以前做項(xiàng)目，有時(shí)用Flash，有時(shí)用EEPROM，搞得我有點(diǎn)懵逼。
2023-07-27 12:24:24
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概 述 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-21 09:15:04783 概述在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 
（4KB）接口為iic。外置eeprom芯片一般是作為MCU芯片內(nèi)部eeprom的補(bǔ)充，用于存儲(chǔ)設(shè)置參數(shù)。SPI Flash的容量就大很多了，常見(jiàn)的32Mbit（4MB），我們已經(jīng)在ESP8266等模塊
2022-01-26 06:58:33
–> EPROM –> EEPROM2.EEPROM和FLASH的區(qū)別2.1 使用上的區(qū)別FLASH用于存放程序，在程序運(yùn)行過(guò)程中不能更改。我們編寫(xiě)的程序是燒錄到FLASH...
2021-11-23 08:51:04
EEPROM和flash的區(qū)別
2019-09-02 15:16:34
FLASH模擬EEPROM入門指南使用AT32 的片上FLASH 模擬EEPROM 功能。
2023-10-19 06:10:52
FLASH模擬EEPROM可以用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)嗎？哪位前輩做過(guò)，望指教，謝謝
2013-05-18 18:36:12
FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM
2021-12-10 08:23:11
根據(jù)圖上的資料顯示：1、EEPROM的地址包含了FLASH的地址。2、FLASH和EEPROM的讀寫(xiě)方式是一樣的。怎么有人說(shuō)“單片機(jī)內(nèi)置的eeprom本質(zhì)上也是flash, 但是他們的讀寫(xiě)條件完全不同”。
2013-03-29 13:05:15
在江蘇實(shí)習(xí)時(shí)，接觸過(guò)一個(gè)儀器上的一塊實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互功能的ARM控制板，用到控制器是LPC1766的。現(xiàn)在要寫(xiě)一下這塊板子的介紹。板子上的東西也不復(fù)雜，一個(gè)FLASH，一個(gè)EEPROM，一個(gè)網(wǎng)口，四路
2015-10-19 16:07:16
程序實(shí)驗(yàn)成功，并不會(huì)出現(xiàn)板子不能燒寫(xiě)程序的情況。例子程序?qū)?b class="flag-6" style="color: red">FLASH的sectorD作為EEPROM使用，每次寫(xiě)入64個(gè)16位字，每次更新bank_status和page_status的值，下次寫(xiě)入
2020-06-08 06:13:07
FLASH有哪些類型？flash和EEPROM的異同是什么？
2022-01-20 06:15:25
性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。出于客戶低成本的考慮，AT32 系列部分型號(hào)的 MCU 并未搭載片上 EEPROM，但是在此我們將介紹一種使用片上 Flash來(lái)模擬 EEPROM 使用的方法，以作為對(duì)此應(yīng)用需求
2020-08-15 14:23:57
我的MC9S12XEP100里的prm文件里一共有36K的EEPROM，1K的固定頁(yè)，35K的非固定頁(yè)：1：看數(shù)據(jù)手冊(cè)，36K里面應(yīng)該有32K的D-flash，4K的buffer ram，這兩部分
2016-07-19 00:02:51
();
SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-08-21 06:52:57
();
SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2024-01-15 06:10:36
EPROM、EEPROM、FLASH的定義是什么？ EEPROM和FLASH 的最主要的區(qū)別是什么？
2021-04-19 06:33:26
本帖最后由 C丶平凡 于 2021-12-10 13:26 編輯
如題，用的是Eclipse IDE，freertos工程是從demo弄的，flash模擬eeprom的代碼也是demo代碼里面
2021-12-10 11:03:05
STM32系列內(nèi)部FLASH模擬EEPROM，燒寫(xiě)程序時(shí)設(shè)置為讀保護(hù)Level-2級(jí)別，還能正常讀寫(xiě)這個(gè)模擬的EEPROM嗎？
2024-03-13 07:34:30
大家好，最近有用到STM32F030做一個(gè)項(xiàng)目，因?yàn)橥獠康?b class="flag-6" style="color: red">EEPROM 抗干擾性太差，所以有考慮到使用內(nèi)部的flash去當(dāng)EEPROM使用，在實(shí)際使用過(guò)程中遇到兩個(gè)問(wèn)題，一個(gè)是flash的操作需要
