最近幾個月出現出現兩例故障，充電器產品用了芯片STM32F051K8U6，都能正常工作一段時間，但用了幾個月后突然無法充電；
充電器的充電芯片STM32F051K8U6的第4引腳（NRST）一直處于
2024-03-21 07:04:09
請問STM32L051C8TX系列芯片RTC的外部供電引腳是哪個？我需要在斷電的情況下RTC能夠使用紐扣電池進行供電
2024-03-20 06:30:54
。首先，讓我們了解一下NY8A051G單片機。這款單片機是九齊科技基于8051核心架構開發的一款高性能、低功耗的微控制器。它擁有豐富的外設接口和強大的功能，適用于多種
2024-03-11 22:03:16
NY8A051H是IO型消費類低單價8bit九齊單片機，有6個IO口，1K ROM，帶一路PWM，內建LVR。最簡單的IO型低單價單片機。可以兼容遠翔飛凌單片機，應廣單片機，晟矽微單片機，芯圣單片機
2023-12-21 18:53:26
最高48MHz。芯片有TSSOP20, QFN20兩種封裝類型。PY32L020 單片機集成I2C、SPI、USART 等通訊外設，1 路 12bit ADC，2 個 16bit 定時器，一個低功耗
2023-12-20 16:02:38
STM32單片機是由意法半導體公司（STMicroelectronics）推出的一種高性能、低功耗的微控制器。它具有豐富的外設功能和強大的處理能力，廣泛應用于各種嵌入式系統的開發中。 在STM32
2023-12-07 16:22:07
5125 九齊單片機 MCU芯片 NY8A051G SOP8 九齊芯片 內置晶振一、九齊單片機MCU芯片概述九齊單片機MCU芯片是一款適用于多種應用領域的芯片，其型號為NY8A051G SOP8，內置晶振
2023-11-27 21:49:31
九齊8位單片機NY8A054E型號MCU芯片一、概述九齊8位單片機NY8A054E是一款高性能、低成本的MCU芯片，采用CMOS工藝制造，具有豐富的外設和存儲器資源，適用于多種低功耗應用場景。該芯片
2023-11-27 21:41:28
NY8B062D九齊單片機是一款8位MCU微控制器芯片，具有高性能、低功耗、高集成度等特點，適用于各種嵌入式控制系統和智能設備。一、NY8B062D九齊單片機特點1.高性能：NY8B062D采用8位
2023-11-27 21:38:47
一、NY8B062M型號單片機NY8B062M是一款由臺灣九齊（Joystick）公司生產的8位AD單片機，具有高性能、低功耗、高集成度等特點。該單片機采用CMOS技術，內核采用8051微處理器
2023-11-27 21:34:18
九齊單片機NY8B072A SOP20 NY九齊單片機NY8B072A SOP20 NY是一款基于ARM Cortex-M0內核的微控制器，具有高性能、低功耗、高集成度等特點，適用于各種嵌入式應用場
2023-11-27 21:31:12
FT60F112A-RB是一款高性能、低功耗的8051單片機MCU，采用FMD輝芒微的SOP14封裝形式，內置256Byte Flash存儲器。該芯片具有豐富的外設和高速數
2023-11-27 21:15:51
FLASH單片機ES7P1793F8SF是一款非常實用的芯片，它具有8位處理器和閃存存儲器，可以快速、高效地處理數據和控制設備。它是一種低成本的解決方案，適用于許多嵌入式系統應用，如智能家居、工業
2023-11-27 20:58:46
在當今的電子世界中，單片機作為控制核心發揮著越來越重要的作用。其中，8位FLASH單片機HR7P169BFGSF憑借其高性能、大容量、高可靠性和易于編程等優點，廣泛用于智能家居、工業控制、消費電子等
2023-11-27 20:47:47
——HR7P169BFGSD。二、HR7P169BFGSD簡介HR7P169BFGSD是一款基于8051內核的8位FLASH單片機，具有高性能、高速度、低功耗等特點。它內置了
2023-11-27 20:45:04
8位FLASH單片機HR7P169BFGNF是一款高性能、低成本的嵌入式系統芯片，采用CMOS工藝，具有豐富的外設和存儲器資源，適用于多種應用場景。下面將從以下幾個方面介紹該芯片的特點和優勢。一
2023-11-27 20:36:19
一、概述九齊單片機NY8B062F是一種多功能8位單片機，采用先進的CMOS工藝，具有低功耗、高速度、高可靠性等特點。芯片內置豐富的外設和存儲器資源，包括8位CPU、時鐘發生器、PWM模塊、I/O
2023-11-27 18:34:21
51單片機寄存器定義的頭文件 sbit sound=P3^7; //將sound位定義為P3.7引腳
/ 函數功能：主函數
/ void main(void)
{
// EA=1; //開總中斷
2023-11-21 12:00:50
請問一下大家，STM8L051在wait mode低功耗的模式下，RTC是否可以正常工作，我現在用中斷喚醒休眠，但是RTC無法正常工作？（RTC時鐘用的HSI時鐘。）
2023-11-08 06:21:17
低功耗單片機，怎么仿真
2023-10-20 06:32:01
MCU，價格堪比八位單片機，性價比極高。
PY32F002B有還有著 Sleep/Stop 兩種低功耗模，支持上電/掉電復位 (POR/PDR)，掉電檢測復位 (BOR)。多個定時器：1 個 16 位
2023-10-19 14:55:34
本文檔描述了的功能、引腳、機械數據和訂購信息中密度STM8L15x器件（STM8L151Cx/Kx/Gx、STM8L152Cx/Kx具有16K字節或32K字節閃存密度的微控制器）。這些設備在
2023-10-10 08:25:55
STM8L051F3用什么軟件做開發？KEIL可以嗎？
2023-09-27 06:04:23
為什么STM32F446的引腳外設功能機制不能remap沒有引腳默認的第二功能這個說法呢？
2023-09-26 07:53:04
STC8 系列單片機是不需要外部晶振和外部復位的單片機，是以超強抗干擾/超低價/高速/低功耗為目標的 8051 單片機，在相同的工作頻率下，STC8 系列單片機比傳統的 8051 約快 12 倍
2023-09-26 07:36:13
PIC16(L)F18324/18344單片機具有模擬外設、獨立于內核的外設和通信外設，結合超低功耗（eXtreme Low Power，
XLP）技術，適合各種通用和低功耗應用。外設引腳選擇
2023-09-25 11:06:30
0 STC8H 系列單片機是不需要外部晶振和外部復位的單片機，是以超強抗干擾/超低價/高速/低功耗為目標的 8051 單片機，在相同的工作頻率下，STC8H 系列單片機比傳統的 8051 約快 12 倍
2023-09-19 06:54:35
描述HC18P23xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部8K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，512×8位的數據寄存器（RAM），6組雙向I/O口
2023-08-24 15:05:51
描述HC18P23xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部8K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，512×8位的數據寄存器（RAM），6組雙向I/O口
2023-08-24 14:51:24
描述HC16P122A1/B1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有2K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），2組雙向I
2023-08-23 17:48:43
描述HC16P122A1/B1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有2K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），2組雙向I
2023-08-23 17:28:33
HC88L051F4系列是芯圣低功耗FLASHMCU產品，集成1T8051內核，掉電模式功耗小于1μA。擁有16K的Flash內存以及1K+256Bytes的RAM。HC88L051F4系列擁有
2023-08-02 15:25:10705 
HC18P110A0/B0是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片 機，內部有1K*14位一次性編程ROM(OTP-ROM)，128*8位的數據寄存器（RAM），兩個雙 向I
2023-07-28 16:38:32
HC18P110A0/B0是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片 機，內部有1K*14位一次性編程ROM(OTP-ROM)，128*8位的數據寄存器（RAM），兩個雙 向I
2023-07-28 16:32:49
