深圳市驪微電子科技文章

• NCP1342驅(qū)動氮化鎵國產(chǎn)替代—PN82132022-05-17 11:16

  

  自從小米發(fā)布了旗下第一款采用GaN技術(shù)的充電器，市場上便掀起了GaN“快充風(fēng)”，目前國內(nèi)市場上手機(jī)、筆記本、平板等電子產(chǎn)品的GaN快充產(chǎn)品的核心器件—GaN驅(qū)動IC，基本上都依賴進(jìn)口，驪微電子推出NCP1342驅(qū)動氮化嫁國產(chǎn)替代芯片—PN8213，適用于65W氮化鎵充電器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■內(nèi)置高壓啟動電路■供電電壓9~57V,

  驅(qū)動 2155瀏覽量

• NCP1342替代料PN8213 65W氮化鎵pd充電器方案2022-05-07 11:36

  

  氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之際，65W這個功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點(diǎn)，從而率先成為了各大品牌的必爭之地，ncp1342替代料PN8213氮化鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■內(nèi)置高壓啟動電路■供電電壓9~57V,適合寬輸出電壓應(yīng)用■Valle

  充電器 1792瀏覽量

• 30V MOS管N溝道PKC26BB替代料SVG032R4NL52022-05-04 16:41

  

  MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管和N溝道MOS管，SVG032R4NL5采用LVMOS工藝技術(shù)制造是100A、30VN溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，可兼容替代尼克森PKC26BB。PKC26BB替代料SVG032R4NL5特點(diǎn)■100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ@Vcs=10V■低柵極電荷■低反向傳輸

  MOS管 1606瀏覽量

• 降壓eup3270芯片4A輸出QC3.0快充方案2022-04-28 15:07

  

  EUP3270是一款能夠驅(qū)動4A連續(xù)負(fù)載并帶有優(yōu)良線性和負(fù)載調(diào)整率的的同步降壓型變換器，故障保護(hù)包括電流限制，短路保護(hù)和熱關(guān)斷。內(nèi)部軟啟動系統(tǒng)能夠在芯片啟動過程實(shí)現(xiàn)小的浪涌電流和輸出過沖。降壓eup3270芯片特點(diǎn)■4.5V到30V寬輸入電壓范圍■80KHz到800KHz的的開關(guān)頻率可調(diào)■CC/CV的模式控制■達(dá)到4A的輸出電流■+/-1.5%電壓基準(zhǔn)精度■

  芯片 1264瀏覽量

• 60v mos管ao4264E/VS6410AS替代料SVGP069R5NSA2022-04-26 17:32

  

  SVGP069R5NSA采用sop-8封裝，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量，14A、60V的電流、電壓，RDS(on)=8.0mΩ(typ)，最高柵源電壓@VGS=±20V，典型應(yīng)用于10W-44W快充。60vmos管SVGP069R5NSA特點(diǎn)■開關(guān)速度快■提升了dv/dt能力■低柵極電荷■低反向傳輸電容■14A,60V,RDs(o

  MOS管 1141瀏覽量

• 60v mos管萬代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA2022-04-21 17:38

  

  MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管是市面上最常見之一，在實(shí)際使用的過程中，MOS管既可用于放大電流，又可以作為電子開關(guān)。SVGP069R5NSA貼片mos60v特點(diǎn)■14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0mΩ@Vcs=10V■低柵極電荷■低反向傳輸電容■開關(guān)速度快■提升了dv/dt能力SV

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• hy1710場效應(yīng)管代換料APG042N01 145a 100v mos管2022-04-14 16:50

  

  MOS管是電子制造的基本元件，不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管及功能和特性有所不同，影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容等，同一類型不同品牌間耐壓、導(dǎo)通電阻、封裝基本一致的話也可相互兼容代換的。hy1710場效應(yīng)管代換料APG042N01特征■100V,145A,RDs(on)>

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• 100v p型mos管to252封裝UTT50P10參數(shù)2022-04-06 16:52

  

  MOS管有兩種：一個是PMOS管，一個是NMOS管；Pmos管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時，導(dǎo)電溝道建立，一般用于管理電源的通斷，屬于無觸點(diǎn)開關(guān)，柵極低電平就完全導(dǎo)通，高電平就完全截止。100vp型mos管UTT50P10特點(diǎn)■VDS=-100V■ID=-50A■RDS(ON)≤60m?@VGS=-10V,ID=-20A■開關(guān)速度快100vpmos管參數(shù)UTT50P10100vpm

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• PN8015交直流轉(zhuǎn)換芯片5V0.2A風(fēng)扇應(yīng)用2022-01-10 15:44

  

  PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，輸出電壓3.3V~24V可通過FB電阻調(diào)整，適用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多種架構(gòu)，廣泛應(yīng)用于非隔離輔助電源、家電、智能家居、LED等領(lǐng)域。PN80155V0.2A風(fēng)扇應(yīng)用方案：■輸入電壓：90~265V■輸出功率：≤1W■輸出電壓電流:5V/0.2A■擁有可恢復(fù)短路保護(hù)，輸出過載保護(hù)。電源板輸出5V、2

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• LNK364代用芯片PN8192C電磁爐/微波爐芯片2022-01-08 09:43

  

  PN8192C是一款高性能、外圍元器件精簡、低功耗的交直流轉(zhuǎn)換電源，集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET，可以兼容替代LNK364，廣泛應(yīng)用于家電、LED照明、工業(yè)控制等領(lǐng)域。LNK364替代芯片PN8192C特征■內(nèi)置730V高可靠性MOSFET■內(nèi)置高壓啟動和自供電電路■DIP7封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率5.5W@230VAC■SOP7封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率5W@230VAC■無需環(huán)路補(bǔ)償■適

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