什么是MOS管
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（M....
聲學(xué)基礎(chǔ)知識
音叉振動(dòng)時(shí)，激勵(lì)周圍空氣質(zhì)點(diǎn)振動(dòng)，產(chǎn)生一個(gè)壓強(qiáng)波動(dòng)疊加在大氣壓上。由于空氣具有可壓縮性，在質(zhì)點(diǎn)的相互....
助聽器中可接受聲音延遲度的研究和標(biāo)準(zhǔn)建議
聲音的延時(shí)，是個(gè)對立矛盾的指標(biāo)。怎樣的聲音延遲水平是可以接受的。這個(gè)問題在助聽行業(yè)已經(jīng)討論了20多年....
SAR ADC的工作原理是什么？SAR ADC的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些？
SAR ADC 是逐次逼近 ADC 的簡稱（successive approximation reg....
怎樣使用命令提示符批量自動(dòng)運(yùn)行仿真呢？
由于在運(yùn)行仿真后，系統(tǒng)保留的數(shù)據(jù)會(huì)占用較大的硬盤空間，因此在大多數(shù)情況下，仿真生成的文件將在運(yùn)行結(jié)束....
利用電壓源設(shè)置電阻參數(shù)以及使用.OP分析創(chuàng)建可變電阻的方法
通常在 LTspice 中，電阻元件的參數(shù)被設(shè)置為常數(shù)，例如 R = 10Ω，但也可以使用 R = ....
深度學(xué)習(xí)在語音增強(qiáng)中的應(yīng)用
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，語音作為新一代人機(jī)交互方式，成為人和智能設(shè)備、語音助手交流的重要接口，然而在真實(shí)....
用Behavioral Voltage Sources創(chuàng)建任意波形
通過使用 Behavioral Voltage Sources (BV)，可以將 Excel 和函數(shù)....
TL43X分流型基準(zhǔn)電壓源簡介
TL43X系列是三端可調(diào)并聯(lián)調(diào)節(jié)器，在適用的溫度范圍內(nèi)具有特定的熱穩(wěn)定性。通過兩個(gè)外部電阻器，可以設(shè)....
用.meas命令確認(rèn)電壓最大、最小值
第一步：點(diǎn)擊 Run 按鈕，開始運(yùn)行模擬。探測輸出 (OUT) 節(jié)點(diǎn)和負(fù)載電流 (I1)，確認(rèn)輸出電....
如何在LTspice中進(jìn)行蒙特卡羅分析？
蒙特卡羅分析法又稱統(tǒng)計(jì)模擬法、隨機(jī)抽樣技術(shù)，是一種隨機(jī)模擬方法。通過使用隨機(jī)數(shù) (或更常見的偽隨機(jī)數(shù)....
LTspice---DC-DC轉(zhuǎn)換器仿真
在實(shí)際器件上檢查以上要素是必不可少的步驟，但在制作電路板之前，通過在桌面上計(jì)算并驗(yàn)證設(shè)計(jì)值同樣也非常....
三端穩(wěn)壓器與LDO穩(wěn)壓器的區(qū)別
典型三端穩(wěn)壓器（也稱標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器）的輸出晶體管使用NPN型晶體管或N溝道MOSFET。
LDO簡介
LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系統(tǒng)中廣泛使用的器件，也是最基本的模擬類....
如何通過一種系統(tǒng)化方法來量化電源噪聲電壓電平對相位噪聲的影響
大家知道，為實(shí)現(xiàn)低相位噪聲性能，尤其是超低相位噪聲性能，必須使用低噪聲電源才能達(dá)到最佳性能。
DPPM（動(dòng)態(tài)電源路徑管理）與VINDPM（輸入電壓動(dòng)態(tài)電源管理）區(qū)別
圖1顯示了使用DPM控制的高效開關(guān)模式充電器。MOSFET Q2、Q3與電感器L組成了一個(gè)同步開關(guān)降....
保護(hù)系統(tǒng)不受反向電流的影響
在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出....
N-MOS工藝芯片與P-MOS工藝芯片對比
低延時(shí)的驅(qū)動(dòng)單元將功率管的柵極電壓拉低，達(dá)到限制Power NMOS電流的大小的目的
電路中品質(zhì)因數(shù)的定義
Q 值是為了更好的研究電路諧振時(shí)的性質(zhì)而引入的一個(gè)物理量，Q 是 Quality factor 的縮....
工商網(wǎng)監(jiān)