近年來，隨著電子技術和信息技術的飛速發展，壓力測量已經深入到科研和工程技術的各個領域，尤其是近年來由于低功耗、多功能單片微處理器、高精度∑一△、A／D與D／A變換器件的面世，為研制通用型高精度智能變送器打下了扎實的物質基礎。對于諸如溫度、濕度、流量、位移等物理量的測量與控制，如何提高系統的可靠性與精度，減少外部連接線，對于量程浮動、輸出信號可遠傳和隨量程線性轉移，以及一機多用——即以同一檢測模板用于不同物理量的檢測場合，并滿足多種線性與非線性輸入信號的精度要求等課題，已越來越為廣大科技人員所關注

在工業現場有大量的壓力測點需要測量。選擇高性能的信號調理器，將傳感器信號轉化為標準信號進行現場傳輸，解決工控現場干擾的影響，顯得尤為關鍵。文中介紹了基于INA333和XTR115的壓力變送器，完成對傳感器信號調理，將傳感器信號轉變為4—20mA標準電流信號輸出，外圍電路簡單，具有精度高、抗干擾性能強、能耗低、安全可靠等特點。

INA333是一種低功耗，精密儀表放大器，提供良好的準確性。多功能三運放儀表放大器的運算設計，小尺寸和低功耗，使其適合各種便攜式應用。

XTR115屬于二線制電流變送器，內部的2．5 V基準電壓可作為傳感器的激勵源。XTR115可將傳感器產生的40～200μA弱電流信號放大100倍，獲得4～20 mA的標準輸出。當環路電流接近32 mA時能自動限流。如果在3腳與5腳之間并聯一只電阻，就可以改變限流值。

芯片中增加了+5 V精密穩壓器，其輸出電壓精度為±0．05％，電壓溫度系數僅為20x10-6／℃，可給外部電路（例如前置放大器）單獨供電，從而簡化了外部電源的設計。

基于INA333和XTR115的壓力變送器

下面介紹了一種基于INA333和XTR115的壓力變迭器的研制。通過對壓力變送器原理的研究，進行了傳感器殼體無應力安裝設計和高精度、高可靠性變送電路的設計，并采用了溫度補償提高變送器溫度性能，最后進行一系列性能驗證試驗，證明了該壓力變送器性能良好，精度達到預期范圍，具有一定推廣應用價值。

研究原理

壓力變送器硬件包括傳感器模塊、信號放大模塊和V／I轉換模塊。傳感模塊將被測物理量轉換成電信號，信號放大模塊通過儀表放大器對傳感器微弱信號進行濾波、放大，然后通過電壓一電流轉換模塊進行標準化處理，實現4—20mA標準電流信號輸出。

結構設計及實現

壓力敏感元件

設計中采用MPM280型壓阻式壓力敏感元件。它是一種不銹鋼波紋膜片隔離的充油式OEM壓力敏感元件。被測壓力通過隔離膜片和灌注的硅油傳遞到具有惠斯登電橋和精密力學結構的硅壓敏芯片上，實現了被測壓力和輸出信號的精確轉換。敏感元件經計算機自動測試，通過激光調阻進行零點和溫度性能補償。元件尺寸具有較強的互換性，可廣泛用于與不銹鋼和氟橡膠相兼容的各種流體壓力的檢測。

壓力變送器結構設計

外形接口設計

壓力變送器結構設計為標準接口，機械連接采用M2OX1標準螺紋，通過六方進行擰緊作業，電氣連接采用郝斯曼接頭。產品接口標準，安裝適用性強。

變送器內部設計

為了確保敏感芯片的高穩定性、高可靠性和高精度，芯片在結構體內安裝采用“懸浮式”結構，在徑向通過氟橡膠密封圈連接，在軸向可有一定間隙的余量，能自由浮動。這種結構消除了敏感芯片在裝配時產生的機械應力。同時，變送器安裝螺紋及六方設計均遠離敏感芯片安裝區域，實現真正意義上的無應力安裝。如圖1所示。

