1.MOS管的并聯(lián)對走線的規(guī)定

大伙兒了解，好幾個(gè)MOS管并聯(lián)，漏極和源極的布線都必須根據(jù)好幾個(gè)MOS管的總電流，理論上測算，假如要做到單獨(dú)MOS管的電流不偏位均值電流的10%，那麼系統(tǒng)總線上的總特性阻抗一定要操縱在全部MOS管并聯(lián)后的內(nèi)阻的10%之內(nèi)。例如過50A的電流，由大家的RU75N08R 4顆并聯(lián), RU75N08典型性是8米Ω,并聯(lián)后便是2 mΩ，那麼漏極或源極的布線電阻器必須操縱在2 mΩ*10%=0.2 mΩ之內(nèi)才可以確保10%的均流出現(xiàn)偏差的原因。假如PCB銅泊薄厚和總寬比較有限，我們可以加焊銅心線或根據(jù)散熱器做到這一低的布線內(nèi)阻。

2.MOS管并聯(lián)的可行性方案

由下邊的某顆MOS管的溫度曲線圖能夠看得出MOS管的內(nèi)阻的溫度特點(diǎn)是隨溫度的上升內(nèi)阻也擴(kuò)大，假如在并聯(lián)全過程中因?yàn)榉N種原因（例如RDSON較為低，電流途徑較為短等）造成 某顆MOS管的電流較為大，這顆MOS管會發(fā)燙情況嚴(yán)重，內(nèi)阻會上升比較多，電流便會降下去，從而能夠剖析出MOS管有全自動(dòng)均流的特點(diǎn)而便于并聯(lián)。

3.MOS管的并聯(lián)電源電路

理論上MOS管能夠由N顆并聯(lián)，事實(shí)上MOS管并聯(lián)多了非常容易造成布線較長，遍布電感器電容器增加，針對高頻電路工作中造成不好的危害。下邊以4顆為例子表明MOS管的運(yùn)用。并聯(lián)的一般原理圖以下

從圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)器電阻器，每一個(gè)MOS管都由單獨(dú)的柵極驅(qū)動(dòng)器電阻器防護(hù)驅(qū)動(dòng)器，主要是能夠避免 每個(gè)MOS管的寄生振蕩，具有減振的功效。R1-4的取值如何取呢？假如取值過小，很有可能就起不上避免 每個(gè)MOS管的寄生振蕩的功效，假如取值變大，電源開關(guān)速率會減緩，因?yàn)槊恳粋€(gè)MOS管的結(jié)電容會出現(xiàn)微小的不一樣，結(jié)果取值過大還會繼續(xù)造成 每個(gè)MOS管的通斷速率相距較為大，因此 R1-4在可以避免 每個(gè)MOS管的寄生振蕩的狀況下盡可能小到能夠考慮電源開關(guān)速率。

有關(guān)R5-R8的柵極下拉電阻，關(guān)鍵功效是在驅(qū)動(dòng)器IC毀壞引路的狀況下能夠避免 MOS管的欺詐通。在一些獨(dú)特的運(yùn)用場所下，例如看待機(jī)電流有限定的電池保護(hù)板，這一電阻器通常取值非常大乃至沒有，那樣?xùn)艠O的特性阻抗會較為高，非常容易磁感應(yīng)較為高的靜電感應(yīng)毀壞MOS管的柵極。這類運(yùn)用在柵源極中間并聯(lián)一個(gè)15V上下的穩(wěn)壓極管，這樣就起到保護(hù)作用。

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