2018-11-23 08:43:24
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有g(shù)d32e230 flash 模擬eeprom例程。我有一個(gè)從stm32移植到gd32的項(xiàng)目用到flash模擬eeprom但是在gd的網(wǎng)站沒(méi)有找到相關(guān)的歷程。麻煩gd的工程師看到回復(fù)一下
2021-09-03 07:36:28
“變通”的技術(shù)手段在程序存儲(chǔ)區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識(shí)問(wèn)題。EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定義，屬EEPROM
2018-09-26 14:29:06
什么是EEPROM？和FLASH有什么區(qū)別？
2022-01-24 06:48:02
本應(yīng)用筆記介紹了使用STM32F0xx器件的片內(nèi)FLASH模擬EEPROM的軟件解決方案。
2022-12-01 06:33:09
本文檔適用于STM32F1系列微控制器。介紹了外部EEPROM和嵌入式Flash存儲(chǔ)器之間的不同，描述了使用STM32F10x片內(nèi)的Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)軟件模擬EEPROM的方法。
2022-12-01 06:16:17
在一些應(yīng)用中，經(jīng)常需要存儲(chǔ)一些信息，掉電后可以保存。當(dāng)然，可以外掛eeprom，flash也可以。不過(guò)呢，占用空間，資源，增加成本，設(shè)計(jì)上的難度也會(huì)增加（況且，460的flash這么大，分出來(lái)一點(diǎn)
2021-12-06 07:07:21
型號(hào)的 MCU 并未搭載片上 EEPROM，但是在此我們將介紹一種使用片上 Flash來(lái)模擬 EEPROM 使用的方法，以作為對(duì)此應(yīng)用需求的補(bǔ)充。本文檔將詳細(xì)闡述在 AT32 系列 MCU 上使用片上
2021-11-26 07:15:32
MCU模擬eeprom基本功能 如果你的MCU的flash足夠大。并且你的MCU提供自編程flash指令。則可以通過(guò)flash模擬出一片eeprom區(qū)域。用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 本文參考ST公司
2021-11-03 06:42:24
；不過(guò)FLASH的容量還是可觀的，我們可以利用FLASH模擬EEPROM。根據(jù)《STM32F10X閃存編程》中的介紹，FLASH除了保存用戶代碼的部分，其余部分我們是可以利用其作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)使用的。s...
2021-12-09 07:13:52
內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫(xiě)次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲(chǔ)又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點(diǎn)捉襟見(jiàn)肘了。我決定利用單片機(jī)
2022-01-26 06:59:28
原子大哥，我現(xiàn)在要用stm32的eeprom，但是遺憾的是他沒(méi)有。我看網(wǎng)上說(shuō)可以用flash模擬，怎么回事，大哥給指條明路吧！
2019-09-22 23:07:48
想要實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的掉電保存，現(xiàn)在由兩種方案，一種是硬件上加上eeprom，一種是用flash配置為eeprom。但是看了相關(guān)資料，flash只支持塊擦除，而eeprom支持位擦除，flash經(jīng)常擦除會(huì)影響使用的壽命。 綜合兩種方案，是eeprom更好還是flash更好呢？
2018-09-17 15:06:19
如何將Flash模擬成EEPROM （EEPROM Emulation）溫馨提示：本文參考《EEPROM Emulation with Qorivva MPC55xx, MPC56xx
2021-12-10 06:12:21
：試圖通過(guò)我在全球部分定義一個(gè)變量存儲(chǔ)在Flash模擬EEPROM數(shù)據(jù)，靜態(tài)常量函數(shù)時(shí)，eepstrg [ 6 ] __attribute__（（第（”。eepromdata
2019-01-15 06:40:27
本身沒(méi)有自帶 EEPROM，但是 STM32 具有 IAP（在應(yīng)用編程）功能，所以我們可以把它的 FLASH 當(dāng)成 EEPROM 來(lái)使用STM32 FLASH 簡(jiǎn)介不同型號(hào)的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字節(jié)，最大的則達(dá)到了10...