HC18P110A0/B0是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片 機，內部有1K*14位一次性編程ROM(OTP-ROM)，128*8位的數據寄存器（RAM），兩個雙 向I
2023-07-28 16:24:56
HC18P23xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部8K×16 位一次性編程ROM(OTP-ROM)，512×8位的數據寄存器（RAM），6組雙向I/O口，三個
2023-07-28 16:20:18
HC18P018A0是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內置大功率1A NMOS管3個，大電流可配置。同時集成充電管理功能，過溫保護。內部有1K×14位一次性編程
2023-07-28 16:16:36
HC89S003A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16KBytes FLASH 程序存儲器，256Bytes IRAM+768Bytes XRAM，最多
2023-07-28 15:59:16
HC89S003A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16KBytes FLASH 程序存儲器，256Bytes IRAM+768Bytes XRAM，最多
2023-07-28 15:51:11
HC89F0431A/0421A/0411A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內 部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 15:47:19
HC89F0431A/0421A/0411A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內 部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 15:43:46
HC89F0431A/0421A/0411A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內 部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 15:41:24
HC89F0431A/0421A/0411A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內 部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 15:36:55
HC89S103K6 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1K Bytes
2023-07-28 15:15:39
HC89S105A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部最多 64K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 15:11:21
HC89S105A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部最多 64K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 14:56:20
HC89S105A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部最多 64K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 14:53:17
HC89F3541/3531/3421 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部 有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:46:29
HC89F3541/3531/3421 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部 有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:43:13
HC89F3541/3531/3421 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部 有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:24:20
HC89F3541/3531/3421 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部 有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:19:57
HC89F3541/3531/3421 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部 有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM
2023-07-28 14:17:03
HC89F3650 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部最多 64K BytesFLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 2K Bytes
2023-07-28 14:02:00
HC88L051F4 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1024 Bytes
2023-07-28 10:25:54
HC88L051F4 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1024 Bytes
2023-07-28 10:15:10
HC89S003A/001A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16KBytes FLASH 程序存儲器，256Bytes IRAM+768Bytes
2023-07-28 10:04:05
HC89F0332/0322/0312 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 8K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 09:52:06
HC89F0332/0322/0312 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 8K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 09:45:19
HC89F0332/0322/0312 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 8K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 09:37:29
HC89F0541/0531 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-28 09:05:42
HC89F0541/0531 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:28:42
HC89F0541/0531 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:20:21
HC89F0541/0531 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:17:11
HC89F0541/0531 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1K
2023-07-27 16:01:33
HC89F30xC 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 15:30:26
HC89F30xC 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 15:18:00
HC89F30xC 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 14:49:39
