意法半導體（ST）推出先進單晶片數位動作控制器，為工業自動化和醫藥制造商實現更安靜、更精巧、更輕盈、更簡單且更高效的精密動作和定位系統。 意法半導體已與主要客戶合作將
2012-11-20 08:45:08
1799 引言 近年來，隨著集成電路的微細化，半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變為“單張式”的晶片一次清洗的方式。在半導體的制造中，各工序之間進行晶片的清洗，清洗工序
2021-12-23 16:43:041104 
關鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導體 引言 半導體器件的制造是從半導體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀 前到現在為止與粒子等雜質的戰斗。半個世紀初，人們已經了 解了什么樣的雜質會給半導體器件帶來什么樣
2021-12-29 10:38:322176 
本發明涉及一種半導體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預定濃度的EDTA等絡合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質。
2022-04-08 13:59:221755 
以及實際上能夠接合任何種類的晶片材料。粘合晶片鍵合不需要特殊的晶片表面處理或平面化步驟。晶片表面的結構和顆粒可以被容忍，并通過粘合材料得到一定程度的補償。也可以用選擇性粘合晶片鍵合來局部鍵合光刻預定的晶片區域。粘合晶片鍵合可應用于先進微電子和微機電系統(MEMS)的制造、集成和封裝。
2022-04-26 14:07:043113 
本發明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預清洗晶片，在使用硅晶片制造半導體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物和雜質，如外延硅沉積或氧化物層生長，去除污染物
2022-06-29 17:06:563373 
半導體制造業面臨的最大挑戰之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機顆粒污染物。由于強大的靜電力，這些污染物牢固地結合在硅晶片表面，給半導體制造行業帶來了許多令人頭痛的問題。
2022-07-08 17:18:503378 
半導體制造中需要的單晶（單晶）是原子的規則排列。有多晶（許多小的單晶）和非晶硅（無序結構）。根據晶格的取向，硅片具有不同的表面結構，從而影響電荷載流子遷移率或在濕化學中的行為等各種性質、硅的各向異性腐蝕。
2022-07-26 17:16:492866 
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用最重復的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
在當今的器件中，最小結構的尺寸接近于需要從晶片表面移除的粒子的尺寸。在不破壞脆弱設備的情況下，在工藝步驟之間去除納米顆粒的清洗過程的重要性正在不斷增長。兆波清洗可用于單晶片或批量晶片處理。
2023-05-02 16:32:11865 
本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在大氣中的灰塵等雜質粒子下。
2022-05-16 15:00:111067 
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來，雖然產率得以提高，但同時也制造一些工藝處理問題。特別在對硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
集成電路生產流程見下圖:[img][/img]整個流程分為六個部分：單晶硅片制造，IC設計，光罩制作，IC制造，IC測試和封裝。1.IC生產流程 [單晶硅片制造] 單晶硅片是用來制造IC的，單晶
2019-01-02 16:28:35
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依賴蝕刻的 GaN NW 制造工藝。這項工作的重點是改進自上而下的 GaN 納米線的制造方法，并為 SPE 的制造奠定了潛在的工藝。使用干法和濕法蝕刻的組合，現有
2021-07-08 13:11:24
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
在回流焊接過程中，使焊球有足夠的塌陷，讓最小的焊球亦能 接觸焊盤并焊接完好。但焊盤太大，會減小器件和阻焊膜之間的間隙，從而影響底部填充工藝。在設計時需要考 察供應商真正的制造能力。倒裝晶片焊盤
2018-11-27 10:47:46
的作用：1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄，改善芯片散熱效果。2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。氣相外延爐氣相外延是一種單晶薄層生長方法。是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構
2018-09-03 09:31:49
、劃片后清洗設備、硅片清洗腐蝕臺、晶圓濕法刻蝕機、濕臺、臺面腐蝕機、顯影機、晶片清洗機、爐前清洗機、硅片腐蝕機、全自動動清洗臺、兆聲波清洗機、片盒清洗設備、理片機、裝片機、工作臺、單晶圓通風柜、倒片器
2011-04-13 13:23:10
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
致密的聚合高分子保護膜，以起防蝕作用。 中央空調清洗過程五：加入緩蝕劑，避免金屬生銹，同時加入阻垢劑，通過綜合作用，防止鈣鎂離子結晶沉淀。并定期抽驗，監控水質。 中央空調清洗方法 中央空調清洗
2010-12-21 16:22:40
請問一下8寸 原子層沉積設備ALD，單晶片。國內設備大約在什么價位啊？
2023-06-16 11:12:27
晶片電阻器制造流程簡介
2009-11-13 17:23:30
24 綜述了半導體材料SiC拋光技術的發展,介紹了SiC單晶片CMP技術的研究現狀, 分析了CMP的原理和工藝參數對拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術和理論問題,并對其發展方
