)0x0010U)/*!< PHY Duplex mask*/
不能工作。
查看LAN8720A芯片手冊，微雪LAN8720A模塊對比原子開發板的原理圖，有一些區別：
1。PHY地址是1
2024-03-22 07:57:11
PLC之所以高速發展，除了工業自動化的客觀需要外，還有許多適合工業控制的獨特優點，它較好地解決了工業控制領域中普遍關心的可靠、安全、靈活、方便以及經濟等問題，其主要特點如下。
2024-01-20 09:27:21
409 什么是交流負載的特點和特性？ 交流負載是指在交流電路中產生的電阻、電容和電感等元件所承受的負荷。交流負載的特點和特性決定了交流電路的穩定性、功率傳輸能力以及效率等重要參數。下面將詳細介紹交流負載
2024-01-18 15:12:42280 CA51F003T3芯片是基于1T 8051內核的8位微控制器，它具有高性能、低功耗、高可靠性等特點，被廣泛應用于各種嵌入式系統中。一、CA51F003T3芯片的特點1. 高性能
2023-12-21 18:32:30
什么是磁敏電阻？磁敏電阻的主要特性 磁敏電阻（Magnetic-Sensitive Resistor），也被稱為磁敏電阻器或磁敏電感，是一種電阻器的變種，具有對磁場敏感的特性。磁敏電阻器是通過
2023-12-20 10:34:04652 10F-10M+ 主要特性 y 超寬帶，直流至 110GHz y 低插入損耗，典型值為 0.32 dB。y 直體 y 出色的 VSWR，1.10:1 典型值。10F-10M+ 產品概述
2023-12-16 13:43:51
FLASH閃存是一種非易失性內存，閃存在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
2023-12-15 14:06:27419 個完全集成的，高性能的RF收發器與一個8051微處理器，8kB的RAM，32/64/128/256KB閃存，以及其他強大的支持功能和外設。CC2530提供了101dB的鏈路質量，優秀的接收器靈敏度
2023-12-07 15:02:44
壽命、較遠工作范圍以及在擁擠環境中的使用壽命都是要滿足的重要設計要求。在本文中，我們將介紹 LPWAN 的主要特性、該技術的最佳用例，以及客戶采用的一些最常見 LPWAN 解決方案。
2023-11-27 16:05:51416 
)：tuyaos-development-board-t2
二、開發板資源
32 bit RISC-MCU
2Mbyte 閃存
256 KB RAM
外設：6xPWM、2xUart、1xSPI、1xI2C、5xADC
==MCU
2023-11-25 23:38:02
電子發燒友網站提供《MOS管的特性、驅動以及應用電路.doc》資料免費下載
2023-11-14 10:18:27
0 請問mm32f103怎么通過SOLA的方式把音頻變調不變速輸出，主要是升調，通過復制法能提高頻率，但是雜音大嗎，有辦法濾除嗎
2023-11-09 08:06:35
STM32F103最高頻率是72Mhz，mm32F103最高主頻為96MHz。
2023-11-09 06:15:52
采用OV7670帶緩存攝像頭模塊，用MM32F103能做簡單的視頻處理嗎，比如判斷顏色和形狀，可以使用外部sdram
2023-11-08 06:27:16
stm32f103mini板子芯片改mm32f103不運行是什么原因，是不是硬件還要修改
2023-11-02 07:40:57
MM32F0010使用總結
2023-11-01 17:07:03465 
flash_internal_all_erase()，即將閃存控制寄存器（FLASH_CTRL）的 bit2 置 1 選擇為整片擦除，然后將bit6 置 1 觸發擦除操作。
2023-10-20 08:21:03
非易失性的新技術，力求制造出同時替代閃存和DRAM的通用存儲。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區別 ? 閃存和DRAM作為已經被行業使用了數十年的存儲形式，因為其特性不同，往往只能被分別用于特定場景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴展性等特點，但缺點在于
2023-10-09 00:10:001311 。
關鍵特性
全志H618，四核ARM Cortex?-A53處理器
ARM Mali G31圖形處理器
WIFI & 藍牙
2G LPDDR4 RAM
8G eMMC閃存
1
2023-10-08 15:25:13
本編程手冊介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲器。為方便起見，在本文中出特別說明外，統稱它們為STM32F
2023-09-26 06:18:33
片上閃存特性和系統框圖
? 存儲空間組織架構
? 用戶閃存
? 系統閃存
? OTP
? 選項字節
? 閃存讀接口
? 等待周期
? 指令預取
? 指令高速緩存
? 數據高速緩存
? 擦除和編程操作
? 讀保護和寫保護
? STM32F2和STM32F1的閃存特性比較
2023-09-13 07:10:38
）、40ms （最大值）? 閃存接口特性? 帶預取指令緩沖的讀接口? 選項字節裝載器? 閃存的編程/擦除操作? 保護類型? 寫保護? 讀保護：0級、1級和2級
2023-09-12 07:26:04
12mm儲能連接器是一種廣泛應用于各種環境和應用領域的高可靠性連接器。其獨特的結構和設計使其具有以下特點：
2023-09-11 10:08:30852 
6mm儲能連接器具有高電流和電壓承載能力、快速安裝和連接、安全可靠、多功能性和兼容性以及可維修和更換等優點，適用于大規模和高功率儲能系統的連接，是儲能領域中不可或缺的重要元件之一。
2023-09-06 11:48:35533 
實現ECU節省空間特點，兼顧小型化與高特性
2023-08-15 14:35:42328 
Vol.1 C0G特性及高耐壓MLCC的特點與替換解決方案
2023-08-03 11:39:38418 