變送器總體結構設計

變送器在設計上還考慮了壓力測量通道、變送器安裝、線纜輸出等各項功能的實現，變送器內部結構緊湊，總體尺寸小。

變送電路設計及溫度補償

電路設計

變送電路主要由傳感器信號放大和v／I轉換2個部分組成，具體結構如圖2所示。

傳感器信號放大選用INA333芯片。該芯片通過專有的開關電容型陷波濾波技術來消除斬波噪聲，確保了芯片50nV／rt—Hz的超低輸入電壓噪聲；芯片采用零漂移技術，實現電路高精度和長期穩定性；芯片具有75 A的靜態電流與1．8V的電源工作電壓，大大提升了電源效率。

V／I轉換部分的核心是XTR115電流環芯片。XTR115芯片是專為工業控制領域4～20mA電流環設計的芯片，電流放大增益系數為100。它的供電電壓為7．5～36V，同時具有5V的電源輸出和2．5V的參考源輸出，這大大降低了系統設計的難度，同時提高了電流環輸出的精度。

設計中，在XTR115前端增加由D、D2、I）3、D組成的二極管整流橋，可以防止使用時電源線反向而導致電路損壞，并且采用電壓保護二極管D，將電源門限控制在36V之內，防止電路電壓過載。INA333芯片和傳感器供電均由XTR115芯片提供，XTR115能提供小于4mA的供電電流，INA333芯片的超低功耗，為傳感器供電提供了充分保障，傳感器供電能達到3．5mA，可以保證傳感器正常工作。在INA333的輸入端增加RC濾波器配合芯片特有的陷波濾波技術，大幅度降低了射頻干擾，顯著降低RF引起的失調電壓變化的影響。

溫度補償

為提高傳感器精度和長期穩定性，通過對硅壓阻式壓力傳感器采用PN結補償法對傳感器溫度偏差實施補償，以減小傳感器存在零點偏差和溫度漂移對變送器整體輸出信號的影響。如圖3所示。

通過利用PN結的偏置電壓靈敏度為一2mV／~C的負溫度特性，在電橋電源部分增加一個或多個PN結，對傳感器溫度漂移誤差進行補償。二極管的數量由下述公式來決定：

式中：0為二極管的溫度系數，一般取一2mV／~C；△為溫度變化范圍；AU為變化的電橋需要變化的電壓數值。

性能試驗及結果

研制過程中，主要針對變送器進行了抗高頻干擾對比試驗、溫度性能試驗、零點漂移試驗和線性度測試。

干擾對比試驗

試驗環境：常壓；試驗溫度：20℃；試驗方式：利用現有試驗條件，采用高頻對講機為干擾源，對課題研究的變送器和采用普通放大器搭建的變送器進行性能干擾測試對比。試驗結果如下：

（1） 課題研究的變送器：對講機干擾源在20cm范圍內，變送器波動小于40mV；在20em之外，變送器波動小于10mV．

（2）普通變送器：對講機干擾源在20em范圍內，變送器波動達500mV；在20cm之外，變送器波動達85mV．通過上述結果可見，課題研制的變送器抗干擾性能良好，即使在復雜環境下使用，也不會影響變送器正常工作。

溫度性能試驗

測試過程中通過串接250Q標準電阻測量輸出電壓值，以下同。

溫度試驗將溫度調節至指定溫度點，持續1h后進行數據記錄，具體數據如表1，圖4為試驗時間為1h的溫度曲線圖。

試驗結果：在60℃以下溫度范圍內，變送器溫度漂移為1．3mV／℃，溫度漂移精度優于0．05％FS／℃．

零點漂移試驗

試驗環境：常壓；試驗溫度：20℃；試驗時間：3h；試驗結果：由原始值1．250V變化至1．251V，穩定性優于0．1％。

線性度標定

具體標定參數如表 2所示。

試驗結果：線性度和重復性均優于0．2％。

通過一系列的性能試驗，驗證了該變送器的實際精度達到預期目標，具有較好的溫度性能、長期穩定性和抗高頻干擾性能，該變送器滿足實際應用的要求，具有一定的推廣價值。