第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問(wèn)題分析：系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定
2016-12-21 11:39:07
這是MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓，請(qǐng)大神指點(diǎn)，其中的高電平電壓波動(dòng)原因是什么？
2022-05-24 09:32:29
MOSFET在快速關(guān)短過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電壓VGS會(huì)在米勒電平處震蕩很厲害？請(qǐng)問(wèn)有解決措施嗎？
2018-04-19 21:17:29
電流ID。當(dāng)VGS增加到一定值時(shí)，其感應(yīng)的負(fù)電荷把兩個(gè)分離的N區(qū)溝通形成N溝道，這個(gè)臨界電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓（或稱(chēng)稱(chēng)為轉(zhuǎn)換特性。因此在一定范圍內(nèi)可以認(rèn)為，改變VGS來(lái)控制漏源之間的電阻，達(dá)到控制ID的作用
2020-07-06 11:28:15
，幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)特性的溫度依存性。圖3: 開(kāi)關(guān)溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th)(界限値)關(guān)于MOSFET的VGS(th)MOSFET開(kāi)啟時(shí)，GS (柵極、源極) 間需要的電壓稱(chēng)為VGS(th
2019-04-10 06:20:15
如題。請(qǐng)問(wèn)一下，MOSFET的手冊(cè)里面哪個(gè)參數(shù)能看的出來(lái)，當(dāng)其作為開(kāi)關(guān)管，完全打開(kāi)的時(shí)候，Vgs的電壓？同事跟我講，默認(rèn)12V大多數(shù)都可以完全打開(kāi)(NMOS)。低于12V就有點(diǎn)懸，MOS打開(kāi)不完全
2020-11-11 21:37:41
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，使用與源極接VCC
2016-11-24 15:27:49
了MOSFET結(jié)電容隨電壓的變化狀況。圖2由于Q=C*U*t為了方便計(jì)算MOSFET所需的驅(qū)動(dòng)功率以及開(kāi)關(guān)損耗，規(guī)格書(shū)中通常會(huì)給出MOSFET 的Q值。圖3中描述了MOSFET開(kāi)通的過(guò)程以及不同的Qg
2018-12-10 10:04:29
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
mosfet沒(méi)有上電時(shí)，mosfet驅(qū)動(dòng)電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動(dòng)電壓卻變成了這個(gè)樣子，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
第四部第四講講解mosfet的開(kāi)關(guān)過(guò)程，當(dāng)Vgs大于開(kāi)啟電壓時(shí)，Id與Vgs逐漸增大。當(dāng)Id增大至所需最大電流時(shí)，平臺(tái)電壓形成，Vgs與Id成比例(未完全導(dǎo)通)。當(dāng)mosfet完全導(dǎo)通時(shí)，Vgs
2018-10-24 14:55:15
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項(xiàng)目最初旨在為驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)的半橋開(kāi)啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計(jì)與柵極驅(qū)動(dòng)器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
的平臺(tái)，給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹如上圖，NMOS管是壓控型器件，Vgs電壓大于Vth開(kāi)啟電壓時(shí)，內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通，Vgs電壓小于Vth開(kāi)啟電壓時(shí)，...
2021-07-21 06:42:25
最近做的項(xiàng)目比較急，當(dāng)時(shí)選件的時(shí)候沒(méi)有注意到AD7606輸入是單端的問(wèn)題，現(xiàn)在板子已經(jīng)做好，而輸入是差分的，所以我想將AD7606換成AD7609來(lái)替代，
問(wèn)題1:AD7609能滿足差分輸入嗎？單端輸入的部分輸入負(fù)端接地就可以了嗎？
問(wèn)題2.替換的話，還需要硬件或軟件調(diào)整嗎?