2010-10-21 15:51:210 單晶片PLL電路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的進入高集積化，以往需要２～３晶片之情形，現在只需單晶片之專用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222075 
清洗軸承的正確方法： 1、 在使用進口軸承的過程，定期清洗是非常重要的。如何正確清洗進口軸承？先將進口軸承拆下檢查時，先用攝影等方法做好外觀記錄。
2010-10-28 17:33:513508 新唐科技，宣布推出業界第一顆單晶片數位音訊 IC-- ChipCorder ISD2100，協助工業與消費性產品制造商以符合高經濟效益的方式
2011-07-04 09:06:10829 威信科電(WonderMedia)宣布整合威信科電 PRIZM WM8720 系統單晶片平臺的 Intel WiDi 產品于2012年美國消費電子展(CES)展出。其中包括英特爾將展示寶龍達制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 顯
2012-01-17 09:41:091396 電子發燒友網核心提示 ：Cypress推出PRoC-UI單晶片解決方案 結合2.4GHz、低功耗無線電及電容式觸控功能 Cypress宣佈推出新款整合無線電與觸控感測器電路的單晶片解決方案，能夠支援無線
2012-10-26 09:24:511406 Silicon Laboratories （芯科實驗室有限公司）宣佈推出數位相對濕度（RH）和溫度「單晶片感測器」解決方案。新型Si7005感測器透過在標準CMOS基礎上融合混合訊號IC製造技術，并採用經過驗證
2012-11-13 09:26:571023 TI的CC2430單晶片機的范例程式
非常實用的示例代碼
2015-12-29 15:43:281 淀積所檢測出的缺陷區域。由此，可以利用確實能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區域、OSF區域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區域的硅單晶晶片。 絕緣體上的單晶硅（SOI）材料的制造方法 本發明
2017-09-28 16:35:3018 聯發科技 24 日宣布推出曦力 P70（Helio P70）系統單晶片，其結合 CPU 與GPU的升級，實現了更強大的 AI 處理能力，預計將搶在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:083913 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶
2018-11-19 08:00:0024 供應則要增添純水制造設備。? 三種方法都用了超聲波清洗儀器。第一種是常規液體清洗方法，第二種是改進型含氟溶劑清洗方法，增添汽相清洗工藝，單純用超聲波清洗或單純用汽相清洗方法效果都不好。第三種是以純水溶劑取代含氟溶劑，符合世界限制和停止氟里昂生產和應用，大勢所趨，對環保有利。
2018-12-20 15:53:102107 同上，如果沒有符合要求的純水供應則要增添純水制造設備。? 綜上所述，三種方法共同利用超聲波清洗，這是不可缺少的。第一種為常規液體清洗方法，第二種為改進型含氟溶劑清洗方法，增添汽相清洗，單純用超聲波
2019-01-04 15:58:561487 首先估算清洗劑原液用量：方法一、根據冷凝器的換熱面積及結垢厚度×水垢比重算出垢的重量后×4就是清洗劑的用量；方法二、冷凝器的外形體積＋清洗管線容積后再÷4就是清洗劑的初始用量；
2019-08-14 14:05:1813690 對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。
2020-07-04 10:32:521862 該團隊展示了一種通用可行的基于激光熱效應的再結晶方法，可制造從微米到納米尺度直徑的超長SnSe單晶纖維。實驗證明SnSe單晶體，除常見的Pnma和Cmcm相外，存在穩定的單晶巖鹽Fm-3m相。
2020-09-01 10:53:322593 本發明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片
2020-12-29 14:45:211999 1月14日消息 盛美半導體官方發布，1 月 8 日，盛美半導體首臺應用于大功率半導體器件制造的新款 12 寸單晶圓薄片清洗設備已通過廈門士蘭集科量產要求，提前驗收！該設備于 2020
2021-01-14 16:12:501940 半導體單晶和薄膜制造技術說明。
2021-04-08 13:56:5138 通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導體材料單晶拋光片清洗工藝技術的研究 ， 分析得出了半導體材料單晶拋光片的清洗關鍵技術條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 在實際清洗處理中，常采用物理、或化學反應的方法去除;有機物主要來源于清洗容積、機械油、真空脂、人體油脂、光刻膠等方面，在實際清洗環節可采取雙氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相應半導體單晶拋光片
2021-06-20 14:12:151150 單晶片兆頻超聲波清洗機的聲音分布通過晶片清洗測試、視覺觀察、聲音測量和建模結果來表征。該清潔器由一個水平晶圓旋轉器和一個兆頻超聲波換能器/發射器組件組成。聲音通過液體彎月面從換能器組件傳輸到水平石英
2021-12-20 15:40:31776 
半導體行業需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。
2021-12-22 17:35:40724 
高效的硅片清洗需要最佳的工藝控制，以確保在不增加額外缺陷的情況下提高產品產量，同時提高生產率和盈利能力。 硅半導體器件是在高度拋光的晶片上制造的。晶圓上的劃痕和其他缺陷可能會影響最終產品的性能。因此
2022-01-05 17:36:58266 摘要 在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發半導體電子器件的首要
2022-01-18 16:08:131000 
