女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

DT半導(dǎo)體

文章:162 被閱讀:25.6w 粉絲數(shù):14 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):4

廣告

TOPCon降本路徑及主流量產(chǎn)路線分析

TOPCon量產(chǎn)效率突破25%,效率提升路徑清晰。目前先導(dǎo)智能的GW級(jí)TOPCon整線量產(chǎn)效率突破2....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-08 10:09 ?2991次閱讀

三代半導(dǎo)體材料的區(qū)別是什么

研究機(jī)構(gòu):“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到18.4億美元,2025年會(huì)進(jìn)一步增....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-08 10:02 ?1145次閱讀

氮化鎵新技術(shù)突破!

N極性GaN HEMT是目前業(yè)界的研究熱點(diǎn)。
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-02 15:54 ?1123次閱讀

鈣鈦礦電池制備及設(shè)備市場(chǎng)空間幾何

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池:鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,采用具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)無(wú)機(jī)雜化的金屬鹵化物作為吸光層。鈣鈦....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-02 10:38 ?2079次閱讀

構(gòu)筑高效且穩(wěn)定的埋底異質(zhì)結(jié)助力鈣鈦礦電池光穩(wěn)定性?

金屬鹵化物鈣鈦礦太陽(yáng)電池因其低成本、高效率的優(yōu)勢(shì),獲得了廣泛的關(guān)注。然而,其使用壽命較短成為實(shí)用化的....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 12-02 10:34 ?1189次閱讀

使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末,純度99.999%,采用中頻感應(yīng)加熱,銥金發(fā)熱體、銥金模具,銥 金坩....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 11-23 11:06 ?3964次閱讀

金剛石拉曼激光器:20W單頻連續(xù)波1178nm激光輸出

通過(guò)主動(dòng)調(diào)控二次諧波晶體的相位匹配,在保證多縱模被有效抑制的情況下,減少二次諧波轉(zhuǎn)化對(duì)基頻光的損耗,....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-27 16:16 ?2298次閱讀

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-27 09:35 ?8225次閱讀

金剛石晶格約束下二維固態(tài)氦盤的晶體結(jié)構(gòu)介紹

金剛石憑借其具有超寬帶隙(~5.5eV)、低介電常數(shù)、高載流子遷移率以及極高的擊穿強(qiáng)度以及耐腐蝕性等....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-20 15:55 ?1556次閱讀

量子探針實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)和應(yīng)力張量的原位測(cè)量

研究人員還在80 GPa高壓下實(shí)現(xiàn)了金剛石NV中心自旋量子態(tài)相干調(diào)控,并用該微區(qū)量子探針實(shí)現(xiàn)了磁場(chǎng)和....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-20 09:59 ?1326次閱讀

新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

然而,自然界中的硅原子并不喜歡sp2雜化方式的平面二維結(jié)構(gòu),碳硅化合物晶體多數(shù)不存在像石墨一樣的層狀....
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 10-20 09:23 ?1538次閱讀

ADAS加速市場(chǎng)滲透與高階化發(fā)展并行

背照式結(jié)構(gòu)通過(guò)將金屬電路層移至光電二極管后面,可改善以上前照式結(jié)構(gòu)的缺陷,避免光線因?yàn)殡娐穼拥恼趽鹾?...
的頭像 DT半導(dǎo)體 發(fā)表于 06-10 11:34 ?1528次閱讀