2023-12-13 06:08:15
就可以獲取到ADC數(shù)據(jù)了嗎？程序如下：發(fā)送命令為0x21，請(qǐng)問(wèn)是否還需要進(jìn)行其他的配置，只需要重復(fù)調(diào)用此函數(shù)應(yīng)該可以獲取到ADC數(shù)據(jù)了，目前采集不到ADC的數(shù)據(jù)，請(qǐng)大神技術(shù)支持一下！附件P70213-202514.jpg188.8 KB
2018-08-16 07:08:27
AD9220在用FPGA控制時(shí)是不是可以直接用PLL產(chǎn)生的10M時(shí)鐘就可以？我使用內(nèi)部參考2.5V，將輸入端與地短接時(shí)，輸出的數(shù)據(jù)是0B80跟0380（13位位OTR位），輸入一固定的電壓值時(shí)輸出的數(shù)據(jù)也不是固定的值，而且數(shù)據(jù)差別很大。這是怎么回事？
2023-12-21 07:12:17
再請(qǐng)問(wèn)大家一下，CYT2B7使用SDL庫(kù)，設(shè)置GPIO時(shí)只用設(shè)置outVal/driveMode/hsiom就可以了嗎
還有怎么讀取GPIO引腳電平，要用哪個(gè)函數(shù)來(lái)讀取，
還有就是，是否能單獨(dú)
2024-02-02 07:02:41
OrCAD17.4 的DSN設(shè)計(jì)差異對(duì)比功能。 選擇Tools--Compare Designs就可以開(kāi)啟DSN設(shè)計(jì)差異對(duì)比的功能。為了讓小伙伴更加容易的理解，這里現(xiàn)在兩個(gè)DSN文件進(jìn)行對(duì)比說(shuō)明
2020-07-06 15:02:58
DMA配置成DMA_Mode_Normal模式，開(kāi)啟傳輸完成中斷，在中斷函數(shù)中再次開(kāi)啟DMA怎么配置？直接調(diào)用"DMA_Cmd(DMA1_Channel4, ENABLE)"函數(shù)就可以了嗎？
2015-07-21 21:43:12
IO的電平難道不是由對(duì)應(yīng)bank電源引腳的輸入電壓決定的嗎？在硬件上已經(jīng)把bank0的電源連接到3.3V了，通過(guò)sysctl_set_power_mode似乎不能把某個(gè)引腳設(shè)定到1.8V，請(qǐng)問(wèn)是這個(gè)函數(shù)作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
的VGS（ON）閾值，源電壓開(kāi)始跟隨柵極電壓向地面傾斜。即使實(shí)際上源電壓等于0V，柵極繼續(xù)斜坡到零，從而關(guān)閉電源設(shè)備。這個(gè)在某些應(yīng)用中，逐漸關(guān)斷特性（而不是柵極驅(qū)動(dòng)的突然復(fù)位）可以最小化MOSFET中
2020-07-14 14:53:05
MOS管驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少？過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門(mén)限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會(huì)形成，MOS管才會(huì)
2021-11-12 08:18:19
通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合
2011-11-07 15:56:56
和 管子 導(dǎo)通的關(guān)系 理解如下，不知 是否正確，還請(qǐng)前輩、大俠 指點(diǎn)（輕拍）：1. 當(dāng)VGS(th)≥4.1V時(shí)，所有的此規(guī)格的MOSFET均導(dǎo)通 ；2. 當(dāng)2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻。 不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門(mén)極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。 SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
本帖最后由 QWE4562009 于 2021-9-15 14:48 編輯
TVS管選型計(jì)算，TVS元件的耗散功率大于按這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的波形功率就可以？這里測(cè)試波形的功率計(jì)算，沒(méi)看懂
2021-09-15 14:04:00
會(huì)寫(xiě)FPGA 驅(qū)動(dòng)或者DSP驅(qū)動(dòng)或者邏輯，熟悉FPGA 的就可以，有意者聯(lián)系哦~qq：462551726或1927458596
2015-06-01 11:11:28
is memory-mapped感覺(jué)CPU不能直接從L1P中取指，那么實(shí)際使用時(shí)我應(yīng)該怎么處理，使用時(shí)只需要在定義CMD文件的時(shí)候，指定固定代碼在L1P SRAM對(duì)應(yīng)的地址就可以了嗎？還是需要其他使用方法？謝謝！
2019-01-18 13:30:52
1.mos管漏源極電壓只要是不超過(guò)最大值就可以導(dǎo)通對(duì)應(yīng)的電壓嗎？2.mos驅(qū)動(dòng)芯片如IR2110，其供電的VCC電壓只要不超過(guò)手冊(cè)的最大值且大于最小值就可以隨意取嗎?
