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氮化鉀中小功率電源
- 電源(244066)
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充電樁中。 ? GaN 充電樁應用優勢多 ? 目前GaN的主要應用于消費電子充電器等小功率電源產品，部分工業級應用包括光伏微型逆變器、服務器電源等，這些功率一般在幾kW，不會太高。而電動汽車市場的爆發，讓GaN企業在尋求進入到汽車市場，以擴大GaN的
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3849大功率電源帶小功率設備有影響嗎
大功率電源帶小功率設備是否會產生影響是一個值得考慮和探討的問題。在本文中，將從電源帶來的電壓波動、能源浪費、設備性能影響等方面進行詳細分析。 首先，大功率電源供應小功率設備時，電壓波動是一個需要關注
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449氮化鎵芯片和硅芯片區別
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512相同功率氮化鎵充電器和普通充電器區別
相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關鍵的區別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術，其采用了氮化鎵半導體材料來提供電源。相比之下，普通充電器主要依賴于硅材料。這些區別使得氮化鎵充電器
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525氮化鎵mos管型號有哪些
氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
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362氮化鎵mos管驅動方法
氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優點，逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發揮氮化鎵MOS管的優勢，合理的驅動方法是至關重要的。本文將介紹氮化
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412氮化鎵功率器件結構和原理
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
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667氮化鎵技術的用處是什么
。 一、電子設備領域： 1.1 功率放大器：氮化鎵技術在功率放大器的應用中具有重要的意義。相比傳統的硅基功率放大器，氮化鎵功率放大器具有更高的功率密度、更高的效率和更寬的頻率范圍。因此，它們廣泛用于射頻通信、雷達、無線電和太赫
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302氮化鎵mos管驅動芯片有哪些
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532氮化鎵開關管的四個電極是什么
來了解一下氮化鎵開關管的基本結構。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導體材料組成，這些材料具有優異的電特性，能夠實現高電壓、高頻率和高功率的開關操作。而四個電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開關管的控制電極，通過
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356氮化鎵功率器件電壓650V限制原因
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較高的擊穿電場強度，但在制備器件時，仍然存在一定
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275Transphorm攜手Allegro MicroSystems提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能
專為大功率應用而設計的隔離式柵極驅動器，有助于加速氮化鎵半導體在數據中心、可再生能源和電動汽車領域的應用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領先的氮化鎵（GaN
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179車規氮化鎵功率模塊
建立合作關系，攜手研發車規氮化鎵（GaN）功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯系，此次進一步合作的目標是共同開發GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。
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170什么是氮化鎵合封芯片科普，氮化鎵合封芯片的應用范圍和優點
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
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350氮化鎵激光芯片用途
氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優點，被廣泛應用于通信、醫療、工業等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
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1100倍思氮化鎵充電器怎么樣
高效能：倍思氮化鎵充電器采用先進的氮化鎵功率器件，具有高開關頻率、高導通電阻等特性，使得電源的轉換效率更高，相比傳統的硅基電源，能夠實現更高的能效。 體積小，重量輕：由于倍思氮化鎵充電器的高開關頻率和高效率
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561氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類型
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720什么是氮化鎵 氮化鎵電源優缺點
鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為17
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822氮化鎵在低功率電動車中的應用
雖然氮化鎵（GaN）半導體在汽車應用中仍處于早期階段，它正迅速進入更高電壓領域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術正逐漸在汽車工業中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應用，它能應用于各種汽車系統。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預計，它會對汽車工業產生顯著影響。
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1666氮化鎵帶來電源管理變革的3大原因
作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。
氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率
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386氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計
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氮化鎵第三代半導體材料，在消費電源市場得到廣泛應用
隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內置驅動器的GaN功率芯片以及內置控制器、驅動器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發展最快
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655氮化鎵推動電源解決方案
隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而在這些設備中，電源是一個非常重要的部件。近年來，氮化鎵（GaN）材料在電源領域的應用逐漸受到關注，成為推動新型電源解決方案的重要力量。
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不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
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544氮化鎵功率器件測試方案
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
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分析氮化鎵芯片的特點
作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
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大功率器件氮化鎵芯片系列產品KT65C1R070D、KT65C1R120D
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，Keep Tops產品將高性能、高可靠性電流控制
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如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
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247氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優缺點