引言 外延片或所謂的外延片是一種通過外延生長生產的材料，商業上可用于許多不同的電子應用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質晶片)制成。可用作襯底的“外延”晶片的選擇有限，例如
2022-01-19 11:12:221185 
近年來，隨著集成電路的微細化，半導體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變為“單張式”的晶片一次清洗的方式。在半導體的制造中，各工序之間進行晶片的清洗，清洗工序
2022-02-22 16:01:08904 
摘要 在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。在每一步中，晶片
2022-02-23 17:44:201426 摘要 該公司提供了一種用于清洗半導體晶片的方法和設備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137
2022-02-28 14:56:03927 
介紹 單晶片清洗工具正在成為半導體行業取代批量工具的新標準。事實上，它們成功地提高了清潔性能（工藝均勻性、缺陷率、產量）和工業方面的考慮（周期時間、DIW 消耗、環境）。 盡管如此，單晶圓/批量工具
2022-02-28 14:58:45314 
摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝，其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中，流體分配是至關重要的，它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸，結果表明在沖洗時間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07330 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環和供應用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:46521 
摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術:一種是傳統的濕法技術，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種
2022-03-04 15:03:502588 
在半導體器件的制造過程中，兆聲波已經被廣泛用于從硅晶片上去除污染物顆粒。在這個過程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460 
殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅，這些殘留物可以通過鋸切過程中產生的摩擦熱燒到晶片表面，為了去除這些殘留物，需要選擇正確的化學物質來補充所使用的設備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37320 
本文介紹了新興的全化學晶片清洗技術，研究它們提供更低的水和化學消耗的能力，提供了每種技術的工藝應用、清潔機制、工藝效益和考慮因素、環境、安全和健康(ESH)效益和考慮因素、技術狀態和供應商信息的可用信息。
2022-03-16 15:24:57308 
實驗研究了預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當的預清洗，表面污染會形成比未污染區域尺寸小的金字塔，導致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據供應商的不同，晶片的表面質量和污染水平可能會有所不同，預清洗條件可能需要定制，以達到一致和期望的紋理化結果。
2022-03-17 15:23:08501 本研究的目的是為高效半導體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點是清洗過程是在室溫和標準壓力下進行的，沒有特殊情況。盡管該方法與實際制造工藝相比，半導體公司的效率相對較低，但本研究可以提出在室溫
2022-03-21 15:33:52373 
。半導體清洗過程主要使用化學溶劑和超純水(deionized water)的濕清洗房間法以及等離子體、高壓氣溶膠(aerosol)和激光。在本文中，我將了解半導體設備制造過程變遷中晶片清洗過程的重要性和熱點問題，概述目前半導體設備制造企業使用的清洗技術和新一代清洗技術，并對每種方法進行比較考察。
2022-03-22 14:13:163579 
單片SPM系統使用了大量的化學物質，同時滿足28nm以下的清潔規格。 本文描述了在集成系統Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統和單晶片清洗，結果達到了技術規范，使用了不到單晶片系統中使用的80%的SPM化學物質。
2022-04-01 14:22:551155 
在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發半導體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。
2022-04-01 14:25:332948 
碳化硅(SiC)器件制造技術與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發展的領域很有意義。材料參數差異包括擴散系數、表面能和化學鍵強度，所有這些都可以在清潔關鍵表面方面
2022-04-07 14:46:595904 
噴涂工具、或單晶片旋轉工具。在批量浸漬工具中，與其他濕法加工工具相比，存在由水槽中晶片之間的顆粒轉移引起的交叉污染問題。批量旋轉噴涂工具用于在生產線后端(BEOL)進行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:32585 
雖然RCA濕式清洗工藝具有較高的清洗性能，但仍存在化學消耗量高、化學使用壽命短、設備大、化學廢物產生量大等問題。傳統的臭氧化水(DIO3)濕式清洗系統具有較高的有機污染物清洗效率，0.1?/min
2022-04-11 14:03:281672 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
