***國際半導體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開幕，18吋晶圓成為市場焦點，臺積電營運副總經理王建光昨（4）日出席半導體展前記者會時表示，臺積電已做好導入18吋晶圓規劃，預計2018年量產，屆時導入的技術將以10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）制程為主。

　　共同出席的臺積電研發副總林本堅則指出，臺積電20奈米已快量產，16奈米FinFET制程開發依計劃進行，接下來的10奈米FinFET制程希望可以導入新一代的微影技術，除了極紫外光（EUV）方案外，多重電子束（Multi E-Beam）仍是臺積電的選項之一。

　　包括英特爾、臺積電、三星、IBM、格羅方德（GlobalFoundries）等全球5大半導體廠，今年初已決定共組全球18吋晶圓聯盟（G450C），王建光表示，今年是推動18吋晶圓元年，也是令半導體業者感到興奮的一年，G450C結合了全球半導體大廠的資源，將以最經濟也最有效率的方式，為18吋晶圓制定出新的標準，期望未來18吋晶圓導入量產后能「一槍中的」。

　　對臺積電來說，跨入18吋晶圓仍需要時間。王建光表示，2014～2015年時應可完成設備規格制定，預計2015年初，設備商就能提供測試設備（demo tools），而2016～2017年將開始建立試產生產線（pilot line），并建立起上下游的供應鏈，若一切順利，臺積電在2018年就能夠以18吋晶圓投入量產。

　　在微影技術部份，臺積電日前已決定加入微影設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）的「客戶聯合投資專案」，總投資金額高達11.14億歐元（約新臺幣407億元），包括取得ASML的5％股權，并加入極紫外光（EUV）及18吋晶圓設備的研發計畫。

　　林本堅表示，臺積電的技術藍圖有些變動，28奈米之后的20奈米已經接近量產，再接下去的16奈米，將是臺積電首度導入3D架構的FinFET電晶體制程，再進行微縮后就是10奈米FinFET。

　　林本堅表示，由于EUV技術尚未成熟，16奈米及10奈米仍然會用到浸潤式（immersion）的微影技術，10奈米以及之后的7奈米，則會導入新一代的微影技術，目前除了EUV之外，多重電子束也是考量的方向。

　　臺積電晶圓尺寸進程