MQTT 的主要特性 MQTT 協議是為工作在低帶寬、不可靠網絡的遠程傳感器和控制設備之間的通訊而設計的協議，它具 有以下主要的幾項特性： ①、使用發布/訂閱消息模式，提供一對多的消息發布，解除
2023-07-30 14:42:15871 負反饋特性主要包括：能夠減小增益變化率敏感性，能夠改善輸入輸出阻抗，能夠擴展頻率帶寬，以及減小電路的非線性和噪聲等等。
2023-07-11 14:53:351514 
RTKA226110DE0010BU 用戶手冊
2023-07-04 19:51:120 RTKA223011DE0010BU 用戶手冊
2023-07-04 19:34:080 RTKA223021DE0010BU 用戶手冊
2023-07-04 19:08:370 RTKA214020DE0010BU評估板手冊
2023-07-03 20:46:420 RTKA223181DE0010BU評估板手冊
2023-07-03 19:52:310 RTKA211605DR0010BU 示范板手冊
2023-06-30 20:38:130 RTKA210130DE0010BU評估板手冊
2023-06-30 20:30:550 RTKA211630DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:31:120 RTKA211820DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:30:240 RTKA211450DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:28:280 RTKA211250DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:27:430 RTKA211835DE0010BU評估板手冊
2023-06-29 19:27:120 1 評估板簡介創龍科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3處理器設計的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗國產評估板，每核主頻高達1.2GHz，由核心板和評估底板組成。評估板接口資源豐富
2023-06-28 10:11:48
，CC2530結合了一個完全集成的，高性能的RF收發器與一個8051微處理器，8kB的RAM，32/64/128/256KB閃存，以及其他強大的支持功能和外設。
CC2530提供了101dB的鏈路質量
2023-06-26 15:29:59
1 評估板簡介創龍科技TL64x-EVM是一款基于TI Sitara系列AM64x雙核ARM Cortex-A53 + 單/四核Cortex-R5F + 單核Cortex-M4F多核處理器
2023-06-13 17:18:31
內存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區，硬盤的一個扇區也為512
2023-06-10 17:21:001982 測速電機主要特點及應用：主要特點包括高效能、低噪音以及高精度。電機采用了特殊的轉子設計和優質的變頻器控制系統，可以實現Gao達98%以上的效率，同時，在使用中產生的噪音也非常小，較大噪音值不超過55分貝。此外，該電機的測速精度達到了0.5%，可以滿足各種精度要求高的應用場合。
2023-05-29 09:21:35956 
RFXF0010 產品簡介 Qorvo 的 RFXF0010 變壓器專為需要小型、低成本和高度可靠的表面貼裝組件的應用而設計。可以在寬帶、無線和其他通信系統中找到應用程序。這些
2023-05-26 11:04:59
我想我只是發布了我嘗試使用 Sonota32.exe（32 位版本的 sonota.exe）ota 閃存 sonoff 克隆 T1 觸摸墻開關的摘要。關于制造此特定設備的人，我最好的猜測是一家名為
2023-05-26 07:33:28
RTKA211835DE0010BU評估板手冊
2023-05-22 18:43:000 我們有一個帶有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT（微米八進制 SPI 閃存）的定制板連接到端口 A。
我們正在嘗試從此內存啟動。
我們遵循了這個應用筆
2023-05-22 09:35:01
RTKA211630DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:38:260 RTKA211820DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:37:470 RTKA211450DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:35:590 RTKA211250DE0010BU評估板手冊
2023-05-19 18:35:050 大家好，
我嘗試在 RT1160-EVK 上使用八進制閃存，但沒有取得太大成功。
我按照電路板用戶手冊中的概述修改了電路板上的電阻器。已將 SW1 設置為 0010，將 SW2 設置為
2023-05-18 06:28:12
我一直在使用 4D Systems 的帶觸摸屏的出色 LCD 顯示模塊，用于適合標準歐洲 80mm x 80mm 面板的室內恒溫器。
顯示模塊圍繞 ESP8266 構建，包括一個 SD 卡插槽
2023-05-17 08:29:00
Marki Microwave 的 PD-0010 是一款功率分配器，頻率為 DC 至 10 GHz，插入損耗為 0.25 至 1 dB，輸入功率為 1 W，幅度
2023-05-15 18:05:21
我如何閃存 ESP 模塊 3 以及有多少內存？
2023-05-10 12:48:37
QPD0010產品簡介Qorvo 的 QPD0010 是采用 DFN 封裝的 SiC HEMT 上的非對稱雙路徑分立式 GaN，工作頻率范圍為 2.5 至 2.7 GHz。在每條路徑中都有一個單級
