晶體管的基射輸入電路，常需要用電阻限流，但是為什么一上來就是基射級(jí)輸入電壓減去發(fā)射結(jié)導(dǎo)通壓降0.7（以NPN硅晶體管為例）再除以基極電阻即為基級(jí)輸入電流？而不是先判斷晶體管發(fā)射結(jié)是否導(dǎo)通或者處于何種導(dǎo)通程度的狀態(tài)？
2024-03-07 22:56:47
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級(jí)、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
?單向?qū)щ娦缘模?b class="flag-6" style="color: red">二極管，不是PN
結(jié)！?
真正令 PN
結(jié) 導(dǎo)不了電的，關(guān)非 過不去，而是? 離不開及進(jìn)不來，
交叉對(duì)流無障礙，背道而馳不允許，所以，當(dāng)PN結(jié)成了集電結(jié)，單向?qū)щ娦跃捅淮蚱屏恕?/div>
2024-02-25 08:57:14
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
，提高 整機(jī)效率，取代或替換目前市場(chǎng)上等規(guī)的肖特基 整流二級(jí)管。 DK5V100R10ST1采用TO-220F封裝。 主要特點(diǎn)&n
2024-01-27 16:56:04
下的電流是由電荷載流子產(chǎn)生的。這種類型的電荷載流子產(chǎn)生過程會(huì)進(jìn)一步增加正向和反向偏置條件下的電流。PN結(jié)二極管中的電流取決于整個(gè)PN結(jié)二極管結(jié)構(gòu)中的電荷載流子密度、電場(chǎng)以及P型和N型的準(zhǔn)費(fèi)米級(jí)能量
2024-01-25 18:01:01
鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)，詳見圖1。
三、負(fù)荷分級(jí)
綜合管廊做為城市重要的基礎(chǔ)設(shè)施之一，中斷供電將存在重大的安全隱患，因此確定為二級(jí)負(fù)荷供電。采用兩路電源供電，以保證供電的可靠性，每回路均能負(fù)擔(dān)100
2024-01-19 17:32:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《關(guān)于修復(fù)烘缸軸磨損的探討.docx》資料免費(fèi)下載
2024-01-05 09:18:00
0 按照參考電路設(shè)計(jì)，想把24V電壓升壓到240V，測(cè)了輸出只有24V。我把二級(jí)升壓電路去掉，上電瞬間LT8331升壓器SW1和SW2引腳與GND短路，是怎么回事？電路元器件參數(shù)按照參考電路設(shè)計(jì)來設(shè)計(jì)的
2024-01-04 07:52:52
ad8346汽車級(jí)最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
我使用AD549進(jìn)行nA級(jí)電流轉(zhuǎn)化，使用兩級(jí)放大，需要對(duì)AD549進(jìn)行調(diào)零處理，使用的是AD549數(shù)據(jù)手冊(cè)上提供的外部調(diào)零方法，但是在實(shí)際調(diào)試時(shí)，第一級(jí)的調(diào)零輸出大概能達(dá)到幾微安級(jí)，但是第二級(jí)的輸出跳到微安級(jí)很難，基本只能調(diào)到幾百微安，在幾百微安出變化，請(qǐng)問原因及可行的設(shè)計(jì)方案
2023-11-27 08:28:46
請(qǐng)問大神，對(duì)于三運(yùn)放儀用放大器芯片AD8421，把它用于第二級(jí)放大的時(shí)候，前一級(jí)的兩個(gè)放大器輸出的共模電壓達(dá)到AD8421的工作電源的時(shí)候，AD8421是不是很容易就飽和了？
2023-11-27 08:00:06
將兩個(gè)AD8367級(jí)聯(lián)使用時(shí)，第一級(jí)的輸出與第二級(jí)的輸入之間是否還需要加匹配網(wǎng)絡(luò)呢？根據(jù)手冊(cè)上的描述，輸出RL時(shí)200歐姆，而AD8367的輸入也是200歐，那么是否可以不用匹配而直接將第一級(jí)的輸出
2023-11-27 07:50:05
TOLL Schottky SKY 肖特基二極管，大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)!