2021-04-06 20:34:12
想問(wèn)，本來(lái)打算用STM32IO口驅(qū)動(dòng)光耦，然后光耦輸出端集電極接電壓，控制PMOS管導(dǎo)通。但是發(fā)現(xiàn)很多光耦，都有（需要）10-20V的電源電壓。光耦不是電流驅(qū)動(dòng)就行了嗎。電流如果在其導(dǎo)通發(fā)光二極管范圍內(nèi)，是不是就可以導(dǎo)通，不必看電壓大小了。
2018-05-08 09:52:29
解碼8位數(shù)碼管顯示，按一次得到兩組數(shù)據(jù)，xx xx xx xxxx xx xx xx 然后發(fā)送這組數(shù)據(jù)就可以控制空調(diào)，是這樣子的嗎？
2015-01-02 17:29:24
請(qǐng)教牛人： 我要對(duì)N76E003進(jìn)行ISP更新程序時(shí)，利用n76e003的串口和電腦的串口進(jìn)行通訊時(shí)，只要RXD，TXD兩根線通訊就可以了嗎？還要不要N76E003的第三個(gè)IO口，或者RST復(fù)位端口？我記得有的芯片，利用串口ISP更新程序，需要第三個(gè)IO口設(shè)置電平識(shí)別的。
2023-06-16 06:09:37
大于B管，因此選取的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗占較大比例時(shí)，需要優(yōu)先考慮米勒電容Crss的值。整體開(kāi)關(guān)損耗為開(kāi)通及關(guān)斷的開(kāi)關(guān)損耗之和：從上面的分析可以得到以下結(jié)論：（1）減小驅(qū)動(dòng)電阻可以減小線性區(qū)持續(xù)的時(shí)間
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過(guò)基于功率MOSFET的漏極特性理解其開(kāi)關(guān)過(guò)程，也討論過(guò)開(kāi)關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動(dòng)器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識(shí)，就可以估算功率MOSFET在開(kāi)關(guān)
2017-02-24 15:05:54
）中，對(duì)G極恒流驅(qū)動(dòng)充電的恒流源IG由測(cè)量?jī)x器內(nèi)部自帶的恒流源提供，而ID由分立元件構(gòu)成恒流源，其工作原理非常簡(jiǎn)單：就是利用功率MOSFET的工作于線性區(qū)的放大特性，調(diào)節(jié)G極的電壓就可以調(diào)節(jié)電流的大小
2017-01-13 15:14:07
，如圖2所示。反之，關(guān)斷時(shí)，電流從最大值線性地下降到0的同時(shí)，電壓也線性地從0增加到0最大值。圖2：阻性開(kāi)通時(shí)電流、電壓波形基于上述的波形，在電流和電壓重疊的時(shí)間區(qū)域內(nèi)對(duì)其積分，就可以計(jì)算阻性開(kāi)通
2016-12-16 16:53:16
各位好，有沒(méi)有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
如圖，VB接到10~20V,當(dāng)內(nèi)部信號(hào)拉高HO，HO的電壓等于VB的電壓，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此時(shí)MOSFET導(dǎo)通，VS的電壓等于HV.HV是高電壓，我們?cè)O(shè)定為30V.這
2020-12-27 16:55:32
關(guān)于 增強(qiáng)型PMOS管開(kāi)啟電壓Vgs疑問(wèn) 有以下三個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)教各位大神：1、如下圖：增強(qiáng)型PMOS管G極接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S極電壓高于0v（至少零點(diǎn)幾伏）的時(shí)候才能導(dǎo)通，可是下圖
2017-11-22 10:01:58
Vgs（th）相等，并且Id變?yōu)榱銜r(shí)，這個(gè)階段即結(jié)束。這個(gè)階段結(jié)束后，MOSFET將完全關(guān)斷。 階段4 [t=t4] ,柵極驅(qū)動(dòng)對(duì)Cgs持續(xù)放電，直至Vgs電壓水平變?yōu)榱恪?B.傳統(tǒng)的TO247封裝
2018-10-08 15:19:33
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以輸出14V，那么當(dāng)外接MOS管輸入電壓是24V是，這個(gè)MOS管的VGS能達(dá)到開(kāi)啟的狀態(tài)碼？如果不開(kāi)啟，那怎么實(shí)現(xiàn)大電流的控制呢？
2019-04-03 08:48:56
電壓等于0的時(shí)候，漏極電流是等于0.其中JFET中柵級(jí)與襯底之間的PN結(jié)工作在反偏，當(dāng)所有的討論都是基于源級(jí)接地的電路時(shí)，當(dāng)耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時(shí)，電流怎么變化，兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
請(qǐng)問(wèn)各位高手.新買(mǎi)的 ARM芯片是不是直接安裝上去就可以直接下載程序工作了了嗎, 還需要有什么別的設(shè)置嗎.