HC89F30xC 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 512 Bytes
2023-07-27 14:42:27
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 14:25:00
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 14:21:51
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 14:18:22
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 14:13:43
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 14:00:25
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 13:41:49
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 13:36:51
HC89F3541B/3531B/3421B 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機， 內部有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes
2023-07-27 13:31:22
HC88T36x1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的增強型8位觸摸單片機，內部有64K Bytes FLASH程序存儲器，256 Bytes IRAM和2K Bytes XRAM，最多59個
2023-07-27 13:22:23
HC88T36x1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的增強型8位觸摸單片機，內部有64K Bytes FLASH程序存儲器，256 Bytes IRAM和2K Bytes XRAM，最多59個
2023-07-27 13:14:25
HC88T36x1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的增強型8位觸摸單片機，內部有64K Bytes FLASH程序存儲器，256 Bytes IRAM和2K Bytes XRAM，最多59個
2023-07-27 13:10:53
HC16P122A1/B1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有 2K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），2組雙向I
2023-07-26 15:54:01
HC18P015B0是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內有1K*14 位一次性可編程ROM（OTP-ROM），64×8位的數據存儲器（RAM），兩組雙向I/O口，2個8位定時器/ 計數器，5路PWM，多級LVD檢測。這款單片機可以廣泛應用于簡單控制和小家電等產品。
2023-07-26 15:36:14
HC18P015B0是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內有1K*14 位一次性可編程ROM（OTP-ROM），64×8位的數據存儲器（RAM），兩組雙向I/O口，2個8位定時器/ 計數器，5路PWM，多級LVD檢測。這款單片機可以廣泛應用于簡單控制和小家電等產品。
2023-07-26 15:18:51
HC18P13xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有4K×16 位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），4組雙向I/O口
2023-07-26 10:49:11
HC18P13xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有4K×16 位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），4組雙向I/O口
2023-07-26 10:37:39
HC89F3650是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的增強型8位單片機，內部最多64KBytesFLASH程序存儲器，256BytesIRAM和2KBytesXRAM，46/42個雙向
2023-07-26 09:34:330 HC88L051F4是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的增強型8位單片機，內部有16KBytesFLASH程序存儲器，256BytesIRAM和1024BytesXRAM，最多18個雙向
2023-07-26 09:25:410 APT32F1023H8S6（SSOP-24封裝）MCU是由愛普特微電子推出的基于平頭哥半導體RISC-V內核開發的32位高性能、低成本單片機，最近有個項目需要用到其超低功耗待機和RTC中斷喚醒功能
2023-06-26 05:09:10
描述HC16P122A1/B1是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有2K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），2組雙向I
2023-06-02 09:52:41
描述HC18P23xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部8K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，512×8位的數據寄存器（RAM），6組雙向I/O口
2023-06-02 09:41:07
描述HC18P13xL是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設計開發的8位高性能精簡指令單片機，內部有4K×16位一次性編程ROM(OTP-ROM)，256×8位的數據寄存器（RAM），4組雙向I/O口
2023-06-01 17:48:13
應用領域：
64KB Flash，主頻64MHz，單周期乘法器，高速通信接口，RTC等豐富的外設資源，主要用于消費電子、醫療健康、家用電器、測量儀器、工業控制等領域。CMS32L051系列MCU是中
2023-05-25 09:23:54
HC89F3541/3531/3421 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位觸摸單片機，內部
有 32K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM
2023-05-23 11:02:57581 
HC89S003A/001A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16K
Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes IRAM+768Bytes
2023-05-22 10:34:14774 
HC89S001P 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 12K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 256 Bytes
2023-05-19 15:59:37516 
HC88L051F4 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內部有 16K Bytes
FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 1024
2023-05-19 11:04:57381 
/stop 低功耗工作模式，可以滿足不同的低功耗應用。*附件：PY32F002B datasheet V0.4.pdf
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PY32F002B單片機特性：
**內核 **32 位ARM Cortex
2023-05-18 16:25:23
CMS79F623單片機為中微半導體自主8位RISC內核單片機，工作電壓1.8V~5.5V,提供4Kx16ROM、344x8 RAM、128x8 Pro EE、ADC、PWM、2路運算放大器, 1路
2023-03-28 09:23:02
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