48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源，48V 10A的注意事項(xiàng)Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁(yè)面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
ADI的工程師，您好，我想問一下我使用的ADA4895-2芯片在放大時(shí)第二級(jí)會(huì)有一個(gè)1V左右的直流偏置，請(qǐng)問一下是怎么回事。是反饋電阻選的不對(duì)還是放大倍數(shù)一定要10倍以上
2023-11-21 08:31:03
手上有AD8602這個(gè)運(yùn)放，想用作比較器，不知道是否存在隱患，另外它的內(nèi)部輸入級(jí)帶有鉗位二極管嗎？
2023-11-21 08:27:53
請(qǐng)問OP37S和AD574S這兩個(gè)宇航級(jí)型號(hào)的結(jié)溫（Junction Temperature）最大范圍是多少？
2023-11-21 08:17:33
LLC電源 輸出次級(jí)側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品整流
LLC次級(jí)側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品，灌膠電源有優(yōu)秀的散熱效果
2023-11-20 21:36:35
使用ADA4817制作二級(jí)寬帶放大器。輸入信號(hào)為正弦波，幅度有效值為10mV-1V，頻率為1Hz-100MHz。第一級(jí)放大倍數(shù)為3.6倍，第二級(jí)放大倍數(shù)為3.6倍，級(jí)間做一倍衰減，因此總共放大倍數(shù)為
2023-11-17 14:09:15
二極管濱松的S2386-5K，運(yùn)放AD8615（后來又試了AD8641），負(fù)電源接了-0.3V。
使用光電二極管跨阻放大，光電二極管沒有偏置，使用光伏模式，但后級(jí)輸出是正弦波信號(hào)，參考了ADI官方的一些電路，不知道怎么把正弦信號(hào)轉(zhuǎn)成有效穩(wěn)定的直流信號(hào)
2023-11-14 07:48:26
[size=150%]如上圖所示，我使用該電路處理光電二極管信號(hào)，第一級(jí)為TIA，第二級(jí)為單位增益二階低通濾波器，當(dāng)正常工作時(shí)，Vout1和Vout2會(huì)有一個(gè)幾十毫伏的電壓差，并且隨輸入的信號(hào)而
2023-11-14 07:12:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《關(guān)于對(duì)天線近場(chǎng)測(cè)量的技術(shù)探討.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-10 15:23:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種物聯(lián)網(wǎng)智能終端的架構(gòu)探討.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-07 14:47:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《關(guān)于無功補(bǔ)償問題的探討及其解決方案.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-01 11:15:090 BAT54CQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的BAT54CQ這款采用 SOT23 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管，提供低導(dǎo)通電壓和快速開關(guān)能力，設(shè)計(jì)有用于瞬態(tài)和 ESD 保護(hù)
2023-10-19 12:43:45
BAT54AQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的BAT54AQ這款采用 SOT23 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管，提供低導(dǎo)通電壓和快速開關(guān)能力，設(shè)計(jì)有用于瞬態(tài)和 ESD 保護(hù)
2023-10-19 12:39:54
BAS40WQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的BAS40WQ這是一款采用 SOT323 封裝的 200mA 表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管。它提供低正向壓降和快速開關(guān)功能，設(shè)計(jì)有用于瞬態(tài)
2023-10-19 11:52:02
BAS40-06Q-13-F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的BAS40-06Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)
2023-10-19 11:44:26
BAS40-05Q-13-F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的BAS40-05Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)
2023-10-19 11:40:43
BAS40-04Q-13-F產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的BAS40-04Q-13-F這款200mA表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管（標(biāo)準(zhǔn)）封裝提供低正向電壓降和快速切換能力，采用PN結(jié)保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)，用于瞬態(tài)
2023-10-19 11:34:56
SS10100肖特基二極管原廠直銷，歡迎咨詢洽談?dòng)嗁?gòu)！產(chǎn)品類型：肖特基勢(shì)壘二極管封裝形式：SMC(DO-214AB)反向電壓（最大值）：100V正向電流（最大值）：10A壓降（VF）：0.95V工作溫度：-55°C~+150°C@（Tj)
2023-10-11 10:55:48
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2023-10-11 10:54:03
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2023-10-11 10:51:44
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2023-10-11 10:48:16
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2023-10-11 10:45:48
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
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2023-09-16 15:12:20
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2023-09-16 15:10:15
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2023-09-14 16:51:34
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2023-09-14 16:49:23
