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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>通道晶體管增強(qiáng)調(diào)節(jié)的輸出電流-Pass Transistor

通道晶體管增強(qiáng)調(diào)節(jié)的輸出電流-Pass Transistor

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2024-03-07 17:06:38975

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2022-09-05 06:18:39

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2023-02-16 18:22:30

晶體管輸出光電耦合器 TLP181(GB-TPL,F,T)

`TLP181(GB-TPL,F,T)詳細(xì)參數(shù)[/td][/td][td]制造商Toshiba產(chǎn)品種類晶體管輸出光電耦合器配置1 Channel最大正向二極電壓1.3 V最大輸入二極電流50
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關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
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晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么?

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2024-01-26 23:07:21

晶體管使用的判定方法

的種類電壓電流雙極晶體管集電極發(fā)射極間電壓 : VCE集電極電流 : IC數(shù)字晶體管輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流
2019-04-15 06:20:06

晶體管分類及參數(shù)

及制造工藝分類  晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。  按電流容量分類  晶體管電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類  晶體管
2010-08-12 13:59:33

晶體管可以作為開關(guān)使用!

本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯 晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的,pnp型和npn型
2017-03-28 15:54:24

晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》

、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計(jì)與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48

晶體管和場效應(yīng)的本質(zhì)問題理解

晶體管也就是俗稱三極,其本質(zhì)是一個電流放大器,通過基射極電流控制集射極電流。 1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時,此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用,此時可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài) 2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45

晶體管圖示儀的設(shè)計(jì)與制作資料分享

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2021-05-07 07:43:17

晶體管射隨電路圖

晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級電路對前級電路的影響和有些前級電路的輸出要求有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力(即要求輸出阻抗較低)時,要用到緩沖電路,從而達(dá)到增強(qiáng)電路的帶負(fù)載能力和前后級阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13

晶體管工作原理

場效應(yīng)晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡稱為場效應(yīng),是一種通過對輸入回路電場效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43

晶體管開關(guān)電路簡介

一、晶體管開關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路,此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時,由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31

晶體管電流傳感器的識別

  晶體管電流傳感器內(nèi)部設(shè)有檢測電流用電阻。使負(fù)荷電流通過該電阻,并利用運(yùn)算放大器(OP比較電路)將其電壓降值與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,當(dāng)電流檢測電阻上的電壓降低于基準(zhǔn)電壓時,比較器的輸出電流點(diǎn)亮報警
2018-10-31 17:13:28

晶體管性能的檢測

1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32

晶體管電流放大原理該怎么解釋?

晶體管電流放大原理 該怎么解釋?
2017-03-12 20:30:29

晶體管的h參數(shù)資料分享

無量綱的比例系數(shù)。hfe稱為輸出端交流短路時的電流放大系數(shù),簡稱電流放大系數(shù)。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力,即晶體管電流放大能力,是一個無量綱的數(shù),習(xí)慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25

晶體管的主要參數(shù)

(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù),表示晶體管對交流(變化)信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比,即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21

晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?

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2021-06-07 06:25:09

晶體管的代表形狀

晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24

晶體管的分類與特征

電流時,即晶體管導(dǎo)通時的電壓降,因此可通過該值求得導(dǎo)通時的電阻。MOSFET(圖中以Nch為例)通過給柵極施加電壓在源極與漏極間創(chuàng)建通道來導(dǎo)通。另外,柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會流過
2018-11-28 14:29:28

晶體管的分類與特征

創(chuàng)建通道來導(dǎo)通。另外,柵極通過源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會流過 “導(dǎo)通”意義上的電流。但是,需要被稱為“Qg”的電荷。 關(guān)于MOSFET,將再次詳細(xì)介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33

晶體管的發(fā)展歷程概述

自來水的閥門,從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量(即集電極電流)。借此,可以通俗地領(lǐng)會這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-07-23 00:07:18

晶體管的由來

自來水的閥門,從而調(diào)節(jié)水龍頭噴出的巨大的水量(即集電極電流)。借此,可以通俗地領(lǐng)會這一原理。6. 正確說明。下面通過圖1及圖2對晶體管的增幅原理作進(jìn)一步詳盡的說明。與輸入電壓e和偏壓E1構(gòu)成的基極-發(fā)射極
2019-05-05 00:52:40