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285ST數字電源指南
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
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功率器件在工業應用中的解決方案
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小功率DC/DC轉換器的優勢和拓撲結構
經過五十多年的歷史發展，在電子電路中將直流電壓轉換成另一種直流電壓顯示，其復雜性不斷提高，現代設計的功率密度高到令人難以置信的同時還要提升效率以保持小功率。RECOM 現有許多創新設計，在小封裝的低功率轉換器上應用了大功率電源的設計技術。
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氮化鎵電源方案功率通常達到65W、100W、120W等，氮化鎵功率器件生產商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設計3C+2A多口輸出。英諾賽科INN650D260A氮化
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在復雜的電子系統中電源帶來的嚴重問題：即EMI，通常簡稱為噪聲。電源會產生EMI，需要加以解決，這樣才能提高電子產品的性能和質量。本文我們通過案例，分享EMI整改的解決思路。【應用】小家電/燈具
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523氮化鎵電源發熱嚴重嗎 氮化鎵電源優缺點
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生活中需要一臺小功率電源裝置，以備在停電或戶外旅行等應用場合應急使用。小功率電源（戶外電源）架構包括了光伏發電、電池充電管理、USB/Type-C充電接口、逆變單元等部分。
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一種大功率可調開關電源的設計方案
作為線性穩壓電源的替代方案，開關電源在使用和實現方面變得越來越復雜。集成技術推動電子設備變得更小、更智能。新的電子設備需要更小尺寸和更低噪聲干擾的開關電源，以實現集成和集成。對于中小功率開關電源
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有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念
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密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。。 德州儀器 GaN 產品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密度和提高多種應用
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7122GaN功率集成電路在關鍵應用中的系統級影響
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
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什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
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為什么氮化鎵比硅更好？
超低的電阻和電容，開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關頻率，已經從 65-100kHz，提高到
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氮化鎵: 歷史與未來
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為什么氮化鎵(GaN)很重要？
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
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什么是氮化鎵（GaN）？
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
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氮化鎵功率芯片如何在高頻下實現更高的效率？
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優勢
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
誰發明了氮化鎵功率芯片？
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
什么是氮化鎵功率芯片？
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
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20個小功率LED燈珠恒流驅動電路圖
電子燈箱中用連體小功率紅色LED燈珠，這種燈珠一串為20個，單個燈珠的工作電流在15～20mA。如果想點亮一串20個LED燈珠，可以使用阻容降壓電路來驅動。
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氮化鎵在射頻領域的優勢盤點
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41758
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65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領域的廣泛應用，氮化鎵功率器件已經成為了消費電子領域的新寵，應用范圍也越來越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優異的性能和良好的熱特性，被廣泛應用于充電器、電源適配器
2023-04-21 11:00:201613
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PD/QC快充電源芯片U6649啟動快功耗低簡析
輸出功率達27W的PD/QC快充電源芯片U6649，提供SOP-8無鉛封裝。是應用于中小功率反激式開關電源的高性能電流模式PWM功率轉換器。
2023-04-21 09:57:461250
1250氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 ? 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 ? 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種
2023-04-19 17:23:01934
934氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
來源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN
2023-04-19 16:30:00224
224如何成功設計超寬輸入小功率反激式轉換器
該小功率反激式參考設計需要具備兩路輸出。一個輸出軌提供微控制器與模擬電路（電流為15mA時電壓為5.0V）；另一個輸出軌則在電流為40mA時提供12.0V的電壓以控制繼電器。因為輸入和兩路輸出需要2.5kV的隔離電壓，所以筆者首先想到了結構簡單、廣為人知的反激式轉換器。
2023-04-17 10:29:14521
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合封氮化鎵芯片是什么
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327
1327東方閃光10nW～30W激光功率計
一、簡述： 通用型激光功率計，適合中小功率的( 10nW to 30mW ——光譜范圍:250nm-1800nm ——光纖適配器：SMA, FC/PC（選項） ——適合小功率連續激光器，不適合脈沖
2023-04-11 07:37:45298
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PD快充ic U6649滿足輸出功率達27W
是應用于中小功率反激式開關電源的高性能電流模式PWM功率轉換器。超寬VDD工作電壓范圍，內置高壓功率MOS，滿足輸出功率達27W的PD快充電源應用。U664927WP
2023-03-30 15:11:32509
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納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩定、成本更優的氮化鎵功率芯片
在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021193
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納微半導體發布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片，引領氮化鎵邁入集成新高度
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成， 實現易用、高效、可快速充電的電源系統 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723
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小功率同步電機介紹
本節介紹小功率同步電機的基本概念本節介紹永磁式、磁阻式、磁滯式同步電機的結構、原理、機械特性、優缺點本節介紹電磁減速同步電機的結構、原理文章
主要作為發電機運行（絕大部分電都是由同步發電機發出來
2023-03-28 09:58:04
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工商網監
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