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2023-09-14 16:41:59
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2023-09-14 11:14:26
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2023-09-14 10:53:36
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2023-09-14 10:48:51
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2023-09-11 11:54:03
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2023-09-11 11:29:21
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2023-09-11 11:25:53
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2023-09-11 11:22:03
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2023-09-09 15:58:17
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2023-09-09 15:55:29
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2023-09-09 15:51:33
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2023-09-09 15:05:50
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2023-09-09 14:36:56
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2023-09-09 14:34:23
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2023-09-09 14:23:54
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2023-09-09 14:12:37
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2023-09-09 14:01:21
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2023-09-09 13:58:14
二極管的電流方向是從正極流向負(fù)極。
就是從二極管PN結(jié)的P區(qū)流向N區(qū)，在電路圖中，二極管“三角形”所指示的方向就是它的正向電流方向。發(fā)光二極管的電流方向與電路的電流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
，以及優(yōu)化的GaN VGS驅(qū)動(dòng)電壓實(shí)現(xiàn)較高穩(wěn)健性和效率。這種集成了自舉二極管的單芯片允許設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)GaN的性能優(yōu)勢(shì)，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和減少物料要求。
2023-09-05 06:58:54
的硅 MOSFET，要么需要特殊的附加層，這使得它們難以縮小。 無法生產(chǎn)與當(dāng)前硅晶體管相同規(guī)模的 GaN 晶體管，也意味著它們不適用于 CPU 和其他微控制器。
GaN 晶體管的第二個(gè)問題是，制造
2023-08-21 17:06:18
的上升時(shí)間、下降時(shí)間、死區(qū)時(shí)間和導(dǎo)通延遲時(shí)間更短，柵極過充震蕩更小，此外也沒有體二極管的反向恢復(fù)效應(yīng)。綜上，GaN器件的開關(guān)波形將更接近理論開關(guān)波形，更有助于Class D系統(tǒng)的性能提升。
圖6
2023-06-25 15:59:21
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
PDS5100H 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 PDS5100H 這種肖特基勢(shì)壘整流器的設(shè)計(jì)滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它非常適合用作：極性保護(hù)二極管再循環(huán)二極管開關(guān)二極管 產(chǎn)品規(guī)格
2023-06-21 10:00:27
PD3S140Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 PD3S140Q 這種肖特基勢(shì)壘整流器的設(shè)計(jì)滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它非常適合用作：極性保護(hù)二極管再循環(huán)二極管開關(guān)二極管
2023-06-20 16:29:06
貼片二極管S27是哪一種二級(jí)管有哪位大神知道請(qǐng)回復(fù)
2023-06-20 09:39:02
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:35
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、高速數(shù)字電路、射頻電路等領(lǐng)域。相比于普通的 pn 結(jié)二極管，肖特基二極管的 pn 結(jié)由金屬與半導(dǎo)體材料直接接觸形成，而不是由摻雜半導(dǎo)體 。其工作原理為，當(dāng)肖特基二極管正向偏置時(shí)，電子從金屬側(cè)進(jìn)入半導(dǎo)體中
2023-05-23 14:47:57
是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息。數(shù)據(jù)表說“專為低復(fù)雜性線性系統(tǒng)設(shè)計(jì)”。長(zhǎng)期記憶是否不再是當(dāng)前幾代 GaN 器件的關(guān)注點(diǎn)？這是整個(gè)產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
放大狀態(tài)下的三極管是兩個(gè)PN結(jié)都大于0.7V嗎？求解
2023-04-12 11:30:57
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
我們以6.6kW車載充電機(jī)為例，介紹SiC肖特基二級(jí)管在充電機(jī)AC-DC和DC-DC電路中的應(yīng)用。
2023-04-06 10:54:11804 
（hyperfix），或由這幾種器件組合而成的防雷模塊（SPD）等。當(dāng)然，低速信號(hào)端口也可選擇箝位型器件進(jìn)行第一級(jí)防護(hù)，但前提是箝位型器件的結(jié)電容不能影響通信線路的正常通信。 第二級(jí)保護(hù) 第二級(jí)防護(hù)與第一級(jí)
2023-03-30 14:42:53
電路如圖所示，1點(diǎn)和8點(diǎn)引出去做了一個(gè)24V的鉗位，電路輸出接在第一級(jí)輸出和第二級(jí)輸入之間這部分具體作用是什么，什么原理？
2023-03-28 14:21:36
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