2021-08-05 08:25:12
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SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-06-13 07:00:08
分享一個(gè)原來(lái)在M3平臺(tái)上如何用內(nèi)部的flash來(lái)模擬EEPROM的文檔。內(nèi)附代碼下載鏈接，非常好的驅(qū)動(dòng)代碼 : )Michael Qian
2019-09-05 06:26:05
請(qǐng)教一下壇子里高手。問(wèn)題描述如下：最近在做一個(gè)用28035做核心的項(xiàng)目，有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)，但是板子上沒(méi)有外置eeprom，28035也不帶eeprom，所以想用flash模擬eeprom來(lái)存儲(chǔ)
2018-08-22 08:28:34
我知道在PSoC 4的Flash模擬EEPROM，Flash是哪一塊emaulated EEPROM呢？它是否像PSoC 1一樣可配置？我想有EEPROM是emaulated EEPROM的最后一塊
2019-01-18 09:57:35
大家好，N76E003可以LDROM程序編程LDROM區(qū)flash模擬EEPROM嗎？
2023-09-01 06:22:27
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SYS_Init()；
SYS_LockReg();
/***********************************
利用data flash模擬EEPROM
2023-06-28 07:26:33
【眾想】大黃蜂開(kāi)發(fā)板視頻教程 ----劉洋邊講邊寫(xiě) 基礎(chǔ)篇32--FLASH模擬EEPROM實(shí)驗(yàn)http://www.stmcu.org/module/forum/thread-607015-1-1.html
2016-07-28 15:10:52
本文分析了Super Flash EEPROM 28SF040A的特性,并通過(guò)在射頻卡收費(fèi)機(jī)中的應(yīng)用介紹其使用方法.
2009-04-30 14:08:05
12 總結(jié)了實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行的溫度自記儀模擬實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。針對(duì)溫度傳感器的幾種布置方法，得出對(duì)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)，特別是對(duì)地鐵隧道溫度場(chǎng)測(cè)定具有指導(dǎo)意義的結(jié)論。
2009-07-04 10:03:1923 EEPROM開(kāi)機(jī)記憶存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)
2010-07-13 18:10:0025 片內(nèi)EEPROM讀寫(xiě)實(shí)險(xiǎn)。?1、用內(nèi)部EEPROM記錄CPU啟動(dòng)次數(shù)，并在PB口上顯示出來(lái)。?2、內(nèi)部1 M晶振，程序采用單任務(wù)方式，軟件延時(shí)。?3、進(jìn)行此實(shí)驗(yàn)請(qǐng)
2010-06-30 11:25:002365 FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同
2011-12-28 10:02:196031 STM32 FLASH模擬EEPROM資料，mcu，單片機(jī)相關(guān)的知識(shí)及內(nèi)容。
2016-03-10 17:14:1018 模擬電子的相關(guān)知識(shí)學(xué)習(xí)教材資料——模擬電路總結(jié)
2016-09-27 15:19:030 FLASH和EEPROM的區(qū)別
2017-03-29 09:09:146 4.4 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容使用JTAG燒寫(xiě)Nand Flash 1．實(shí)驗(yàn)目的 通過(guò)使用JTAG燒寫(xiě)Flash的實(shí)驗(yàn)，了解嵌入式硬件環(huán)境，熟悉JTAG的使用，為今后的進(jìn)一步學(xué)習(xí)打下良好的基礎(chǔ)。本書(shū)
2017-10-18 17:03:486 FLASH的全稱是FLASHEEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)
2018-09-21 22:40:01779 EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來(lái)激出
