過去幾年中，隨著射頻集成電路技術和系統結構的發展，移動電話中射頻部分的很多分立器件已被替換。最為明顯的就是接收機中分立的低噪聲放大器（LNA）和中頻（IF）濾波器已經被集成到射頻集成電路中。可以預期各射頻模塊將逐步被集成到標準BiCMOS或CMOS集成電路中，但還是有幾類射頻元件的集成不太容易做到，其中就包括射頻濾波器。所有的移動電話都需要射頻濾波器以保護敏感的接收（Rx）信道，使之免受其他用戶的發送（Tx）信號及各種射頻源產生的噪聲干擾。移動電話可能要求當Rx信號比干擾信號強度低120dB時仍能工作。而前置放大器無法提供足夠小的互調以滿足這種要求。

　　體聲波（BAW）和薄膜腔聲諧振器（FBAR）濾波器被分別用來替代移動電話中的傳統射頻濾波器，因為目前其性能已超過表面波（SAW）濾波器，而且可以通過標準集成電路技術生產，極具價格競爭力。

　　天線和前置放大器之間高選擇性的射頻濾波器保證了只有正確的Rx波段內的信號被放大。分配給移動電話系統的頻段是從400MHz到2.2GHz;帶寬一般在20到75MHz之間。Tx波段低于Rx波段，但之間僅有20MHz的間隙。在20MHz這么窄的過渡帶中，Rx濾波器必須從在相應的Tx波段上邊沿處有大于15dB的衰減，變化到在Rx波段下邊沿處有小于3dB的插入損耗。要實現這么陡的沿，濾波器元件需要有極低的損耗，及很高的品質因數（Q），對于電抗元件，Q≥400是必須的。選擇性射頻濾波器在移動電話的Tx信道中按規程也是需要的，以避免在規定波段以外發出射頻功率。這些Tx濾波器主要考慮的是不讓功率放大器把噪聲和Tx波段外的信號放大。GSM系統是時分復用的。GSM手機的天線用射頻開關在Rx和Tx信道之間來回切換。由于這種切換，在GSM系統中，接收和發送的信號相對易于相互隔離。與GSM不同，CDMA和W-CDMA及第三代（UMTS）標準都工作在全雙工模式，即電話同時在接收和發送信號。這樣的工作模式使得所謂的天線雙工器成為必需的器件。天線雙工器包括了用于Rx和Tx波段的高選擇性的濾波器，它要保證從功放送出的功率盡可能少的回饋到接收通道，并將從天線接收到的信號以盡可能少的衰減導入前置放大器。這種雙工器中采用SAW濾波器是有困難的，因為它要能處理高達2瓦的輸出功率，而且隨著自身發熱造成的溫度提升，要能維持正常的工作。而BAW/FBAR濾波器可以很好滿足這些應用，因為其品質因數可高達1500，可以處理達幾瓦的功率，而且頻率特性的溫度系數明顯低于SAW濾波器。

　　基本原理

　　BAW諧振器應用了MEMS工藝，以便將石英晶體的工作機理擴展到更高頻率。壓電層的典型厚度在幾個微米或更低。壓電層可以驅動一個駐聲波，其波長為壓電層和電極總厚度的兩倍。該駐聲波沿垂直方向傳播。因為淀積的壓電層的方向對厚度外延模式（TE）支持得最好，所以采用了這一模式。在諧振頻率附近，電阻抗將發生強烈的變化。在BAW中，壓力場看起來與（單晶的）石英晶體很相似，但有更大一部分駐波位于電極和支撐層中。要將厚度外延模式的石英晶體的工作機制擴展到GHz范圍，最直接的方法是將壓電層和電極作成膜結構，或做到一個薄的支撐膜層上。

　　這種用膜結構的方法產生的BAW器件需要淀積的層數是最少的。這種方法的缺點是由于頂部有易碎的膜，從而造成晶片的處理很困難，此外還有其它一些魯棒性的問題。

　　為實現將聲波從襯底隔離開，還可以用聲波鏡來實現。用若干聲阻抗高和低的層交替堆疊，且這些層的厚度都等于主諧振波長的1/4，這樣就構建了一個有效的聲波鏡。這種制鏡機理在光學中很普遍。在每個高阻抗層和低阻抗層之間的界面上，大部分的聲波被反射，又由于這些層的厚度是/4，因而反射波會按合適的相位疊加。這種類型的BAW被稱為固態裝配諧振器（SMR）。就魯棒性而言，SMR比膜結構的BAW要好很多。在劃片和裝配所需的各種標準工序中，沒有機械損壞的風險。壓電層和電極層上受到的層壓力也不會造成問題。對需要有很大功率承受能力的BAW而言，存在一條直接穿過鏡子的垂直傳熱通路是很有利的，這樣可以明顯降低對周圍環境的熱阻抗。SMR類的FBAR在用于IC集成時有很明顯的優點，因為它可以被嵌入到交替的金屬-氧化物堆中，而這種金屬-氧化物堆一般先進的IC工藝都可以提供。事實上，在IC工藝上集成SMR，總的工序和掩膜層數都得到節省。