什么是光電轉換

　　光電轉換是通過光伏效應把太陽輻射能直接轉換成電能的過程。這一過程的原理是光子將能量傳遞給電子使其運動從而形成電流。這一過程有兩種解決途徑，最常見的一種是使用以硅為主要材料的固體裝置，另一種則是使用光敏染料分子來捕獲光子的能量。染料分子吸收光子能量后將使半導體中的帶負電的電子和帶正電的空穴分離。

　　在眾多太陽光電池中較普遍且較實用的有單晶硅太陽光電池、多晶硅太陽光電池及非晶硅太陽光電池等三種太陽光電池主要功能在將光能轉換成電能，這個現象稱之為光伏效應（photovoltaiceffect）。光伏效應在19世紀即被發現，早期用來制造硒光電池，直到晶體管發明后半導體特性及相關技術才逐漸成熟，使太陽光電池的制造變為可能。

　　光電轉換原理

　　概述：

　　被攝景物通過攝像機的光學系統在光電靶上成像，由于光像各點亮度不同，因而使靶面各單元受光照的強度不同，導致靶面各單元的電阻值不同。與較亮像素對應的靶單元阻值較小，與較暗像素對應的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現為靶面上各單元的不同電阻值，原來按照明暗分布的“光像”就變成了相應的“電像

　　從電子槍陰極發出的電子，在電子槍電場作用下高速射向靶面，并在偏轉磁場作用下按照掃描規律掃過靶面上的各個單元。當電子束接觸到靶面某個單元時，使陰極、光電靶、負載電阻RL及電源E構成一個回路。在負載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強處對應阻值較小，流過負載RL的電流就較大，因而RL兩端產生的壓降也就較大。負載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號。

　　光電轉換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機的光學鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時把各個像素的亮度轉變為在負載電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號。

　　光電效應：

　　當電子從外界獲得能量時將會跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時并不穩定，很快就會把獲得的能量釋放回到原來的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子，電子空出來的位置則稱為空穴。自由電子可能會因為摩擦或碰撞等因素損失能量，最后受到空穴的吸引而復合。例如，硅的最外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量，當硅最外層電子吸收到的光能量超過1.1ev時將會產生自由電子及空穴，稱之為光生電子空穴對（light-generatedelectron-holepairs）。電子空穴對的數目越多導電的效果也越好，因為光使得導電效果變好的現象稱之為光導效應（photoconductiveeffect）。

　　自由電子與空穴的多寡對電氣特性有很大的影響，越多的自由電子與空穴可以使導電性增加，同時也可以使輸出電流增加，因此可以推測陽光越強時生成的自由電子與空穴越多，則輸出電流也越大。然而如果只是單純的產生自由電子與空穴，將會因為摩擦及碰撞等因素失去能量，最后自由電子會與空穴復合而無法利用。為更有效的利用由電子與空穴來產生電流，因此必須加入電場使自由電子與空穴分離進而產生電流。產生電場的方式很多如PN接面、金屬半導體接面等，其中最常用的方式為PN接面。

　　提高自由電子濃度常用的方法是在硅中加入少量的五價原子，五價原子的四個價電子與硅鍵結后剩下一個價電子，使剩下的價電子游離只需要0.05ev，比原來的1.1ev小很多，在室溫超過200度k時即可使所有雜質產生自由電子，同樣在硅中加入少量的三價原子可以提高空穴濃度。在硅中加入五價原子后稱之為N型半導體，加入三價原子后稱之為P型半導體。N型半導體及P型半導體雖然帶有自由電子或空穴但本身仍然保持電中性，如果N型半導體及P型半導體內雜質濃度均勻分布則內部沒有電場存在。若將N型半導體及P型半導體接和在一起，會因為兩邊自由電子與空穴的濃度不同產生擴散。N型半導體中自由電子濃度較高，因此自由電子由N型半體向P型半導體擴散，同樣的空穴會由P型半導體向N型半導體擴散。擴散的結果使得接面附近的N型半導體失去電子得到空穴而帶正電，P型半導體失去空穴得到電子而帶負電。因為電荷密度不均因此在接面附近產生電場，如果有自由電子或空穴在電場內產生，則會因為受到電場的作用而移動，自由電子向N型半導體移動，而電洞向P型半導體移動，因此這個區域缺乏自由電子或空穴而稱之為空乏區。當光照射在空乏區內將硅原子的電子激發產生光生電子與空穴對，電子與空穴對會因為電場作用而使電池內的電荷往兩端集中，此時只要外加電路將兩端連接即可利用電池內的電力，這即是所謂的光電效應，也是太陽光電池的轉換原理。

　　光電轉換材料

　　是通過光生伏特效應將太陽能轉換為電能的材料。主要用于制作太陽能電池。太陽是一個巨大的能源庫，地球上一年中接收到的太陽能高達1.8×10（18次方）千瓦時。研究和發展光電轉換材料的目的是為了利用太陽能。光電轉換材料的工作原理是：將相同的材料或兩種不同的半導體材料做成PN結電池結構，當太陽光照射到PN結電池結構材料表面時，通過PN結將太陽能轉換為電能。太陽能電池對光電轉換材料的要求是轉換效率高、能制成大面積的器件，以便更好地吸收太陽光。已使用的光電轉換材料以單晶硅、多晶硅和非晶硅為主。用單晶硅制作的太陽能電池，轉換效率高達20%，但其成本高，主要用于空間技術。多晶硅薄片制成的太陽能電池，雖然光電轉換效率不高（約10%），但價格低廉，已獲得大量應用。此外，化合物半導體材料、非晶硅薄膜作為光電轉換材料，也得到研究和應用。

　　半導體光電器件是把光和電這兩種物理量聯系起來，使光和電互相轉化的新型半導體器件。光電器件主要有：利用半導體光敏特性工作的光電導器件、利用半導體光伏打效應工作的光電池和半導體發光器件等。

　　光電轉化效率的概念

　　單色光電轉化效率，即入射單色光子-電子轉化效率（monochromaticincidentphoton-to-electronconversionefficiency，用縮寫IPCE表示），定義為單位時間內外電路中產生的電子數Ne與單位時間內的入射單色光子數Np之比。其數學表達式見公式：

　　IPCE=1240Isc/（lPin）

　　其中Isc、l和Pin所使用的單位分別為μAcm-2、nm和Wm-2。

　　光電轉化效率的電流產生的過程

　　IPCE與光捕獲效率（lightharvestingefficiency）LHE（l）、電子注入量子效率finj及注入電子在納米晶膜與導電玻璃的后接觸面（backcontact）上的收集效率fc三部分相關。見公式：

　　IPCE（l）=LHE（l）*finj*fc=LHE（l）*f（l）

　　其中finj′fc可以看作量子效率f（l）。由于0￡LHE（l）￡1，所以對于同一體系，IPCE（l）￡f（l）。兩者相比，IPCE（l）能更好地表示電池對太陽光的利用程度，因為f（l）只考慮了被吸收光的光電轉化，而IPCE（l）既考慮了被吸收光的光電轉化又考慮了光的吸收程度。譬如，若某電極的光捕獲效率為1%，而實驗測得量子效率f（l）為90%，但其IPCE（l）只有0.9%。作為太陽能電池，必須考慮所有入射光的利用，所以用IPCE（l）表示其光電轉化效率更合理；作為LB膜或自組裝膜敏化平板電極的研究主要用來篩選染料而不太注重光捕獲效率，所以常用f（l）表示光電轉化效果。在染料敏化太陽能電池中，IPCE（l）與入射光波長之間的關系曲線為光電流工作譜。