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國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC

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碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢

  硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 11-10 09:36 ?2374次閱讀

提高電動汽車性能的SiC電力電子器件

在電動汽車設(shè)計(jì)方面,提高續(xù)航里程的最有效方法是提高電池電壓。
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 11-09 10:38 ?1238次閱讀
提高電動汽車性能的SiC電力電子器件

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能,在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 11-08 09:30 ?1750次閱讀

碳化硅相對于硅的優(yōu)勢

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 11-07 09:45 ?1926次閱讀
碳化硅相對于硅的優(yōu)勢

功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢

半導(dǎo)體(Semiconductor)是現(xiàn)代電子信息社會的物理基石,并已成為推動各種革命性變革和創(chuàng)新的....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 10-31 09:19 ?1766次閱讀
功率半導(dǎo)體的發(fā)展階段 碳化硅功率器件的三大優(yōu)勢

碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動汽車、混合動力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 10-25 09:40 ?1605次閱讀
碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

SiC相對于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢如何

碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn),即不可否認(rèn)的優(yōu)勢推動技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 10-13 09:24 ?1755次閱讀

碳化硅二極管優(yōu)于同行的8個原因

SiC的導(dǎo)熱性比Si好近3.5倍,使其每單位面積可以耗散更多的功率(熱量)。雖然封裝可能是連續(xù)運(yùn)行期....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 10-12 16:04 ?1805次閱讀
碳化硅二極管優(yōu)于同行的8個原因

用于電動汽車電力電子的碳化硅器件:優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

隨著對電動汽車(EV)需求的持續(xù)增長,制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 09-27 09:48 ?949次閱讀

碳化硅在電動汽車的應(yīng)用

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 09-20 09:49 ?860次閱讀
碳化硅在電動汽車的應(yīng)用

SiC的電力電子器件的主要優(yōu)勢

? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 09-18 09:05 ?38434次閱讀

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 09-06 09:48 ?697次閱讀

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢

? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 09-05 09:04 ?3076次閱讀

光耦繼電器的工作原理和優(yōu)點(diǎn)

光耦繼電器是一種電子元器件,也是固態(tài)繼電器的一種,其主要作用是隔離輸入與輸出電路,用于保護(hù)或者控制電....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 08-24 11:09 ?2762次閱讀

碳化硅的性能和應(yīng)用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 08-19 11:45 ?4112次閱讀

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用,具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢,它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 08-18 09:52 ?2028次閱讀
芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場景及其影響

  碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 08-16 10:28 ?1538次閱讀

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場景

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 07-21 11:42 ?1680次閱讀

光耦合器和光隔離器的不同點(diǎn)有哪些?

光耦合器也稱為光隔離器、光電耦合器或光隔離器,是利用光在兩個隔離電路之間傳輸電信號的組件。
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 07-04 09:40 ?2056次閱讀
光耦合器和光隔離器的不同點(diǎn)有哪些?

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 05-10 09:43 ?2474次閱讀
碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 04-27 14:05 ?1112次閱讀

光耦器件在工業(yè)通信應(yīng)用中的應(yīng)用-國晶微半導(dǎo)體

光電耦合器作為一種非常重要的光電器件,能夠調(diào)節(jié)電流的狀態(tài),可以滿足當(dāng)前工業(yè)系統(tǒng)高規(guī)格的隔離和保護(hù)要求....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 04-07 09:49 ?1205次閱讀

碳化硅MOSFET在汽車動力逆變器中的優(yōu)勢有哪些呢?

新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發(fā)越來越多的性能設(shè)備,特點(diǎn)是更高....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 04-01 09:47 ?2456次閱讀

用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 03-30 17:37 ?1458次閱讀

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢?

硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對容易獲得。
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 03-07 11:02 ?1063次閱讀

碳化硅半導(dǎo)體與行業(yè)的未來!

雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 02-06 11:11 ?1373次閱讀

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 01-31 09:45 ?3304次閱讀

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 01-05 11:23 ?1771次閱讀

碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢及應(yīng)用范圍

與硅相比,SiC和GaN(不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體,而且作為材料本身)在品質(zhì)因數(shù)(εμeEc3)方面顯示....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 12-16 09:45 ?4063次閱讀

碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)

一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比,這兩種化....
的頭像 國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC 發(fā)表于 12-13 10:01 ?14403次閱讀