2018-12-31 10:10:0012401 FLASH是用于存儲(chǔ)程序代碼的，有些場(chǎng)合也可能用它來(lái)保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機(jī)的FLASH工藝是可以自寫(xiě)的（運(yùn)行中可擦寫(xiě)），但要注意FLASH的擦寫(xiě)次數(shù)通常小于一萬(wàn)次，而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 Flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它Flash。
既然兩者差不多，為什么單片機(jī)中還要既有Flash又有EEPROM呢？
2019-05-03 09:45:004601 EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來(lái)激出。
2019-05-07 10:56:466810 STM8S_007_片內(nèi)FLASH和EEPROM編程
2020-03-20 10:00:374092 
STM32F10x_模擬I2C讀寫(xiě)EEPROM
2020-03-25 11:13:379334 
。本應(yīng)用筆記介紹了使用代碼區(qū)域Flash 來(lái)模擬EEPROM，通過(guò)一定的軟件處理算法，可以增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)周期的一種方法。本文給出了實(shí)現(xiàn)上述功能的軟件流程。 1.1寫(xiě)方法 外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫(xiě)的方法。 EEPROM：對(duì)EEPROM 的寫(xiě)操作不
2020-04-09 09:23:142841 N76E003的EEPROM問(wèn)題解決方案：使用Data Flash模擬EEPROM(嵌入式開(kāi)發(fā)與應(yīng)用專業(yè)開(kāi)學(xué)要買電腦嗎)-N76E003的EEPROM問(wèn)題解決方案，官方文檔，找了很久才找到。這份文件
2021-07-30 09:28:4125 STM32F4 I2C-EEPROM實(shí)驗(yàn)例程(嵌入式開(kāi)發(fā)專業(yè)課程)-STM32F4 I2C-EEPROM實(shí)驗(yàn)例程，有需要的可以參考！
2021-07-30 16:02:3618 關(guān)于EEPROM讀寫(xiě)與數(shù)碼管顯示實(shí)驗(yàn)(嵌入式開(kāi)發(fā)平臺(tái)圖片)-關(guān)于EEPROM讀寫(xiě)與數(shù)碼管顯示實(shí)驗(yàn)，適合感興趣的學(xué)習(xí)者學(xué)習(xí)，可以提高自己的能力，大家可以多交流哈
2021-08-04 12:00:319 MCU模擬eeprom基本功能?如果你的MCU的flash足夠大。并且你的MCU提供自編程flash指令。則可以通過(guò)flash模擬出一片eeprom區(qū)域。用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。? ?? ? 本文參考ST公司
2021-10-28 19:06:1210 型號(hào)的 MCU 并未搭載片上 EEPROM，但是在此我們將介紹一種使用片上 Flash來(lái)模擬 EEPROM 使用的方法，以作為對(duì)此應(yīng)用需求的補(bǔ)充。本文檔將詳細(xì)闡述在 AT32 系列 MCU 上使用片上 Flash 來(lái)模擬 EEPROM 的應(yīng)用原理和軟件使用方法。Flash 與 EEPROM 的不同以應(yīng)用的角度
2021-11-18 16:21:0214 在一些應(yīng)用中，經(jīng)常需要存儲(chǔ)一些信息，掉電后可以保存。當(dāng)然，可以外掛eeprom，flash也可以。不過(guò)呢，占用空間，資源，增加成本，設(shè)計(jì)上的難度也會(huì)增加（況且，460的flash這么大，分出來(lái)一點(diǎn)
2021-11-23 18:06:4045 （4KB）接口為iic。外置eeprom芯片一般是作為MCU芯片內(nèi)部eeprom的補(bǔ)充，用于存儲(chǔ)設(shè)置參數(shù)。 SPI Flash的容量就大很多了，常見(jiàn)的32Mbit（4MB），我們已經(jīng)在ESP8266
2021-12-01 21:06:0818 Flash:Flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它Flash。既然兩者差不多，為什么單片機(jī)中還要既有Flash
2021-12-02 10:06:069 Flash:Flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它Flash。既然兩者差不多，為什么單片機(jī)中還要既有Flash
