磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位�，F在，所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性、高性能、以及高可靠性優勢的MRAM技術。
Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合，以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖，我們將不斷提高MRAM產品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非揮發RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環。在每次寫入后，資料能持續保存超過20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標應用為工業自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統受限于需采用SRAM設計的系統。
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其它非揮發RAM產品兼容。
供貨情況
新款16Mb MRAM系列包括商業級(0℃至+70℃)和工業級(-40℃至+85℃)兩種溫度范圍�，F已可提供樣品，并預計于2010年7月開始量產。價格咨詢請聯系Everspin銷售部和代理商。
Everspin的產品系列
Everspin的MRAM技術具高可靠性、快速讀/寫、即時開啟、非揮發性、和無限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成員后，現在Everspin的產品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O產品，以及采用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產品。
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(責任編輯：發燒友)
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