大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

參考來(lái)源：Exploiting SiC MOSFET Modules in High Current Applications 報(bào)告作者：Stephen Finney

編輯：黃飛

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MOSFET(209664) MOSFET(209664)
SiC(61351) SiC(61351)

評(píng)論

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2018-12-04 10:11:50

驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請(qǐng)問(wèn)：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過(guò)柵極絕緣膜的漏電流減小了90％，并將

2012-12-17 09:03:36

962

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。

2018-05-17 09:33:13

13514

為何使用SCALE門極驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET？

PI的SIC1182K和汽車級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。

2020-08-13 15:31:28

2476

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

1670

如何有效地測(cè)量SiC MOSFET

和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開(kāi)關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測(cè)量 SiC MOSFET。

2022-07-27 11:03:45

1512

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

1687

具有集成3相SiC MOSFET的液冷模塊

CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開(kāi)關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（SiC） MOSFET 智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品系列。

2022-08-04 15:38:38

737

全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備

2022-11-06 21:14:51

956

SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？

SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)和用例是什么？

2022-12-28 09:51:20

1034

Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造

一、SiC模塊的特征電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-01-12 16:35:47

489

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。

2023-02-06 14:39:51

645

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT

2023-02-07 16:48:23

646

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。

2023-02-08 13:43:21

366

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。

2023-02-08 13:43:21

685

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。

2023-02-08 13:43:23

340

低邊SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。

2023-02-09 10:19:20

301

低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為

通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...

2023-02-09 10:19:20

335

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

1333

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

　　在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。

2023-02-12 15:29:03

2100

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

2023-02-13 09:30:04

331

SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)及特性

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，

2023-02-16 09:40:10

2935

SiC·IGBT/SiC·二極管/SiC·MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

EN-1230A可對(duì)各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)如開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間

2023-02-23 09:20:46

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過(guò)SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。

2023-02-23 11:27:57

736

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 11:48:18

426

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

2023-02-24 11:49:19

481

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。

2023-02-24 11:51:08

430

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路

下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)（VG）時(shí)序。

2023-02-27 13:41:58

737

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(五)驅(qū)動(dòng)電源調(diào)研

3.1 驅(qū)動(dòng)電源SiC MOSFET開(kāi)啟電壓比Si IGBT低，但只有驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到18V～20V時(shí)才能完全開(kāi)通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對(duì)比 Cree的產(chǎn)品手冊(cè)

2023-02-27 14:41:09

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動(dòng)方案

驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開(kāi)啟電壓較

2023-02-27 14:42:04

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(四)SiC MOSFET傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)

時(shí)，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過(guò)負(fù)向安全電壓，干擾驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓等問(wèn)題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運(yùn)行，需從驅(qū)動(dòng)側(cè)對(duì) S

2023-02-27 14:43:02

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 10:49:07

1102

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問(wèn)題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。

2023-08-08 11:05:57

428

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊

2023-09-14 19:15:14

353

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法

2023-10-27 11:00:52

419

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

2023-12-05 17:10:21

439

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

2023-12-07 16:00:26

157

怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？

怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些

2023-12-21 11:15:52

272

SIC MOSFET在電路中的作用是什么？

SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC

2023-12-21 11:27:13

686

水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)

利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

2024-03-13 14:31:46

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大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

評(píng)論