2023-05-09 12:24:23
，功率 1 W。標簽：帶連接器的模塊，不平衡到平衡。BAL-0010 的更多細節可以在下面看到。產品規格產品詳情零件號BAL-0010制造商馬基微波爐描述200 KH
2023-05-08 16:39:51
資源域控制模塊（XRDC）中有一個MRC，
我想知道MRC、MPU、MMU在用途或特性上的區別？以及優缺點？
2023-05-06 07:51:35
i.MX8MM, i.MX8MQ
SDP: boot -f u-boot.imx
# Initialize SPI Flash
FB: ucmd sf probe ${spi_bus
2023-05-04 06:30:41
主要電阻器的特點 固定電阻器 特點 貼片固定電阻器 可在電路板表面直接貼裝的具有電極形狀的表面貼裝用電阻器。方形貼片電阻器在固定電阻器中將近占9成，是現在一般使用的電阻器的主流產品。 碳膜固定電阻器
2023-04-30 15:00:001166 RQA0010UXAQS 數據表
2023-04-26 19:50:200 RQA0010VXDQS 數據表
2023-04-26 19:50:000 EZ-0010 用戶手冊
2023-04-19 19:54:030 我的項目使用 MC56F83783VLH。 MC56F83xxx 有兩個閃存數據塊，如 RM 所示。 所以我的應用程序在主閃存陣列 1 中運行，并將主閃存陣列 2 用于我的保存數據區。但我無法在
2023-04-19 08:54:32
project_template_mc56f83xxx這就是我正在做的：#define DATA_FLASH_START 0x20000 #define FLASH_SECTOR_SIZE 0x800status_t f狀態；uint8_t
2023-04-18 10:22:17
我們在項目中使用 LS1043A 處理器。我想知道如何啟動處理器以及需要哪些軟件包。連接閃存和 DDR 的軟件是什么？需要所有與 LS1043A 相關的軟件程序。您的幫助使我了解處理器并為它編寫代碼。
2023-04-18 07:33:22
MASWCC0010GaAs 吸收式，單電源MACOM 的 MASWCC0010 是一款帶有集成 TTL 驅動器的 SP4T 吸收式 pHEMT 開關。該器件采用 MLP 塑料表面貼裝封裝。該開關
2023-04-17 13:48:58
函數在禁用這些寄存器后啟用 P0_BFEN 和 P1_BFEN 寄存器。首先禁用閃存控制器緩存，經過一些閃存操作后，啟用閃存控制器緩存。我不明白為什么他們在這些操作后啟用緩存。 #include
2023-04-17 07:17:57
供應IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 16:13:31
供應SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關逆變器，提供SGT20T60SD1F關鍵參數 ，是士蘭微IGBT代理商，更多產品手冊、應用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應600v 15a電機igbt驅動SGT15T60SD1F可代換IKA15N60T絕緣柵雙極型晶體管，提供SGT15T60SD1F關鍵參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:14:03
. sc_seco_sab_msg() api的兩個參數中“addr: address of message block ”是什么意思？（這意味著閃存 ram 地址？） 2. seco event 0xC1F729是什么意思？ 如果有人知道該事件的含義以及需要如何處理它，那將有很大幫助。
2023-03-30 06:36:02
74737-0010
2023-03-29 22:45:39
35022-0010
2023-03-29 22:38:17
35023-0010
2023-03-29 21:59:52
43860-0010
2023-03-29 21:58:39
EWWR0010J1K00T9
2023-03-29 21:55:08
19099-0010
2023-03-29 21:54:01
DK0010T
2023-03-29 21:54:01
599-0010-007F
2023-03-29 21:52:14
EWWR0010J39R0T9
2023-03-29 21:36:22
0ZCJ0010FF2E
2023-03-29 17:38:45
61729-0010BLF
2023-03-28 18:12:03
502381-0010
2023-03-28 14:51:13
0ZTJ0010FF2E
2023-03-28 14:46:00
我損壞了 t1023wlan 板上的 u-boot 閃存，并嘗試使用 jtag 連接器和 codewarrior TAP 重新閃存板。但是，當我嘗試這樣做時，我反復收到“錯誤：T1020：核心
2023-03-24 08:05:53
W25Q32JV 工作正常，但如何修改 ext_memory_setup.bat 以配置外部閃存？請注意，我們有另一塊板使用 iMXRT1062 處理器和 flexspi1 上的相同外部 IS25LP128F 閃存。此處外部閃光燈的閃光效果很好。
2023-03-24 06:53:51
我們使用 MM9Z1_638 作為電池接線盒傳感器板。當我們將 0V 和 0A 施加到 mm9z1_638 傳感器板 A~H 點時，顯示測試配置文件。我們通過CANBUS發現mm9z1
2023-03-23 06:13:54
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認逐個扇區擦除閃存是可行且有效的，然后繼續我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
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