法與添加臭氧的超純水相結合的新清洗法，與以往的方法相比，具有更好的清洗能力，在抑制自然氧化膜生成的同時，可以在短時間內完全除去晶片表面的有機物。
2022-04-13 15:25:211593 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
本發明公開了一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法,所公開的本發明的特點是:具備半導體晶片和含有預定清潔液的清潔組、對齊上述半導體晶片的平坦區域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57604 在半導體器件的制造過程中，由于需要去除被稱為硅晶片的硅襯底上納米級的異物（顆粒），1/3的制造過程被稱為清洗過程。在半導體器件中，通常進行RCA清潔，其中半導體器件以一批25個環（盒）為單位，依次
2022-04-20 16:10:293200 
本文介紹了新型的全化學晶片清洗技術，研究它們是否可以提供更低的水和化學消耗的能力，能否提供每種技術的工藝應用、清潔機制、工藝效益以及考慮因素、環境、安全、健康(ESH)效益、技術狀態和供應商信息的可用信息。
2022-04-21 12:28:40258 
在這項研究中，我們華林科納使用經濟特區單晶片自旋處理器開發了一種單一背面清潔解決方案，能夠通過蝕刻晶片背面的幾埃來去除任何金屬或外來污染物，無論其涂層如何(無涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45339 
本文的目標是討論一種新技術，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合，導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發展。 該技術針對
2022-05-07 15:11:11621 
本文闡述了金屬雜質和顆粒雜質在硅片表面的粘附機理，并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274 ，FIB-SEM用于評估鍍銅性能，TSV泄漏電流圖和電壓斜坡介電擊穿(VRDB)作為主要電氣可靠性指標，也用于評估清潔效果，測試結果表明，兆聲能量可以傳播到TSV的底部，與傳統的單晶片噴淋清洗相比，經過SAPS清洗的晶片表現出明顯的電學性能提高。
2022-05-26 15:07:03700 
引言 描述了溢流晶片清洗工藝中的流場。該信息被用于一項倡議，其主要目的是減少晶片清洗中的用水量。使用有限元數值技術計算速度場。大部分的水無助于晶片清洗。 介紹 清洗步驟占工廠中使用的ulaa純水
2022-06-06 17:24:461044 
表面和亞微米深溝槽的清洗在半導體制造中是一個巨大的挑戰。在這項工作中，使用物理數值模擬研究了使用脈動流清洗毯式和圖案化晶片。毯式晶片清洗工藝的初步結果與文獻中的數值和實驗結果吻合良好。毯式和圖案化晶片的初步結果表明，振蕩流清洗比穩定流清洗更有效，并且振蕩流的最佳頻率是溝槽尺寸的函數。
2022-06-07 15:51:37291 
引言 小結構的清洗和沖洗是微電子和納米電子制造中的重要過程。最新技術使用“單晶片旋轉清洗”，將超純水(UPW)引入到安裝在旋轉支架上的晶片上。這是一個復雜的過程，其降低水和能源使用的優化需要更好地理
2022-06-08 17:28:50865 
本發明涉及一種在集成電路制造中減少漏電流的方法，更具體地說，涉及一種在集成電路制造中通過新的預氧化清洗順序減少超薄柵氧化物漏電流的方法。 根據本發明的目的，實現了一種預氧化清洗襯底表面的新方法。我們
2022-06-17 17:20:40783 
介紹 在IC制造中，從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如，在光刻過程中，； BS顆粒會導致頂側表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小，這可能導致焦點故障
2022-06-27 18:54:41796 
本文描述了我們華林科納單晶片超電子清洗方法的開發、測試和驗證，該傳感器設計滿足極端顆粒中性、顆粒去除效率(PRE)和生產規模晶片粘合的可重復性要求，以及其他需要極低顆粒水平的應用。不同的微電子過程
2022-06-28 17:25:04809 
本文講述了我們華林科納的一種在單個晶圓清洗工藝中使用新型清洗溶液的方法，該方法涉及在單一晶片模式下使用清洗溶液，并且清洗溶液包括至少包括氫氧化銨（NH-OH）、過氧化氫(HO)、水(HO)和螯合劑
2022-06-30 17:22:112101 
雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節點、先進半導體器件制造，濕法晶片清洗技術可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和最終產品的產量都與晶片的清潔度直接相關，因為晶片要經過數百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578 
的實驗和理論分析來建立晶片表面清潔技術。本文解釋了金屬和顆粒雜質在硅片表面的粘附機理，并提出了一些清洗方法。 介紹 LSI(大規模集成電路)集成密度的增加對硅片質量提出了更高的要求。更高質量的晶片意味著晶體精度、成形質量和
2022-07-11 15:55:451025 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在半導體和太陽能電池制造過程中，清洗晶圓的技術的提升是為了制造高質量產品。目前已經有多種濕法清洗晶圓的技術，如離子水清洗、超聲波清洗、低壓等離子和機械方法。由于濕法工藝一般需要使用含有有害化學物質的酸和堿溶液，會產生大量廢水，因此存在廢物處理成本和環境監管等問題。
2023-06-02 13:33:211021 
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 根據太陽能電池種類的差異，不同太陽能電池的生產工藝也會有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環節是制作太陽能電池的清洗制絨。單晶硅太陽能電池生產工藝的優劣可判斷其在應用過程中是否具有超高的使用價值
2023-08-19 08:36:27811 
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