2023-04-19 16:54:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
霧化片的電壓難道不是分解水的嗎？讓水變成小小的顆粒？崩潰,誰(shuí)告訴我霧化片的電壓到底是做什么用的
2012-12-04 16:11:37
用其作為放大區(qū)域使用（類(lèi)比BJT的放大去）。MOSFET的變阻區(qū)相當(dāng)于一個(gè)受Vgs控制的變阻器，當(dāng)Vgs增大時(shí)溝道電阻變小。通常功率 MOSFET 的 Rds可以降到非常之小，以便流過(guò)較大的電流。利用 MOSFET截止區(qū)和變阻區(qū)的特性，就可以將 MOSFET 應(yīng)用于 邏輯或功率開(kāi)關(guān)。`
2020-03-09 15:36:41
工程師習(xí)慣性的認(rèn)為：如果VGS尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓VTH，下管就會(huì)導(dǎo)通，那么上、下管就會(huì)產(chǎn)生直通，也就是所謂的Shoot Through，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管的損壞。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14:57
，即MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)為負(fù)溫度系數(shù)，可以將這個(gè)區(qū)域稱(chēng)為導(dǎo)通電阻RDS(ON)的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域。 圖2：MOSFET轉(zhuǎn)移特性而在VGS-ZTC電壓的右上部分曲線，如圖2的A點(diǎn)區(qū)，VGS
2016-09-26 15:28:01
，而且Crss電壓也正向增加到米勒平臺(tái)電壓。從圖3可以看到，在米勒平臺(tái)區(qū)，VGS電壓不是絕對(duì)的保持不變，而是應(yīng)該有非常小、非常小的上升幅度，這樣的幅度可以忽略，因此基本上認(rèn)定其電壓保持不變，MOSFET在
2016-11-29 14:36:06
MOSFET工作也可以工作在飽和區(qū)，即放大區(qū)恒流狀態(tài)，此時(shí)，電流受到溝道內(nèi)電子數(shù)量的限制，改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區(qū)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作可變電阻區(qū)，此時(shí)，VGS驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)的的放大恒流狀態(tài)
2016-08-15 14:31:59
MOSFET的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓Vgs可以判斷MOSFET中的電流大小。圖5中Vgs峰值為9.1V，圖6中Vgs峰值為6.4V，所以增加電容使得峰值電流減小。Id也可從MOSFET的轉(zhuǎn)移特性圖中獲得。&
2009-12-03 17:25:55
可以用ID=IDSS (1-VGS/VP)^2來(lái)表示。通過(guò)使用這個(gè)表達(dá)式，可以找到Vgs的ID值。3、P溝道耗盡型MOSFET的漏極特性P溝道耗盡型MOSFET的漏極特性如下圖所示。這里VDS電壓為負(fù)
2022-09-13 08:00:00
請(qǐng)給一個(gè)430驅(qū)動(dòng)蜂鳴器的程序，只用讓它叫就可以了！！！！！！！！！
2014-11-25 10:46:51
boot_image_file_name.bin -boot -v5505 -b -serial8，將OUT文件轉(zhuǎn)化為BIN文件后，是不是直接燒錄到flash中就可以了？還是需要自己再寫(xiě)跳轉(zhuǎn)程序？
2019-10-24 09:11:19
AD5663為啥需要一直寫(xiě)入才能輸出電壓？正常芯片不是只配置一兩次就可以穩(wěn)定輸出電壓了嗎？
2019-03-04 11:09:44
AD9220在用FPGA控制時(shí)是不是可以直接用PLL產(chǎn)生的10M時(shí)鐘就可以？我使用內(nèi)部參考2.5V，將輸入端與地短接時(shí)，輸出的數(shù)據(jù)是0B80跟0380（13位位OTR位），輸入一固定的電壓值時(shí)輸出的數(shù)據(jù)也不是固定的值，而且數(shù)據(jù)差別很大。這是怎么回事？
2018-12-12 09:10:54
您好，請(qǐng)問(wèn)ADE7953連接羅氏線圈時(shí)，電流通道只用低通濾波就可以了嗎？是否還需要其它硬件？軟件配置時(shí)，是否只開(kāi)啟數(shù)字濾波器就可以了？我現(xiàn)在開(kāi)啟數(shù)字濾波器后，外部不加電流情況下，輸出總數(shù)在跳動(dòng)，不能得到一個(gè)穩(wěn)定的值，麻煩哪位給點(diǎn)意見(jiàn)，謝謝！
2023-12-25 07:44:00
在網(wǎng)上搜了一下都說(shuō)RS232只能點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通訊。為什么呢，是什么決定了它只能點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通訊，為什么不能像485那樣給從機(jī)設(shè)上地址，不讓從機(jī)主動(dòng)發(fā)消息不就可以實(shí)現(xiàn)了一主多從了嗎？
2019-01-14 20:30:11
有個(gè)問(wèn)題想要請(qǐng)教，一塊板子一方面USB轉(zhuǎn)串口連接電腦，另一方面通過(guò)手機(jī)充電器供電，充電器的5v電源線可以直接和USB的5v線接在一起嗎，是不是只需要共地就可以了
2019-04-04 06:36:46