晶體管的結(jié)構(gòu)特性

晶體管的基極電流發(fā)生變化時,其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后,若從基極加入一個較小的信號,則其集電極將會輸出一個較大的信號。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)(B、E極之間)要加上
2013-08-17 14:24:32

晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)

功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2.末級視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管,應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38

晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降

偏、集電結(jié)正偏,就是晶體管的倒置放大應(yīng)用)。要理解晶體管的飽和,就必須先要理解晶體管的放大原理。從晶體管電路方面來理解放大原理,比較簡單:晶體管的放大能力,就是晶體管的基極電流對集電極電流的控制能力
2012-02-13 01:14:04

晶體管相關(guān)資料下載

分為硅和鍺兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)摻雜濃度,并且基區(qū)很薄,集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體具有放大能力
2021-05-13 06:43:22

晶體管簡介

關(guān)于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負(fù),由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18

晶體管詳解

;nbsp; 晶體管transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
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ADS中的雙極晶體管的模擬

您好,為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路,我們將基板與發(fā)射器連接,還是允許空氣?謝謝 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14

IGBT絕緣柵雙極晶體管

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使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流

用作Q2的基極電壓,以在晶體管Q2中產(chǎn)生更穩(wěn)定的電流。波形發(fā)生器配置為1 kHz三角波,峰峰值幅度為3 V,偏置為1.5 V。示波器通道2的輸入(2+)用于測量Q2集電極上的穩(wěn)定輸出電流。置示波器以
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入門經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計(jì)上下冊讓你感性認(rèn)識晶體管

的基礎(chǔ)知識和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路
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關(guān)于晶體管及其功能和特性的常見問題

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2023-02-03 09:32:55

關(guān)于PNP晶體管的常見問題

可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”,但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極(E)的基極(B)的負(fù)電壓將使其“打開”,從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎?如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56

單極型晶體管的工作原理和特點(diǎn)

  單極型晶體管也稱場效應(yīng),簡稱FET(FieldEffectTransistor)。它是一種電壓控制型器件,由輸入電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小。它工作時只有一種載流子(多數(shù)載流子)參與
2020-06-24 16:00:16

單結(jié)晶體管仿真

各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06

雙極晶體管怎么并聯(lián)連接

攜帶更多的共享電流,甚至變得更熱,直到某些東西最終破裂。通常,如果平衡電阻器與發(fā)射器而不是基極串聯(lián)放置,則BJT可以更可靠地并聯(lián)操作。即使是這里的小電阻也會強(qiáng)烈抵消不平衡的趨勢,因?yàn)榱鬟^任何一個晶體管
2018-10-26 14:45:42

在特殊類型晶體管的時候如何分析?

管子多用于集成放大電路中的電流源電路。 請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時,如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56

場效應(yīng)晶體管的分類及作用

。場效應(yīng)的工作方式有兩種:當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型;當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場效應(yīng)晶體管作用是什么1、場效應(yīng)可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)
2019-05-08 09:26:37

場效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18

基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

,這反過來又使耗盡層盡可能小,從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性。    圖2.飽和區(qū)域特征  輸入基極電流輸出集電極電流為零,集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09

如何為連接反饋的兩個晶體管提供偏置電容

先生,我使用了兩個ATF54143晶體管(偏置Vds = 3V,Ids = 60mA)和連接的電容分流反饋,電容器連接在一個晶體管的源極和另一個晶體管的漏極之間。我試圖給兩個晶體管提供偏置,實(shí)現(xiàn)了一
2019-01-14 13:17:10

如何判斷場效應(yīng)晶體管方向,學(xué)會這幾步輕松搞定

1. 場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而場效應(yīng)晶體管是電壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16

如何加速晶體管的水平輸出

本應(yīng)用指南介紹了一種采用后向設(shè)計(jì)的基本驅(qū)動電路,它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器,便于加速晶體管的水平輸出級。
2014-09-22 17:14:04

如何提高微波功率晶體管可靠性?

