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倍的電流增益，因此，它的靈敏度很高，并且相應速度快，常用于超高頻的調制光和超短光脈沖的探測。
實驗原理
?
外加反偏電壓于結內電場方向一致，當pn結及其附近被光照射時，就會產生載流子（即電子－空穴對）。結區(qū)內的電子－空穴對在勢壘區(qū)電場的作用下，電子被拉向n區(qū)，空穴被拉向p區(qū)而形成光電流。同時勢壘區(qū)一側一個擴散長度內的光生載流子先向勢壘區(qū)擴散，然后在勢壘區(qū)電場的作用下也參與導電。當入設光強變化時，光生載流子的濃度及通過外回路的光電流也隨之發(fā)生相應的變化。這種變化在入射光強很大的動態(tài)范圍內仍能保持線性關系。
為反向飽和電流，e為電子電荷，k為玻爾茲曼常量，T為工作溫度，V為加在二極管兩端的電壓。如圖1.1.1-2所示
???
對于外加正向電壓，I隨V指數增長，稱為正向電流；當外加電壓反向時，在反向擊穿電壓之內，反向飽和電流基本上是個常數。對于硅光二極管來說，其伏安特性可表示為
式中
是流過硅光電二極管的總電流，
是反向光電流，S是電流靈敏度，P是入射光功率，因硅光二極管是反向偏壓工作，故上式可簡化為
硅光電二極管的伏安特性曲線相當于把普通二極管的伏安特性曲線向下平移。其實際伏安曲線如圖1.1.1-3所示。在工作反偏壓一定的情況下，從圖1.1.1-3可以繪出與入射光強的關系曲線，如圖1.1.1-4
式中I為光電流，P為光功率，
是光電轉換因子，e為電子電荷，h為普朗克常量，v為入射光頻率，
為量子效率。從上式可知
。
?
實驗內容
圖，通過
曲線向找到峰值響應頻率，曲線向兩邊延伸，確定截至波長。
曲線向找到峰值響應頻率，曲線向兩邊延伸，確定截至波長。設計性內容
n??????? 自己設計一套電路裝置，測量光電二極管的量子效率。
- 光電轉換(23061)
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