(chǎng)將擁有35％的新車銷量份額，對(duì)于一個(gè)開始批量生產(chǎn)不到10年的市場(chǎng)而言，這樣的新車銷售份額
2018-07-19 16:30:38
近年來，由于人們對(duì)于健康生活的追求日益增長(zhǎng)，以及一系列的政策驅(qū)動(dòng)，中國(guó)便攜式/家庭醫(yī)療電子市場(chǎng)呈現(xiàn)出穩(wěn)步快速增長(zhǎng)的勢(shì)態(tài)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)差數(shù)據(jù)顯示：中國(guó)便攜式/家庭醫(yī)療電子市場(chǎng)規(guī)模將從2006年的80億元
2010-12-15 13:58:14
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運(yùn)行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
幾年得到了很大的提高。生產(chǎn)高質(zhì)量、低成本的體塊（Bulk）氮化鎵芯片是一項(xiàng)技術(shù)。日本大坂大學(xué)和豐田公司聯(lián)合開發(fā)了一種新的技術(shù)，可以解決以上問題（如下圖所示)，這是一種將 Na Flux法（NaFlux
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個(gè)熱點(diǎn)。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
受到市場(chǎng)相當(dāng)不錯(cuò)的回響，應(yīng)用需求也越來越多。近年來在消費(fèi)性電源領(lǐng)域引發(fā)話題的手機(jī)快速充電、USB-PD等技術(shù)，就是氮化鎵組件可以大展身手的舞臺(tái)。和電動(dòng)車的情況類似，快速充電也是智能型手機(jī)或便攜設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。2005年，中國(guó)大陸電源管理IC市場(chǎng)的銷售額達(dá)到30.91億美元，同比增長(zhǎng)29%，大大高于全球8.9%的增長(zhǎng)水平，已占全球市場(chǎng)規(guī)模的13.5%。預(yù)計(jì)2006~2010年，中國(guó)電源管理芯片
2016-01-08 14:57:15
隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的發(fā)展，以及***的政策鼓勵(lì)與扶持，電動(dòng)汽車（混動(dòng)+純電動(dòng)）以每年超過50%的速度高速增長(zhǎng)，電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動(dòng)汽車的核心組件，其市場(chǎng)需求也獲得相應(yīng)的快速增長(zhǎng)。本文將就電池管理系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求進(jìn)行分析。
2019-07-30 06:46:09
等，市場(chǎng)份額占比分別為17%、12%、10%、8%、7%、7%。中國(guó)市場(chǎng)方面，目前電源管理芯片約占全球 35.9% 的市場(chǎng)份額。隨著下游電子設(shè)備行業(yè)發(fā)展對(duì)電源管理芯片需求的增長(zhǎng)，未來其市場(chǎng)規(guī)模仍將快速增長(zhǎng)。據(jù)
2023-03-03 11:29:26
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 16:00:28
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)預(yù)測(cè)的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
柚比、Zendure征拓、等等都在著力布局氮化鎵市場(chǎng)總結(jié)2020年USB PD快充在手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、汽車、生活家電等領(lǐng)域的滲透率已經(jīng)呈現(xiàn)出復(fù)合級(jí)增長(zhǎng)趨勢(shì)，USB-C接口的普及，讓原本復(fù)雜
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場(chǎng)帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制，外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片，對(duì)應(yīng)兩顆不同大小的變壓器，組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
等，市場(chǎng)份額占比分別為17%、12%、10%、8%、7%、7%。中國(guó)市場(chǎng)方面，目前電源管理芯片約占全球 35.9% 的市場(chǎng)份額。隨著下游電子設(shè)備行業(yè)發(fā)展對(duì)電源管理芯片需求的增長(zhǎng)，未來其市場(chǎng)規(guī)模仍將快速增長(zhǎng)。據(jù)
2023-03-03 11:38:53
通過調(diào)研發(fā)現(xiàn)在2019,2020折疊大屏手機(jī)成熟上市后，與此在應(yīng)用體驗(yàn)上相輔相成的智能腕表將面臨快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)，為此將帶動(dòng)相關(guān)零部件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2018-09-21 10:34:35
的應(yīng)用，包括自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)器人、無人機(jī)和安全系統(tǒng)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。