2021-12-02 10:51:2013 內(nèi)部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機(jī)內(nèi)部Flash的擦寫(xiě)次數(shù)僅有10k次，如果遇到想要存儲(chǔ)又多變，又需要掉電保存的數(shù)據(jù)，就顯得有點(diǎn)捉襟見(jiàn)肘了。我決定利用單片機(jī)
2021-12-02 11:36:2131 本文介紹了使用 HT32 系列微控制器的嵌入式 Flash 內(nèi)存來(lái)模擬 EEPROM 的軟件方法。
2022-06-07 11:14:175 flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程，一般用在即插即用設(shè)備中，這種存儲(chǔ)芯片可以通過(guò)高于普通電壓的作用來(lái)擦除或重寫(xiě)，EEPROM芯片一般用在需要頻繁存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但是數(shù)據(jù)量不大的場(chǎng)合，本實(shí)驗(yàn)以Atmel公司設(shè)計(jì)的AT24C02為例，來(lái)詳細(xì)描述EEPROM的基本操作。
2023-03-01 14:54:228632 
Flash和EEPROM都是非易失性存儲(chǔ)器，就是你設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留，如果是RAM的話掉電數(shù)據(jù)直接就丟了。
2023-03-08 14:07:0017556 在本文中，單片機(jī)開(kāi)發(fā)工程師將FLASH和EEPROM兩者之間的關(guān)系以及背景進(jìn)行了比較。
2023-07-10 10:57:582933 最開(kāi)始參加工作的時(shí)候，經(jīng)常聽(tīng)到有需求說(shuō)XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當(dāng)時(shí)只是覺(jué)得這兩個(gè)東西都是可以用來(lái)存數(shù)據(jù)，應(yīng)該大差不差。那真是這樣么？這篇就來(lái)說(shuō)說(shuō)EEPROM和FLASH的那些事。
2023-08-10 11:15:03598 
單片機(jī)常有Flash，而不常有EEPROM原因
2023-10-24 15:38:36333 
使用MCU Flash模擬EEPROM
2023-10-18 18:01:17386 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 在工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常使用EEPROM來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，為降低成本、節(jié)省PCB空間，外部EEPROM可以用片內(nèi)Flash加上特定的軟件算法代替。
2023-10-23 17:40:301010 
Flash與EEPROM一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。雖然MCU內(nèi)部的Flash和EEPROM一樣，可以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)的讀寫(xiě)，但是在寫(xiě)入的時(shí)候，是必須要先按扇區(qū)擦除的，這里也可以說(shuō)相當(dāng)于是一次操作的數(shù)據(jù)大小不同。
2023-12-01 17:52:48305 
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash Memory（閃存）是兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)，它們
2023-12-07 16:10:20517 ，STM32F103的Flash存儲(chǔ)器可以模擬EEPROM的功能，在本文中我們將詳細(xì)介紹如何使用STM32F103的Flash存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)EEPROM。 概述 EEPROM（Electrically
2024-01-09 11:21:36374 單片機(jī)為何需要Flash和EEPROM？它們有何作用？ 單片機(jī)是一種集成電路，具有處理器核心、內(nèi)存和外設(shè)等功能，通常用于嵌入式系統(tǒng)中。Flash和EEPROM則是單片機(jī)中常用的存儲(chǔ)器類型，它們具有
2024-01-18 11:43:40555 EEPROM和FLASH總體差異 ????部分MCU片內(nèi)不帶程序存儲(chǔ)器ROM，可執(zhí)行代碼只能放在外面的EEPROM、FLASH(外擴(kuò))中； ????單片機(jī)對(duì)于數(shù)據(jù)的處理和系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)采集，需要考慮
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