NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅動器。專有的閂鎖免疫CMOS技術可以實現高....
超結MOS采用垂直結構設計,在漂移區內交替排列垂直的P型柱區和N型柱區,形成“超級結”單元,通過電荷....
在“雙碳”目標驅動下,光伏逆變、儲能系統及工業變頻領域對功率模塊的高效率、高功率密度需求持續攀升。三....
在現代電子電路設計和應用中,寄生參數是指那些并非設計者最初所期望的,但在電路或元器件中由于物理結構、....
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產品研發部門推出....
在汽車電子行業飛速發展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設計的重要方向。車規級 PDF....
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術I....
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能,防....
近日,全球半導體市場峰會在上海成功召開。會上,世界集成電路協會發布了全球半導體企業綜合競爭力百強報告....
150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品采用全新屏蔽柵溝槽技術,特征導通電阻Rsp(導通電....
新潔能650V Gen.7系列IGBT產品,基于微溝槽場截止技術,可大幅提高器件的元胞結構密度。采用....
雪崩耐量是功率器件性能評估的關鍵指標,那么什么是雪崩耐量呢?即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓....
在變頻器輔助電源或光伏逆變器中,輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后,為驅動IC、主控MCU、通訊模....
功率開關器件的規格書上有著多種多樣的數據,如靜態特性參數,動態特性參數,開關特性參數等等。其中靜態特....
近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業年度“戰略供應商”稱號。 在過去的一年中,新潔能憑借優秀的產品質....