雙閘極MOS FET的混頻器電路
混頻電路系將高頻放大電路送來之信號與本地振蕩電路送來之信號予以混合,再變換成
中間頻率之接收用頻率變換電路。變換用的元件主要是使用雙極電晶體、二極體、雙閘極M
OS FET等。
圖10-1之電路中,高頻放大電路送來之信號輸入至第1閘極G1,本地振蕩電路之
信號則輸入至第2閘極G2,此二個輸入信號於FET內(nèi)部混合之同時并且放大,經(jīng)頻率變
換後之中間頻率信號便輸出了。
本地振蕩信號送入使用FET混頻電路閘極的電平要調(diào)整至0.5~0.8V左右,由於輸
入阻抗高,所以本地振蕩電路之振蕩線圈不需要中間抽頭,而且T1,T2要分別設定於輸
入、輸出頻率。線圈的數(shù)值同先前提出之表2-1。
雙閘極MOS FET的混頻器電路
- 混頻器(44814)
- 雙閘極(5088)
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