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32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應(yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。

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sram(113779) sram(113779)
快速異步(5315) 快速異步(5315)

評(píng)論

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8Mbit的esp-03的corect固件問題求解

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＝43301數(shù)據(jù)表@ HTTP://wwwyCysP.COM/？RID＝49137 以上來自于百度翻譯以下為原文Cypress packs 64Mbit memory in SRAM chips

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2018-02-01 11:00:26

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中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告：我國(guó)平均網(wǎng)絡(luò)下載速率已經(jīng)超過20Mbit/s

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2019年第三季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率已達(dá)到了37.69Mbit/s

報(bào)告顯示，2019年第三季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到37.69Mbit/s，環(huán)比上季度提升了6.3%，同比去年同期提升了12.7Mbit/s，年度提升幅度達(dá)到50.8%；我國(guó)移動(dòng)寬帶用戶使用4G網(wǎng)絡(luò)訪問互聯(lián)網(wǎng)時(shí)的平均下載速率達(dá)到24.02Mbit/s，同比去年同期提升幅度也達(dá)到了11.9%。

2019-11-28 10:13:47

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帶ECC的CMOS汽車異步SRAM

ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI

2020-04-03 16:40:04

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RY1100 2Mbit s誤碼測(cè)試儀的詳細(xì)資料介紹

RY1100 2Mbit/s誤碼測(cè)試儀適用于測(cè)量通信線路數(shù)據(jù)通信的誤碼率和分析線路故障及原因。可方便地完成對(duì)2M系統(tǒng)，N×64k信道傳輸參數(shù)測(cè)量及日常維護(hù)測(cè)試。

2020-05-28 08:00:00

異步SRAM存儲(chǔ)器的功能以及應(yīng)用領(lǐng)域的概述

CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合，密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓、總線寬度及封裝選項(xiàng)。此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機(jī)功率消耗

2020-08-24 17:29:47

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XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM

等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲(chǔ)器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲(chǔ)器接口。星憶存儲(chǔ)代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。特征

2020-09-09 11:44:11

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Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns

Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后續(xù)產(chǎn)品.Cypress負(fù)責(zé)這種

2020-11-17 16:35:16

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關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說明

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口

2021-03-18 16:25:17

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國(guó)產(chǎn)串行SRAM芯片EMI7064的特征介紹

現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對(duì)SRAM要求越來越高，單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來越不夠用。國(guó)產(chǎn)EMI公司的64Mbit SPI接口的SRAM芯片EMI7064。這樣的IC用途一般是：數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理

2021-03-31 09:53:41

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ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

擴(kuò)展到了汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗

2021-04-08 15:44:02

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4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡(jiǎn)介

：同步和異步。同步SRAM是與稱為時(shí)鐘的外部信號(hào)同步的設(shè)備。設(shè)備只會(huì)在時(shí)鐘的特定狀態(tài)下將信息讀取和寫入內(nèi)存。另一方面，異步SRAM不依賴于時(shí)鐘的狀態(tài)。它會(huì)在收到指令后立即開始向內(nèi)存中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?賽普拉斯為網(wǎng)絡(luò)、汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航

2021-06-08 16:58:10

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為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s

數(shù)據(jù)段波特率最大5Mbit/s可以穩(wěn)定通信，為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s？我們帶著這個(gè)疑問對(duì)PEAK的所有CAN FD接口進(jìn)行了測(cè)試，發(fā)現(xiàn)帶NXP

2021-08-23 09:54:23

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國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I的簡(jiǎn)單介紹

（異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介紹一款4Mbit異步低功耗國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。

2021-09-22 15:48:25

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國(guó)產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片的詳細(xì)介紹

靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車和軍事應(yīng)用。快速SRAM是諸如交換機(jī)和路由器，IP電話，測(cè)試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

2021-10-11 16:33:11

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剖析STM32F103讀寫W25Q64

可說的。關(guān)于FATFS的移植下一篇文章介紹。本篇文章主要介紹W25Q64和驅(qū)動(dòng)函數(shù)。W25Q64容量是64Mbit的flash，64Mbit = 8MByte。其內(nèi)部組織關(guān)系如下：W25Q64內(nèi)部分為128個(gè)塊(Block)，每個(gè)塊的大小是64K字節(jié)。計(jì)算方式： (81024)K/128 = 64K字

2021-12-02 11:21:39

富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證

2021-12-11 14:46:17

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偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲(chǔ)器。 ? 偉凌創(chuàng)芯4Mbit異步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit異步快速SRAM芯片，位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出

2021-12-21 15:49:53

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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM

快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器

2022-01-07 16:43:33

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高性能異步SRAM技術(shù)角度

當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...

2022-02-07 12:37:56

非易失性閃存內(nèi)存模塊VDRF64M16xS54xx1V90用戶手冊(cè)

VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。

2022-06-08 10:57:40

VDEE8M32xS64xx8V250用戶手冊(cè)

VDEE8M32XS64XX8V250是一種256K×32位電可擦除可編程CMOS ROM組織為兩組4Mbit（128k×32）。每個(gè)銀行都有32位接口，并通過特定的#歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)。所有其他信號(hào)

2022-06-07 15:51:25

SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開源設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開源設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載

2022-08-11 11:30:30

具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。

2022-08-26 15:35:44

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英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲(chǔ)器已開始批量供貨

【 2022 年 11 月 22 日，德國(guó)慕尼黑訊】近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON

2022-11-23 13:57:42

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1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

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首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

評(píng)論