隨著國際電子信息行業新的變革，3D封裝蓬勃興起。為了在封裝之內硬塞進更多功能，芯片制造商被推到了極限。此外，我們不能忘記更加棘手的互連問題。采用Z方向封裝，或者說3D芯片封裝是很好很合理的解決方式。

　　3D封裝的出現，改變了以往先封裝后組裝的模式，使封裝工藝與前道工藝緊密地結合在一起。為了延續摩爾定律的增長趨勢，芯片技術已進入“超越摩爾定律”的3D集成時代。以模塊化封裝，晶圓級封裝和硅通孔技術為標準的3D封裝集成技術將加速CMOS晶圓廠的合并、以及向無晶圓廠模式轉變的趨勢，最終3D封裝技術與SMT技術合二為一。

　　3D封裝發展中的難題：

　　1，減薄：減薄技術面臨的首要挑戰就是超薄化工藝所要求的<50μm的減薄能力。

　　2，3D-TSV面臨通孔的刻蝕問題。

　　3，質量評價與檢測技術相關設備。

　　4，實時工藝過程的實時檢測問題：這一問題會導致出現高損耗。

　　3D技術遇到的這些問題現已經解決。電子發燒友們已經研究出了相應的解決方法與儀器。

　　許多公司都在尋求密度更高的3D芯片封裝。Amkor、IBM、IMEC、Intel、Qimonda AG、Samsung, STATS ChipPAC、Tessera、德州儀器、Tezzaron、Xanoptix、Ziptronix以及ZyCube都在研究3D芯片封裝。

　　例如，先進半導體組裝和測試服務提供商Amkor技術公司，以及位于比利時的非贏利性的納米電子和納米技術研究中IMEC，達成了一個為期兩年的合作協議，開發成本效益高的3D集成技術，此技術將基于晶圓級處理技術。

　　另外IBM和3M公司計劃聯合開發粘合劑把半導體封裝為密集地疊放的芯片塔—3D封裝。使用這種芯片將提高智能手機、平板電腦、計算機和游戲設備的速度。估計將實現提速1000倍。

　　可見3D封裝技術正一步步走向成熟，正慢慢的成為封裝技術的首選。小編相信3D封裝會在檢測儀器與接口器件等領域掀起一股革新的潮流，必將為封裝技術的發展做出巨大的貢獻。