安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產品,籍此擴展市場領先的低RDS(on) MO,同時優化了安全工作區、漏極電流和柵極電荷.

　　奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產專家，今日宣布推出有史以來最低RDS（on）的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經是業內公認的低壓、低RDS（on）的領先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現，并不影響最大漏極電流（ID（max））、安全工作區（SOA）或柵極電荷QG等其他重要參數。

　　很多應用均需要超低RDS（on）器件，例如ORing、熱插拔、同步整流、電機控制與電池保護等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，某些具有類似Rdson值的同類器件，由于單元間距縮小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作區指標）及Idmax額定電流需要降額。安世半導體的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高達380A的最大額定電流。該參數對電機控制應用尤為重要，因為電機堵轉或失速的瞬間可能在短時間內會導致很大的浪涌電流，而MOSFET必須承受此浪涌才能確保安全可靠的運行。一些競爭對手僅提供計算出的ID（max），但安世半導體產品實測持續電流能力高達380A。

　　該器件采用安世半導體LFPAK56封裝兼容5×6mm Power-SO8封裝，提供高性能銅夾結構，可吸收熱應力，從而提高質量和壽命可靠性。

　　安世半導體的功率MOSFET產品經理Steven Waterhouse表示：“借助我們最新的NextPowerS3 MOSFET，意味著電源工程師現在比以前擁有更多的選擇來打造市場領先的產品——電池可以持續更長時間，電機可以提供更大扭矩，服務器可以更加可靠?！?/p>

　　典型應用包括：電池保護；直流無刷（BLDC）電機（全橋，三相拓撲）；ORing服務器電源、熱插拔和同步整流。