什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

如何改善晶體管的損耗

~3.3nf。當(dāng)Nb上端產(chǎn)生一個正的驅(qū)動電壓時,由于電容兩端電壓不能突變,上電瞬間電容如同短路,因此可認(rèn)為為VT1提供了很大的正向基極電流,使晶體管迅速導(dǎo)通。之后,電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進(jìn)入穩(wěn)態(tài)
2020-11-26 17:28:49

如何訪問ADS2012中的實(shí)際晶體管或其他組件?

嗨,我已經(jīng)使用ADS 2009很長一段時間了,現(xiàn)在正考慮換到新版本。在ADS2012版本中找到真正的晶體管模型時遇到了問題。我曾經(jīng)通過元件列表訪問2009版的實(shí)際晶體管模型,例如晶體管2N2222A
2019-02-26 07:19:08

如何選擇分立晶體管

來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管
2023-11-24 08:16:54

安全使用晶體管的判定方法

輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓)輸出電流 : IOMOSFET漏極源極間電壓 : VDS漏極電流 : ID例:開關(guān)雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計(jì)算開關(guān)
2019-05-05 09:27:01

當(dāng)連接有源反饋時,如何實(shí)現(xiàn)兩個晶體管的偏置

先生,我已將一個晶體管連接到另一個晶體管。如何實(shí)現(xiàn)兩個晶體管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了兩個ATF54143晶體管,并在一個晶體管X2(如圖所示)Vds = 3v(電壓差為
2018-12-27 16:09:48

急求+請教,晶體管transistor有問題。

小弟想問,有誰可以告訴我。晶體管transistor part number(UTC MCR101L 6UDA)是NPN 還是PNP。如果找不到同一樣的晶體管(transistor)那我該買什么晶體管(transistor)來替換。急求。。。。。。。答案。。。。。
2011-06-21 13:38:28

數(shù)字晶體管的原理

% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2,使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52

數(shù)字晶體管的原理

選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36

概述晶體管

晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57

氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對分分析哪個好?

勵磁電流ILM開始在死區(qū)時間內(nèi)對低側(cè)晶體管輸出電容放電。在狀態(tài)2時,寄生輸出電容完全放電,GaN功率晶體管通過2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET,有一個固有的雙極
2023-02-27 09:37:29

電子晶體管在結(jié)構(gòu)和應(yīng)用上的區(qū)別

其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)
2016-01-26 16:52:08

絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性

電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管,即 IGBT,結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管輸出性能特性,因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25

繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)?使用注意事項(xiàng)有哪些?

繼電器和晶體管輸出具有哪些特點(diǎn)?使用注意事項(xiàng)有哪些?繼電器與晶體管輸出有哪些差別?
2021-10-12 06:28:48

請問這個晶體管為什么是開關(guān)的作用,還有電流方向是怎樣的?

這個晶體管為什么是開關(guān)的作用,還有電流方向是怎樣的?
2018-12-28 15:41:49

晶體管transistor

晶體管transistor) 4          5納米工藝的四核處理器已能容納8億個晶體管
2009-11-05 10:34:25832

電力晶體管簡介

電力晶體管簡介   電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管,是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)
2009-11-05 12:00:581222

增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思

增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思 根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上
2010-03-05 15:34:432338

晶體管測試儀電路,Transistor tester

晶體管測試儀電路,Transistor tester Description   
2010-04-11 09:36:561581

AT3422GE溝道增強(qiáng)型網(wǎng)絡(luò)場效晶體管

N溝道增強(qiáng)型網(wǎng)絡(luò)場效晶體管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2017-09-09 07:55:340

晶體管輸出和晶閘管輸出的區(qū)別

了解的參考。 一、晶體管輸出的特點(diǎn) 晶體管輸出又稱為雙極性晶體管輸出(Bipolar Transistor Output),使用PNP或NPN型雙極晶體管作為控制元件。在控制電壓作用下,通過電流調(diào)節(jié)控制晶體管的放大倍數(shù),從而實(shí)現(xiàn)輸出的開關(guān)控制。 1、優(yōu)點(diǎn): (1)高速:晶體管
2023-08-25 15:41:311249

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