理論上講把如果設(shè)為混雜模式的話，同一個(gè)頻道的設(shè)備都可以通信，是不是使用MAC_MlmeSetReq（）講混雜模式的字段設(shè)置為T(mén)RUE就可以了。但是為什么沒(méi)有效果？是接收的時(shí)候需要特殊處理么？還是zigbee不支持混雜模式？
2018-08-13 06:02:05
北斗導(dǎo)航模塊已經(jīng)選好型號(hào)，天線采用有源陶瓷天線，是天線直接連到北斗模塊的RF_IN就可以了嗎？
2019-07-22 04:14:30
-1.3V，設(shè)置 VGS=-1.6V，電壓絕對(duì)值大于 -1.3V，是否該 MOSFET 正常導(dǎo)通，應(yīng)該沒(méi)有問(wèn)題吧？現(xiàn)在損耗并不是考慮的問(wèn)題，0.03V 的 RDS(on) 的壓降對(duì)系統(tǒng)沒(méi)有任何影響。原來(lái)
2020-03-24 07:00:00
自移動(dòng)4G試商用以來(lái)，4G速率高成為毫無(wú)爭(zhēng)議。來(lái)自各種宣傳的說(shuō)法，杭州TDD-LTE實(shí)測(cè)最高速率達(dá)到100Mbps，遠(yuǎn)超于現(xiàn)有固網(wǎng)寬帶速率。有了4G，我們是不是就可以砍掉固網(wǎng)了？
2013-02-20 10:56:14
1052 壓降的MOSFET。羅恩可以進(jìn)一步降低通過(guò)選擇一個(gè)較低的電壓齊納，但是，要知道的柵極電流。尺寸R1這樣產(chǎn)生的VGS不會(huì)導(dǎo)致柵極電流大于5A.較大負(fù)荷會(huì)降
2017-04-11 14:45:17
6 導(dǎo)電溝道剛剛形成的時(shí)候那個(gè)正偏電壓Vgs，稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Vgs（th）（或稱(chēng)為“閾值電壓”）；Vgs大于Vgs（th）的這一段電壓區(qū)間，稱(chēng)為可變電阻區(qū)，MOS管漏極D到源極S的導(dǎo)通阻抗隨Vgs增大而降
2018-05-08 16:01:5313527 
柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因?yàn)槿?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓（VGS-TH）時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通。
2020-01-29 14:18:0019390 
如何閱讀代碼還要單獨(dú)寫(xiě)一篇文章？難道不是隨便用一個(gè)IDE就可以了嗎？回到上一篇文章里介紹的那個(gè)問(wèn)題，需要修改uboot里board_mmc_init函數(shù)里的writel(0x66666666,REG_MFP_GPD_L) ，對(duì)于初學(xué)者如何在uboot代碼里找到這句話呢？當(dāng)時(shí)問(wèn)我這個(gè)問(wèn)題的網(wǎng)友就有這個(gè)困惑。
2020-02-22 14:43:034255 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何讓STC單片機(jī)接上電就可以開(kāi)始工作.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-26 23:48:0010 最近網(wǎng)上比較火的一個(gè)偽科學(xué)視頻，說(shuō)電動(dòng)車(chē)跑不遠(yuǎn)的話，顛倒下電池的位置就可以跑遠(yuǎn)，有部分網(wǎng)上問(wèn)是不是真的。本來(lái)覺(jué)得大家都知道就沒(méi)有回答，但問(wèn)的多了，今天咱們就說(shuō)說(shuō)，稍微懂點(diǎn)原理動(dòng)動(dòng)腦筋思考一下
2021-01-13 11:00:265322 MOS管驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少？過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為：du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門(mén)限（Vth）的剩余電壓大小。1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會(huì)形成，MOS管才會(huì)
2021-11-07 13:21:0319 MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 繼上一篇MOSFET的開(kāi)關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
功率MOSFET在開(kāi)通的過(guò)程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS
2023-02-16 10:45:04908 
3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開(kāi)啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V～20V時(shí)才能完全開(kāi)通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)
2023-02-27 14:41:099 為什么可以認(rèn)為Vgs電壓是不變的？ Vgs電壓，也就是場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的柵源電壓，在某些情況下可以被認(rèn)為是恒定的。這是因?yàn)樵贔ET工作的過(guò)程中，柵電極和源極之間沒(méi)有導(dǎo)電材料。這意味著，當(dāng)FET
2023-09-20 17:05:451405 了解這些就可以搞懂 IGBT
2023-11-24 15:47:29296 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門(mén)極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論