隨著產(chǎn)量的增長(zhǎng)，氮化鎵器件正在取代傳統(tǒng)應(yīng)用的硅MOSFET，例如48 V DC/DC電源，讓數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和游戲等高
2023-06-25 14:17:47
本帖最后由 鞍點(diǎn)科技 于 2018-9-11 09:06 編輯
鋰電池檢測(cè)系統(tǒng)市場(chǎng)發(fā)展與下游鋰電池市場(chǎng)緊密相關(guān)。隨著鋰電池需求量的快速增長(zhǎng)， 及鋰電池在新能源汽車和儲(chǔ)能領(lǐng)域的應(yīng)用占比迅速提高
2018-09-10 16:49:12
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
景氣度保持上行趨勢(shì)。根據(jù)高工鋰電的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年我國(guó)正極材料出貨量為189萬噸，同比增長(zhǎng)68%；預(yù)計(jì)2022年至2025年將繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2025年出貨量將達(dá)到471萬噸。
磷酸鐵鋰是一種由
2023-06-25 11:51:27
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
，我們的設(shè)備都被連接在了一起，我們需要消耗更多的電能，”GaN開發(fā)團(tuán)隊(duì)的系統(tǒng)和應(yīng)用工程師Eric Faraci說，“更多的能耗意味著需要建造更多的大型電廠。但是，如果我們使用諸如氮化鎵的技術(shù)，我們可以將
2018-08-30 15:05:50
iSuppli公司認(rèn)為，能夠訪問互聯(lián)網(wǎng)的便攜產(chǎn)品旺銷，刺激了市場(chǎng)對(duì)于面向此類產(chǎn)品的電源管理半導(dǎo)體的需求快速增長(zhǎng)。
到2012年，全球便攜電源管理半導(dǎo)體銷售額將從2007
2008-08-27 00:32:14683 分析表明量子點(diǎn)的應(yīng)用出現(xiàn)快速增長(zhǎng)
根據(jù)市場(chǎng)研究集團(tuán)BCC的介紹，在未來五年內(nèi)，預(yù)計(jì)全球量子點(diǎn)（QD）技術(shù)的市場(chǎng)將出現(xiàn)接近91%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，到2013
2008-09-22 08:44:09536 多標(biāo)準(zhǔn)DTV解碼芯片市場(chǎng)將快速增長(zhǎng)
據(jù)iSuppli公司,全球各地從模擬向數(shù)字電視(DTV)廣播過渡,正在促使電視廠商推出具備更先進(jìn)視頻解碼芯片的電視機(jī)。
2009-09-15 14:25:56862 
GaN電源管理芯片市場(chǎng)將增長(zhǎng)快速
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年
2010-03-25 10:12:471143 
據(jù)市場(chǎng)研究公司MarketsandMarkets的預(yù)測(cè)，全球生物識(shí)別市場(chǎng)將由2018年的168億美元快速增長(zhǎng)至2023年的418億美元。
2018-08-29 08:56:023425 隨著近幾年新能源汽車飛躍式的發(fā)展，新能源汽車產(chǎn)量快速增長(zhǎng)，我國(guó)的新能源車產(chǎn)業(yè)體系也不斷完善，全國(guó)充電樁數(shù)量快速增長(zhǎng)。截至今年7月底，我國(guó)已建成充電樁約66．2萬個(gè)，其中公共充電樁約27．5萬個(gè)，私人充電樁約38．7萬個(gè)
2018-09-10 09:31:002039 近年來，國(guó)內(nèi)家用電器、3C產(chǎn)品等領(lǐng)域持續(xù)增長(zhǎng)，中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)保持快速增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2015-2019年中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模逐步增長(zhǎng)。未來，隨著中國(guó)國(guó)產(chǎn)電源管理芯片在新領(lǐng)域的應(yīng)用拓展，國(guó)產(chǎn)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模將快速增長(zhǎng)。中山產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，2020年我國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)781億元。
2020-07-18 09:33:566027 能有效避免交通事故發(fā)生的ADAS或?qū)⒂瓉?b class="flag-6" style="color: red">快速增長(zhǎng)期。據(jù)相關(guān)研究報(bào)告預(yù)計(jì)，2025年國(guó)內(nèi)ADAS市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2250億元。
2020-12-07 16:01:251762 受到5G網(wǎng)絡(luò)商業(yè)化建設(shè)的影響，自2020年起，全球射頻前端市場(chǎng)將迎來快速增長(zhǎng)。2018年至2023年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將以年復(fù)合增長(zhǎng)率16.00%持續(xù)高速增長(zhǎng)，2023年接近313.10億美元。
2020-12-30 16:33:214495
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