自給偏壓電路
　　如圖，為自給偏壓電路。電容對Rs起旁路作用——源極旁路電容。

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計算法
　　計算法采用下列公式求解:


　　式子的IDSS稱為飽和電流，即為VGS=0時ID的值；VP稱為夾斷電壓，當VGS=VP時，漏極電流ID為0。
　　讓我們來看一個例子,電路如圖.
　　已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述兩個公式得：


　　求解此兩方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
　　因為-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合題意，舍去，故靜態(tài)漏極電流IDQ為
　　IDQ=0.30mA；
　　靜態(tài)管壓降VGSQ、VDSQ分別為


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場效應管的特點:

1.場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,應此對于信號源額定電流極小的情況下，常選用場效應管。
　　2.場效應管是多子導電,晶體管是兩種載流子參與導電。但少子受環(huán)境影響明顯。
　　3.場效應管FET和晶體管BJT一樣具有放大作用，而且這兩種放大元件間存在著電極對應關系G-b，S-e，D-c。因此根據BJT電路，即可得到與之對應的FET放大電路。但不能簡單地加以替換，否則有時電路不能正常工作。場效應除作放大器件及可控開關外還可作壓控可變線性電阻使用。
　　4.場效應管S極和D極是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管柵源電壓可正可負使用比晶體三極管靈活。
　　5.場效應管組成放大電路時與晶體管一樣，必須選擇合適的靜態(tài)工作點，柵極必須有合適的偏壓，但不出現偏流，對不同類型場效應管對偏壓的極性要求不同，特列如下：

　　注：JFET表示結型場效應管，DMOS表示耗盡型場效應管；EMOS表示增強型場效應管。